Intersil 20N60A4D

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного полевого транзистора Intersil 20N60A4D.

Общее описание

Intersil 20N60A4D — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии Super Junction (суперпереход), также известной как MDmesh™. Он предназначен для применения в импульсных источниках питания, корректорах коэффициента мощности (PFC), инверторах и других высокоэффективных силовых преобразовательных устройствах.

Ключевые преимущества этой технологии:

• Очень низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов.
• Отличная устойчивость к лавинному пробою: Повышает надежность в жестких условиях работы (например, при коммутации индуктивных нагрузок).
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает управление и снижает потери на переключение.

Этот транзистор является отличным выбором для построения надежных и эффективных силовых каскадов мощностью до нескольких киловатт.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Super Junction) | | | Корпус | TO-220F (Full-Pak) | Полностью изолированный корпус, не требует изолирующей прокладки, но имеет худший теплоотвод, чем TO-220. | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Непрерывный ток стока (ID при 25°C) | 20 А | При температуре корпуса 25°C. | | Импульсный ток стока (IDM) | 80 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.19 Ом (макс.) | При VGS = 10 В. Ключевой параметр для потерь на нагрев. | | Заряд затвора (Qg) | ~ 67 нКл (тип.) | Влияет на сложность и потери в драйвере управления. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Макс. мощность рассеяния (PD) | 156 Вт | При температуре корпуса 25°C. На практике ограничивается температурой кристалла и охлаждением. | | Диод сток-исток | Встроенный обратный диод (Body Diode) | |

Парт-номера и прямые аналоги

Поскольку компания Intersil была приобретена Renesas Electronics, актуальным производителем теперь является Renesas. Модель часто маркируется как Renesas 20N60A4D.

Прямые функциональные аналоги (с очень близкими параметрами):

• Infineon: SPA20N60C3, IPA20N60C3 (C3-технология, аналогичные характеристики).
• STMicroelectronics: STW20N60M2, STP20N60M2 (MDmesh™ M2).
• Fairchild/ON Semiconductor: FCP20N60, FCH20N60 (SuperFET®).
• IR (International Rectifier): IRFB20N60K (часто используется как аналог).

Важные примечания по аналогам:

1. Всегда сверяйтесь с даташитом! Перед заменой необходимо сравнить ключевые параметры: VDS, ID, RDS(on), Qg, корпус и динамические характеристики.
2. Корпус TO-220F vs TO-220: Аналоги в корпусе TO-220 (например, STP20N60M2) имеют металлическую площадку, которая электрически соединена со стоком (D). Для ее изоляции от радиатора требуется слюдяная или керамическая прокладка. TO-220F (как у 20N60A4D) изолирован пластиком, прокладка не нужна, но теплоотвод хуже.
3. Поколения технологий: Цифры и буквы в конце названия (A4D, C3, M2, K) указывают на поколение технологии. Они влияют на эффективность, особенно на высоких частотах. Замена внутри одного поколения предпочтительнее.

Совместимые модели для замены (в порядке убывания предпочтительности)

При подборе замены можно рассматривать транзисторы с равным или более высоким напряжением VDS и током ID, а также с равным или меньшим RDS(on).

Лучшие совместимые замены (от других производителей):

1. Infineon SPA20N60C3 (TO-220F) - самый близкий аналог по корпусу и технологии.
2. STMicroelectronics STW20N60M2 (TO-247) - более крупный корпус, лучший теплоотвод. Подходит, если позволяет место.
3. STMicroelectronics STP20N60M2 (TO-220) - требует изолирующей прокладки.
4. ON Semiconductor FCP20N60 (TO-220) - требует изолирующей прокладки.

Можно рассмотреть, если нужен запас по параметрам:

• 22N60 / 23N60 / 24N60 (от различных производителей) - имеют чуть больший ток и меньшее сопротивление. Пример: STP23N60M2.
• Аналоги на 650В: Например, 20N65 / 22N65 (STP22N65M5). Имеют более высокое пробивное напряжение при схожих остальных параметрах.

Типичные области применения

• Импульсные блоки питания (SMPS): В силовой части (первичная сторона) компьютерных БП, БП для серверов, промышленного оборудования.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC): В схемах активной коррекции (часто в Boost-топологии).
• Инверторы и полумостовые/мостовые схемы: В источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочных инверторах, драйверах для двигателей.
• Энергосберегающие и LED-системы освещения.

Рекомендация: При замене вышедшего из строя 20N60A4D настоятельно рекомендуется проверять и элементы обвязки, особенно драйвер затвора и снабберные цепи, так как отказ силового ключа часто бывает вторичным.