Microsemi 1N3028

Конечно, вот подробное описание диода Microsemi 1N3028, его характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Общее описание

Microsemi 1N3028 — это стабилитрон (диод Зенера) с плавным (мягким) пробоем, предназначенный для прецизионных задач стабилизации опорного напряжения. Ключевая особенность этой серии (1N3028A/B, 1N3029A/B и т.д.) — исключительно низкий температурный коэффициент (ТКН), близкий к нулю в районе номинального тока стабилизации. Это делает его идеальным для высокоточных аналоговых схем, измерительных приборов, источников опорного напряжения (ИОН) и АЦП/ЦАП.

Он не предназначен для стабилизации мощности в силовых цепях, его ниша — точность и стабильность.

Технические характеристики (на основе datasheet Microsemi)

Основные параметры приведены для серии 1N3028B (наиболее распространенная версия с улучшенными характеристиками).

• Тип: Кремниевый стабилитрон с плавным пробоем.
• Номинальное напряжение стабилизации (Vz):
  • 1N3028B: 6.6 В при токе Izt (см. ниже).
  • (Примечание: 1N3028A имеет то же номинальное напряжение, но может иметь чуть больший разброс параметров).
• Ток стабилизации (Izt): 7.5 мА — это ток, при котором измеряется Vz и достигается оптимальный температурный коэффициент.
• Максимальный динамический импеданс (Zzt): 5 Ом при токе Izt.
• Температурный коэффициент (ТКН): ±0.001 %/°C (типично) в диапазоне от 0°C до +75°C. Это крайне низкое значение, главное преимущество модели.
• Допуск по напряжению:
  • 1N3028B: ±2% от номинального Vz.
  • 1N3028A: ±5% (обычно).
• Рассеиваемая мощность (Pd): 500 мВт при температуре корпуса ≤ 50°C.
• Максимальный постоянный ток стабилизации (Iz max): 40 мА.
• Диапазон рабочих температур: -65°C до +175°C (для стеклянного корпуса DO-35).
• Корпус: DO-35 (стеклянный, осевой выводной).

Парт-номера и модификации в серии

Microsemi/Microchip часто использует собственную нумерацию, эквивалентную промышленным стандартам.

• MS-00126: Внутренний парт-номер Microsemi для диода 1N3028B.
• Варианты в линейке с разным напряжением (имеют идентичные характеристики по ТКН):
  • 1N3027B (≈ 5.6 В)
  • 1N3028B (≈ 6.6 В)
  • 1N3029B (≈ 7.5 В)
  • 1N3030B (≈ 8.2 В)
  • 1N3031B (≈ 9.1 В)
  • и т.д. до 1N3042B.

Совместимые модели и прямые аналоги

Аналоги следует подбирать по ключевым параметрам: Vz ≈ 6.6В, низкий ТКН, Izt ≈ 7.5мА, корпус DO-35.

Прямые функциональные аналоги (от других производителей):

• Calogic / Central Semiconductor: CLL3028B (прямой аналог).
• Vishay: BZX84C6V6 (SMD-корпус) или 1N3028B в DO-35 (часто снят с производства, но может быть в остатках).
• NXP (Philips): 1N3028B (в линейке прецизионных стабилитронов).
• On Semiconductor: 1N3028B (часто в статусе "Not For New Design" - не для новых разработок).
• Компоненты советского/российского производства: 2С191Д (наиболее близкий аналог по концепции "стабилитрон с плавным пробоем и низким ТКН"). Также может подойти КС168А (6.8В, ±5%), но его ТКН будет выше.

Современные альтернативы (рекомендуется для новых разработок):

Прямые аналоги в корпусе DO-35 часто устарели. Рекомендуется рассматривать современные решения:

1. Прецизионные интегральные источники опорного напряжения (ИОН):

   • LM385-6.6 (≈ 6.6В): Аналогичный двухвыводной прибор в корпусе DO-35/TO-92, специально созданный как замена стабилитронам с низким ТКН. Является лучшей и более современной заменой.
   • TL431 (программируемый на любое напряжение от 2.5В): Трехвыводной, требует обвязки, но гораздо более гибкий и точный.
   • ADR серия от Analog Devices, REF серия от Texas Instruments (высшая категория точности и стабильности).

2. Стабилитроны в SMD-корпусах:

   • MMSZ5226B (6.6В, 500мВт, корпус SOD-123) от различных производителей.
   • BZX84C6V6 (6.6В, 350мВт, корпус SOT-23).

Краткий итог

Microsemi 1N3028B — это прецизионный стабилитрон с феноменально низким температурным коэффициентом, созданный для эталонных цепей. Для прямого аналога в новых проектах ищите CLL3028B или, что более правильно, переходите на интегральный ИОН LM385-6.6. Для ответственных применений рассматривайте трехвыводные ИОНы (TL431, серии REF/ADR).