Microsemi 1N5712JAN

Microsemi 1N5712JAN
Артикул: 1437498

производитель: Microsemi
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Microsemi 1N5712JAN

Microsemi 1N5712JAN — Описание и характеристики

Описание

1N5712JAN — это кремниевый диод Шоттки (Schottky Barrier Diode) малой мощности, произведённый компанией Microsemi (ныне входит в состав Microchip Technology). Компонент сертифицирован по стандарту JAN (Joint Army-Navy), что означает соответствие требованиям MIL-PRF-19500 для применения в военной и аэрокосмической аппаратуре.

Диод предназначен для детектирования сигналов малого уровня, смесителей, высокоскоростных переключателей и ограничителей в ВЧ/СВЧ-цепях до 2 ГГц. Маркировка «JAN» подтверждает прохождение военной приёмки и расширенный температурный диапазон.


Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | Диод Шоттки (кремниевый) | | Корпус | DO-35 (стеклянный, герметичный) | | Монтаж | THT (сквозной) | | Обратное напряжение (V_R) | 20 В | | Прямой ток (I_F) | 30 мА (макс., постоянный) | | Импульсный ток (I_FSM) | до 100 мА (кратковременно) | | Прямое падение напряжения (V_F) | ~0.41 В при 1 мА
~1.0 В при 35 мА (макс.) | | Обратный ток утечки (I_R) | 100 нА при V_R = 10 В | | Ёмкость перехода (C_j) | ~1.2 пФ при V_R = 0 В | | Рабочая частота | до ~2 ГГц | | Рассеиваемая мощность | 250 мВт (T_A=25 °C) | | Рабочая температура | −65 °C … +150 °C | | Хранение | −65 °C … +200 °C |

Особенности:

  • Очень низкое прямое падение напряжения
  • Малая ёмкость перехода — пригоден для СВЧ
  • Высокая скорость переключения (нет накопления неосновных носителей)
  • Соответствие JEDEC 1N5712

Парт-номера и аналоги

Оригинальные обозначения Microsemi / Microchip:

  • 1N5712JAN
  • 1N5712JANTX (TX — расширенный приёмочный контроль)
  • 1N5712JANTXV (TXV — повышенная надёжность)
  • 1N5712JANS (S-уровень, для космоса)
  • 1N5712UB / 1N5712UBCC (корпус UB, chip form)
  • 1N5712-1 (вариант с маркировкой в JEDEC)

Совместимые замены / аналоги:

  • 1N5711 (аналог, отличается напряжением/током)
  • 1N5712 (базовое обозначение без JAN)
  • 1N6263 (близкий диод Шоттки)
  • BAT17-XXX (Infineon)
  • HSMS-280x (Avago/Broadcom — в сдвоенных/счетверённых корпусах)
  • 5082-2835 (HP/Agilent, исторический аналог)

⚠️ При замене необходимо сверять V_R, C_j и V_F, поскольку у некоторых «аналогов» они различаются.


Совместимые модели / применения

«Совместимые модели» в контексте диода означают устройства и семейства, в которые он устанавливается или для которых является рекомендованной заменой. Наиболее часто 1N5712JAN встречается в:

  • Военная и аэрокосмическая РЭА (по стандартам MIL-STD-883/MIL-PRF-19500)
  • Радиоприёмники и трансиверы Marconi, Harris, Collins (HF/VHF)
  • Осциллографы и измерительные приборы Tektronix / HP серии 5000, 8000
  • СВЧ-модули (детекторы мощности, смесители баланса)
  • Спектроанализаторы HP/Agilent 856x, 859x
  • Радары и системы навигации
  • Контрольно-измерительное оборудование ВПК США и НАТО

Конкретную «модель» диод не имеет, поскольку это дискретный радиоэлемент, а не интегральная схема. Поэтому список совместимых устройств определяется применимостью по электрическим параметрам.


Резюме

1N5712JAN — военный маломощный СВЧ диод Шоттки в корпусе DO-35 с напряжением 20 В, током 30 мА и малой ёмкостью ~1.2 пФ. Применяется в детекторах, смесителях и высокоскоростных ключах ВЧ-трактов. Имеет варианты исполнения JANTX, JANTXV, JANS и аналоги 1N5711, 1N6263, BAT17, HSMS-280x.

Если нужно — могу составить таблицу прямых аналогов с точными параметрами V_R / C_j / V_F для подбора замены.

Совместимые модели для Microsemi 1N5712JAN

Microsemi 1N5712JAN

Парт номера для Microsemi 1N5712JAN

1N5712JAN