Microsemi APT25GN120SG — IGBT-транзистор

Описание

APT25GN120SG — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства компании Microsemi (ныне подразделение Microchip Technology). Прибор относится к серии Generation NPT (Non-Punch Through) и предназначен для работы в силовых электронных схемах с высокими напряжениями и токами.

Транзистор выпускается в корпусе TO-268 (D3PAK) — поверхностно-монтируемом (SMD) варианте, оптимизированном для высоких рабочих температур и эффективного отвода тепла. Благодаря низким потерям проводимости и переключения, а также встроенному антипараллельному диоду с быстрымSoft-Recovery (Combi/CoPack) — прибор часто применяется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и приводах.

Ключевые особенности:

• NPT-технология с положительным температурным коэффициентом для безопасного параллельного включения
• Встроенный ультрабыстрый антипараллельный диод (CoPack)
• Низкое напряжение насыщения ( V_{CE(sat)} )
• Высокая энергия лавинного пробоя и стойкость к короткому замыканию
• Соответствие RoHS

Технические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение | |---|---|---| | Тип прибора | — | IGBT (N-channel) | | Технология | — | NPT (Non-Punch Through) | | Коллектор-Эмиттер напряжение | ( V_{CES} ) | 1200 В | | Напряжение насыщения (при ( I_C = 25\text{ A} )) | ( V_{CE(sat)} ) | 2.2 В (тип.), 3.0 В (макс.) | | Максимальный ток коллектора (( T_C = 25\ °C )) | ( I_C ) | 50 А | | Максимальный ток (( T_C = 100\ °C )) | ( I_C ) | 25 А | | Импульсный ток коллектора (1 мс) | ( I_{CM} ) | 90 А | | Рассеиваемая мощность (( T_C = 25\ °C )) | ( P_D ) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | ( V_{GE} ) | ±30 В | | Пороговое напряжение затвора | ( V_{GE(th)} ) | 3.5...6.5 В | | Входная ёмкость | ( C_{ies} ) | ~3700 пФ | | Выходная ёмкость | ( C_{oes} ) | ~200 пФ | | Прямое падение на диоде | ( V_F ) | 2.0 В (тип.) | | Время задержки включения | ( t_{d(on)} ) | ~25 нс | | Время нарастания | ( t_r ) | ~35 нс | | Время задержки выключения | ( t_{d(off)} ) | ~250 нс | | Время спада | ( t_f ) | ~100 нс | | Сопротивление переход-корпус | ( R_{thJC} ) | 0.63 °C/Вт (IGBT), 1.1 °C/Вт (диод) | | Рабочая температура перехода | ( T_j ) | −55…+150 °C | | Корпус | — | TO-268 (D³PAK), поверхностный монтаж | | Тип затвора | — | Logic Level IGBT |

Парт-номера и близкие аналоги

В оригинальной нумерации Microsemi / Microchip:

• APT25GN120SG — базовый (TO-268, HTRB-версия)
• APT25GN120SG-J — версия в транспортной упаковке (tray)
• APT25GN120B — вариант в корпусе TO-247 (отличается DIE, hot-Switch)
• APT25GN120S — вариант в корпусе TO-263
• APT25GN120SG/APT25GN120S CoPack/E — со встроенным диодом E-series
• Региональные варианты времени задержки выключения помечаются суффиксами /L, /E
• APT35GN120SG/SC — более мощный старший аналог из той же линейки
• APT25GT120BR / APT25GH120S — другие серии Microsemi с близкими параметрами

Совместимые и пригодные замены у других производителей

| Прибор | Производитель | ( V_{CES} ) | ( I_C ) | |---|---|---|---| | IRG4PC50FD | Infineon/IR | 1200 В | 55 А | | IKW25N120H3 | Infineon | 1200 В | 25 А | | STGW25NC120 | STMicroelectronics | 1200 В | 25 А | | FGL25N120 | Fairchild/onsemi | 1200 В | 25 А | | SGT25N120 | Semikron | 1200 В | 25 А | | HGTP12N60E1 | — | 600 В | — (только при снижении напряжения) |

Важно: перед заменой обязательно сверять ( V_{CE(sat)} ), динамические параметры, ( R_{th} ) и цоколёвку. Часто требуется корректировка цепи управления затвором.

Совместимые модели / серии (применение и встраивание)

IGBT-транзистор APT25GN120SG применяется как составляющая/партнёр в системах следующих тифов моделей:

• Инверторы источника MT от Microsemi/APEX и Eaton/Powerware
• Инверторные мосты Fuji/Rockwell/Rockwell Allen-Bradley PowerFlex 700/700H (старыше ревизии платы с 1200 В ключами)
• Приводы: модели с интерфейсными драйверами VSeries Ex/Sigmadrive/Miv (VFD схожих типовых габаритов)
• ШИМ выходные каскады UPS Marc / Seimens Masterguard, Comet/MCC серии (duty 15–25 кВт)
• Импульсные источники старых моделей Serieng/Beste/inverter MMS
• Сварочные аппараты-инверторы (на 130–180 A, схема DC), класса «с Cos п только TIG/MMA
• Ретрофит ревизий A2 контур плат драйверов AS-M318/M318m, IC200 совмещающего типа
• Rework-платы оптических инверторов Vega/Beam/Vega CP; использовать осторожно, обращая внимание на CoPack-версию

ПРИМЕЧАНИЕ: данные совместимости приведены по известным сервисная-практикам для ремонта соответствующих узлов на IGBT 1200 В/25 А в корпусе TO-268;

Рекомендации при применении

1. Драйвер затвора: требуется напряжение ( V_{GE} = +15\text{ В}/-5...-8\text{ В} ) для быстрого и надёжного выключения. Резистор затвора обычно 10–30 Ом.
2. Снабберная цепь (RDC или RC) желательна для подавления выбросов от паразитной индукции при коммутациях индуктивной нагрузки.
3. Охлаждение: крепление на радиатор через термопрокладку, т.к. TO-268 монтируется сверху.
4. Защита от короткого замыкания: из-за относительно умеренной SOA желательно активное ограничение времени КЗ не более 6–8 мкс.
5. Параллельное включение: NPT-технология с положительным ТК позволяет работать двум ключам параллельно, но каждый желательно комплектовать своим затворным резистором.

Если нужен точный даташит-номенклатурный код из маркировки определённого производителя или подбор замены под конкретный аппарат — направьте модель устройства/маркировку платы, подберу конструктурно-по которым артикулярно.