Microsemi APT26F120B2 — Описание и характеристики

Описание

APT26F120B2 — это высоковольтный N-канальный MOSFET компании Microsemi (ныне часть Microchip Technology), выполненный по технологии FREDFET (Fast Recovery Epitaxial Diode FET). Транзистор предназначен для работы в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других приложениях, требующих высокого напряжения и быстрого переключения.

Корпус — TO-247 (B2 — суффикс, обозначающий данный тип корпуса).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-канальный MOSFET (FREDFET) | | Напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | | Ток стока (I_D) при 25 °C | 26 А | | Ток стока (I_D) при 100 °C | ~16 А | | Сопротивление R_DS(on) | 0.45 Ом (макс.) при V_GS=10 В | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 2–4 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~150 нКл | | Время нарастания (t_r) | ~25 нс | | Время спада (t_f) | ~20 нс | | Время задержки включения (t_d(on)) | ~20 нс | | Время задержки выключения (t_d(off)) | ~60 нс | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Epitaxial Diode) | | Время восстановления диода (t_rr) | ~180 нс | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 463 Вт | | Рабочая температура p-n перехода | −55…+150 °C | | Корпус | TO-247 | | Тип канала | Обогащённый (Enhancement Mode) |

Парт-номера (Part Numbers)

• APT26F120B2 — базовый парт-номер
• APT26F120B2 (Microchip) — актуальный производитель
• APT26F120B2G — суффикс "G" может обозначать RoHS-совместимую/бессвинцовую версию
• APT26F120B2F — возможный вариант упаковки
• APT26F120S2 — вариант в исполнении D3PAK / TO-268 (для S2)
• APT26F120B — версия без суффикса корпуса (если встречается)

⚠️ Точный набор суффиксов зависит от региона и упаковки — рекомендуется сверять по актуальному datasheet на сайте Microchip.com.

Совместимые / аналогичные модели (по параметрам V_DSS≈1200 В, I_D≈25–30 А)

• IXYS IXFH26N120 (частичный аналог)
• IXYS IXFK27N120
• Infineon SPW47N60C3 (другое напряжение, но сходный класс применений — проверять отдельно)
• STMicroelectronics STW26N120 (STW26NM60 и др. — сверять по параметрам)
• Toshiba TK25E60U (600 В, класс ниже — не прямой аналог)
• Microchip/Microsemi: APT28F120B (близкий родственник семейства)

Совместимые функциональные замены следует подбирать строго по: V_DSS≥1200 В, I_D≥26 А, R_DS(on)≤0.5 Ом, наличию быстрого встроенного диода, корпусу TO-247.

Типовые применения

• Импульсные источники питания (SMPS) высокого напряжения
• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Системы зажигания и подсветки (импульсные)
• PFC-схемы повышенной мощности
• Приводы двигателей средней мощности

Примечание

Если нужен более точный datasheet-совпадающий бомлист, я могу дать выкладку по тепловым характеристикам (R_θJC, R_θJA), ASC-параметрам и pin^out корпуса TO-247. Также уточните требуемый режим (например, схему с резонансным преобразователем или жёстким переключением) — тогда список совместимых моделей можно расширить точечно.