Microsemi APT5010JN — Описание и характеристики

Описание

APT5010JN — это мощный N-канальный MOSFET (полевой транзистор) с изолированным затвором, производимый компанией Microsemi Corporation (ранее Advanced Power Technology, APT). Транзистор предназначен для работы в импульсных источниках питания, инверторах, драйверах двигателей и других силовых приложениях, требующих высокой скорости переключения и низких потерь.

⚠️ Примечание: Microsemi была приобретена компанией Microchip Technology в 2018 году. Продукция APT теперь доступна под брендом Microchip. Линейка силовых MOSFET APT частично снята с производства — рекомендуем проверять статус жизненного цикла (EOL/LTB) у дистрибьюторов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-Channel Power MOSFET | | Технология | Power MOS V® (планарная) | | Корпус | TO-247 (JN = TO-247) | | Напряжение сток-исток (V_DSS) | 500 В | | Ток стока непрерывный (I_D) @ 25°C | 38 А | | Ток стока импульсный (I_DM) | ~152 А | | Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.10 Ом (тип.) при V_GS = 10 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.0 – 4.0 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~120 нКл (тип.) | | Время нарастания (t_r) | ~15 нс | | Время спада (t_f) | ~10 нс | | Время задержки включения (t_d(on)) | ~12 нс | | Время задержки выключения (t_d(off)) | ~45 нс | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) @ 25°C | 310 Вт | | Рабочая температура перехода (T_J) | −55 … +150 °C | | R_thJC (тепловое сопротивление переход-корпус) | 0.4 °C/Вт | | Ёмкость затвора (C_iss) | ~7000 пФ | | Ёмкость сток-исток (C_oss) | ~1100 пФ | | Ёмкость обратной связи (C_rss) | ~180 пФ |

Особенности:

• Быстрое переключение
• Низкий заряд затвора
• Высокая лавинная энергия (UIS rated)
• Полностью изолированный корпус TO-247
• Соответствие RoHS

Парт-номера (Part Numbers)

Линейка определяется суффиксом после базового номера:

| Part Number | Корпус | Примечание | |---|---|---| | APT5010JN | TO-247 | Базовый, стандартный корпус | | APT5010BN | TO-247 | Вариант с повышенной лавинной стойкостью | | APT5010LFLL | TO-264 | Низкопрофильный | | APT5010LVFR | TO-264 | Версия с малым R_DS(on) | | APT5010LVR | TO-264 | Аналог L, улучшенные параметры | | APT5010JVR | TO-247 | Версия для жёстких условий | | APT5010JLL | TO-247 | Линейный режим (Linear) | | APT5010JFLL | TO-247 Full Pack | Полностью изолированный |

(Суффиксы: J = TO-247, B = TO-247, L/LF/LV = TO-264, F = Fully Isolated, LL = Linear, VR = Very Rugged)

Совместимые / аналогичные модели

Внутри линейки APT (прямые аналоги того же класса 500В/38А):

• APT5010BN — TO-247
• APT5010JVR
• APT5012JN / APT5012JVR — (близкий класс)
• APT5020JN (R_DS(on) = 0.20 Ом)
• APT5030JN

Аналоги других производителей (500В, N-MOSFET, TO-247, R_DS(on) ~0.10 Ом):

| Производитель | Модель | Примечание | |---|---|---| | Infineon / IXYS | IXFH38N50 | Близкий по параметрам | | IXYS | IXFH40N50 | 40А/500В | | STMicroelectronics | STW40N50 / STW38N50 | Зеркальный аналог | | Onsemi | FQA38N50 / FQA40N50 | Функциональный аналог | | Toshiba | TK40E10N1 / TK38J50 | 500V класс | | Vishay | IRFP450 (500В/140Вт) | Меньшая мощность, но 500В | | Fairchild | FQA19N50 | Умеренный аналог |

Pin-to-pin совместимость (TO-247, N-ch, 500В):

Компоненты, совмещаемые по цоколёвке и близкие по характеристикам:

• APT5010BN/JVR
• IXFH38N50 (Infineon/IXYS)
• STW38N40 (400В-версия — с проверкой)
• FQA38N40
• FHH38N50 (Fairchild)

Области применения

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы DC/AC и AC/DC
• Приводы электродвигателей
• Сварочное оборудование
• Преобразователи с высоким рабочим напряжением и быстрым переключением
• Электронные балласты

Рекомендации по подбору

При замене важно учитывать:

1. V_DSS — обязательное минимальное значение 500 В.
2. R_DS(on) — ориентир ~0.08–0.12 Ом при V_GS = 10 В.
3. Q_g и ёмкости — для совместимости с существующим драйвером затвора.
4. Корпус и цоколёвка — TO-247 (стандартная JN).
5. Тепловое сопротивление актуально для реального режима работы.
6. Проверьте UIS/Calvin рейтинг, если используется в индуктивных переключениях.

Для окончательного подбора рекомендую сверить параметры из актуального Microchip datasheet (SMAP-APT версии — доступны в архиве документации Microchip), поскольку линейка APT постепенно сокращается, а посадки могут изменяться.

Если хотите — могу составить таблицу сравнения вашего MOSFET с конкретным аналогом в выбранной схеме (драйвер, частота ШИМ, индуктивная нагрузка).