Microsemi (Microchip) APT75GP120J — IGBT-транзистор

Описание

APT75GP120J — это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током 75 А, выпускаемый компанией Microsemi (ныне часть Microchip Technology). Транзистор относится к серии POWER MOS 7® и предназначен для применения в силовой электронике: инверторах, преобразователях частоты, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, системах управления двигателями и UPS.

Корпус — ISOTOP® (J-суффикс), обеспечивающий изолированный монтаж и низкое тепловое сопротивление.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип прибора | IGBT (N-канальный) | | Напряжение коллектор-эмиттер V_CES | 1200 В | | Ток коллектора (непрерывный) I_C @ T_C=25°C | 75 А | | Ток коллектора @ T_C=100°C | ~40–45 А | | Импульсный ток I_CM | 225 А | | Напряжение насыщения V_CE(sat) @ I_C=75 А | ~2.5 В (тип.) | | Пороговое напряжение затвора V_GE(th) | 4–6 В | | Макс. напряжение затвор-эмиттер V_GES | ±20 В | | Время задержки включения t_d(on) | ~25 нс | | Время нарастания t_r | ~40 нс | | Время задержки выключения t_d(off) | ~150 нс | | Время спада t_f | ~45 нс | | Входная ёмкость C_ies | ~4.5 нФ | | Рассеиваемая мощность P_tot @ T_C=25°C | ~520 Вт | | Рабочая температура перехода T_j | –55…+150 °C | | Корпус | ISOTOP® (J) | | Тип затвора | Стандартный | | Технология | PT (Punch-Through) / POWER MOS 7 |

Точные значения смотрите в актуальном даташите Microchip (документ APT75GP120J).

Парт-номера

• APT75GP120J — базовый парт-номер (ISOTOP-корпус)
• APT75GP120JDQ2 — вариант с улучшенными характеристиками / другой партией
• APT75GP120JG — вариант исполнения
• APT75GP120JN — вариант исполнения
• APT75GP120JDU2 — вариант

Полный список суффиксов зависит от партии, упаковки и статуса жизненного цикла. Актуальные коды заказа — в Microchip Product Page.

Совместимые / аналогичные модели

Ближайшие по параметрам IGBT от Microsemi (Microchip):

• APT75GP120B — тот же кристалл, корпус TO-247
• APT75GT120J — 1200 В, 75 А, Trench-технология
• APT80GP120J — 1200 В, 80 А
• APT60GP120J — 1200 В, 60 А
• APT100GP120J — 1200 В, 100 А

Возможные аналоги других производителей (с проверкой параметров):

• Infineon: IKW75N120, FGL75N120, IKW75N60
• Fuji: 2MBI75N-120
• Toshiba: MG75N1BS42, GT75N120
• Mitsubishi: CM75DU-12F, CM75DY-12H
• Semikron: SKM75GB12T4
• IXYS (Littelfuse): IXGQ75N120, IXYH75N120
• STMicroelectronics: STGW75N120

⚠️ Замена IGBT требует проверки:

• напряжения V_CES, тока I_C
• V_CE(sat), времени переключения
• ёмкости затвора и заряда Q_g
• типа корпуса и схемы выводов (pin-to-pin)
• теплового сопротивления R_thJC

Применения

• Инверторы для электродвигателей и приводов
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• ИБП (UPS)
• Индукционный нагрев
• Преобразователи солнечной энергии

Если нужно — могу помочь с: — выбором драйвера затвора для APT75GP120J; — сравнением с конкретным аналогом; — рекомендациями по схеме подключения.