Eupec 200GB120DN2

Отличный выбор! EUPEC (Infineon Technologies) 200GB120DN2 — это мощный и надежный IGBT-модуль второго поколения, широко используемый в промышленных приводах, инверторах и системах преобразования энергии.

Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Описание

Модуль 200GB120DN2 представляет собой двойной IGBT-модуль (Dual) в классическом изолированном корпусе 34-мм (полумостовая конфигурация). Он содержит два IGBT-транзистора и два диода, обратно-параллельно соединенных с каждым IGBT, что позволяет собирать на его основе однофазный мостовой каскад (Half-Bridge).

• Основное назначение: Преобразование постоянного тока в переменный (инвертирование) и управление мощными трехфазными электродвигателями (в составе трех мостовых модулей).
• Ключевые преимущества: Высокая эффективность, низкое падение напряжения в открытом состоянии (Vce(sat)), высокая стойкость к перегрузкам по току и короткому замыканию, встроенный температурный датчик (NTC-термистор).
• Типичные применения: Промышленные частотные преобразователи (ЧПУ, АСУ ТП), источники бесперебойного питания (ИБП), сварочное оборудование, тяговые приводы.

Технические характеристики

Основные электрические параметры (при Tj=25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение | V_CES | 1200 | В | | Номинальный ток коллектора (при 100°C) | I_C @ 100°C | 200 | А | | Максимальный импульсный ток коллектора | I_CM | 400 | А | | Падение напряжения коллектор-эмиттер (в насыщении) | V_CE(sat) | 2.65 (тип.) | В | | Напряжение насыщения диода | V_FC | 1.7 (тип.) | В | | Мощность рассеяния на модуль | P_tot | 1070 | Вт | | Температура перехода | T_j | -40 до +150 | °C | | Температура хранения | T_stg | -40 до +125 | °C | | Сопротивление "Коллектор-Эмиттер" | R_th(j-c) | 0.12 | К/Вт | | Сопротивление "Корпус-Радиатор" | R_th(c-f) | 0.07 | К/Вт | | Тепловое сопротивление изоляции | R_th(iso) | 0.30 | К/Вт | | Встроенный NTC-термистор | R_25°C | 5 | кОм |

Временные параметры (типовые):

• Время включения: t_on ≈ 200 нс
• Время выключения: t_off ≈ 800 нс
• Время обратного восстановления диода: t_rr ≈ 200 нс

Механические характеристики:

• Корпус: Изолированный медный основание, керамическая изоляция (Al₂O₃ или AlN).
• Монтаж: Установка на радиатор с помощью винтов М5 или М6, обязательное использование термопасты.
• Вес: Приблизительно 170-180 г.

Парт-номера и совместимые модели

Модуль 200GB120DN2 является частью обширного семейства EUPEC/Infineon TrenchStop IGBT2. Его можно заменить на полные аналоги от других производителей, а также на функционально совместимые модели с близкими параметрами.

1. Прямые аналоги и кросс-референсы (тот же корпус и параметры):

• Infineon: FF200R12KE3 (более новое поколение IGBT3/E3, но полный аналог по корпусу и характеристикам, рекомендуемая замена).
• Semikron: SKM200GB128D (очень близкий аналог, может иметь незначительные отличия в динамических параметрах).
• Powerex (Mitsubishi): CM200DU-12NFH.
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120.
• Dynex (IXYS): DIM200NSS12-TW000.
• Hitachi: Не имеет прямого аналога в этой линейке.

Важно: При замене всегда необходимо сверяться с даташитами, особенно по распиновке контактов управления (Gate, Emitter), расположению NTC-термистора и механическим размерам.

2. Функционально совместимые модели (близкие по току и напряжению, но могут отличаться корпусом или динамикой):

• EUPEC/Infineon: 200GB12E4SN2b (новее, IGBT4), 150GB120DN2 (150А, если требуется меньший ток), 300GB120DN2 (300А, если требуется запас).
• Semikron: SKM200GB12T4 (IGBT4), SKM200GB12E4.
• Fuji: 2MBI200U4A-120 (IGBT4).

Ключевые моменты при замене и использовании:

1. Проверка поколения IGBT: Модули разных поколений (IGBT2, IGBT3, IGBT4) имеют разные требования к драйверам управления (величина и форма управляющего напряжения, скорость переключения).
2. Распиновка: Расположение клемм Gate и Emitter критически важно. Неправильное подключение мгновенно выведет модуль из строя.
3. Термоинтерфейс: Обязательное использование качественной теплопроводящей пасты и правильный момент затяжки винтов.
4. Драйверы: Рекомендуется использовать специализированные драйверы с защитой от короткого замыкания (DESAT), отрицательным смещением для надежного выключения (например, серии 1ED, 2ED от Infineon, драйверы от Concept, Silicon Labs).

Вывод: Модуль 200GB120DN2 — проверенный "рабочая лошадка" для среднемощных преобразователей. При ремонте или модернизации оборудования оптимальным выбором для его замены является Infineon FF200R12KE3 как более современный и эффективный аналог. Перед заменой всегда изучайте документацию на конкретное устройство.