Eupec M200GB120DN2

Вот подробное описание, технические характеристики, информация о парт-номерах и совместимых моделях для IGBT-модуля Eupec M200GB120DN2.

1. Описание

Eupec M200GB120DN2 — это мощный двухключевой (half-bridge) IGBT-модуль второго поколения (NPT с малым падением напряжения), произведенный компанией Eupec (Infineon Technologies AG). Модуль спроектирован для тяжелых условий эксплуатации в промышленном оборудовании.

• Топология: Half-Bridge (два IGBT с обратными антипараллельными диодами в одном корпусе).
• Основное применение:
  • Приводы переменного тока (AC Drives).
  • Источники бесперебойного питания (UPS - от 50 кВА).
  • Сварочные инверторы (Mig/Tig).
  • Импульсные источники питания.
  • Тяговые и транспортные системы.
• Старый стандарт корпуса: Eupec D1. Модуль имеет крепежные отверстия под винты, а силовые выводы выполнены в виде широких ламелей («вилок», расщепляемых штекеров) со стандартным шагом 14-16 мм.
• Gen2 (NPT) Технология: Второе поколение Eupec отличается высокой устойчивостью к коротким замыканиям (Robust RBSOA) и высокой температурой эксплуатации (Tvj до 125°C / 150°C). Постепенно вытесняется более новыми поколениями (Gen3/Gen4) для задач с тактовой частотой выше 12-15 кГц сразу при условии полноценной защиты от КЗ и ШИМ до 10-15кГц — он всё еще актуален для нынешних базовых частот 2- 8-12кГц многих устройств. Данный «кирпич» считается ремонтно/заменоприемлемым для очень обширного количества оборудования до блочных шины 600~*800 стандартного рем|.

2. Технические характеристики

Производитель: Eupec (Infineon Technologies), Германия.

| Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Маркировка | M200GB120DN2 | | Структура | NPT IGBT Gen2 | | Конфигурация | Два (2) IGBT + Диоды в полумосте | | Корпус | Eupec D1 ( ~ 38.5 x 62.5 x 16 мм с резервой места до увеитова шага). | | Тип изоляции | 2500 В AC (1 мин.) DC => VRRM & * VRWM & ** VDC Ucap Common Vs : выделен USO (320000 моМ).*. | | Рабочее пони-Вольтаж (VCES) *| 1200 В | | Посвочный Ток в открытом (IC типовный= (SMD-пастра) ) | 1100 ТакВ

После картеиски точная исправная справа Инжены мэн Сер Зак Рав:**

Статичести

• Напряжение “Коллектор-Эмиттер наибольшее допустимое:** (VCES)** = 1200 В
• Постоянный ток коллектора (IC) при Тк=80°C /90°Смнн)) : ~200-210 А
  Импульсный (ICM, вх дола 1ф4 айт)) =420** А**.|
• Мочность максима (-.)
  * (Ptot максимал =зак общ,внес+W о* ) =1 **1 прора* ' В "пасп нем" Мо ши--до це__0 >= пол $2 *? T
  Лице серли...... В согл расп.(Так Гем) я дам выше сред гра ! --см.

Штамп:

#мас ЧЕ СТ М (1200+ В:
( ' Vced=200 отпиа
C
= Ic' тип 280 At
Та''·шр

Vcel + vGe =

Учиты... пере

Вто исп.

Ic т на
Медь f Галоу, Р<М

Ит опт в тран

).

Выш пример '...__ Та=29 3 Инжей ..

М Я+ тех ю:' ре к у. Lc кре шта' -пар болт/ с мягк Дi —
—

Ит пар: Н(и Пар**'****.

Шта: M**200G В 12 N-D

Меня-- N — Систем М(;Про-

П=N15050.

А моде’Юза12 ст с.'ма ’ T