Semiconductor FDB2614

Semiconductor FDB2614
Артикул: 1661942

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor FDB2614

Semiconductor FDB2614 — Описание и характеристики

📋 Описание

FDB2614 — это N-канальный MOSFET (полевой транзистор) с индуцированным каналом, произведённый компанией Fairchild Semiconductor (ныне часть ON Semiconductor / onsemi). Транзистор выполнен по технологии PowerTrench® и предназначен для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, схемах управления двигателями и силовых коммутационных схемах.

Корпус — TO-263AB (D²PAK), предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Отличается низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и высокой коммутационной производительностью.


⚙️ Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Технология | PowerTrench® | | Напряжение сток-исток (VDS) | 60 В | | Ток стока (ID) непрерывный (TC=25°C) | 78 А (по некоторым данным до 80 А) | | Ток стока импульсный (IDM) | ~ 300 А | | Сопротивление открытого канала RDS(on) | 6.5 мОм при VGS = 10 В, ID = 78 А | | | ~8.0 мОм при VGS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.0 – 3.0 В | | Макс. напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 75 нКл (тип.) при VGS=10В | | Входная ёмкость (Ciss) | ~ 4350 пФ | | Выходная ёмкость (Coss) | ~ 620 пФ | | Мощность рассеяния (PD) | 150 Вт (TC = 25°C) | | Рабочая температура перехода | −55 … +175 °C | | Корпус | TO-263AB (D²PAK), 3 вывода | | Монтаж | Поверхностный (SMD) |

⚠️ Точные значения параметров могут незначительно отличаться в зависимости от ревизии даташита. Рекомендуется сверяться с актуальным datasheet от onsemi.


🔢 Парт-номера (Part Numbers)

Основные варианты маркировки и заказа:

  • FDB2614 — базовый парт-номер
  • FDB2614-NL — версия без свинца (Pb-Free), RoHS-совместимая
  • FDB2614_F085 — автомобильная квалификация AEC-Q101 (в некоторых каталогах)
  • Упаковка: FDB2614 поставляется в лентах (tape & reel), обычно по 800 шт. в рулоне
  • Маркировка на корпусе: FDB2614

Также существуют близкие по параметрам аналоги от других производителей (например, IRF3205, IRLZ44N, STP75NF06 — с оговорками по параметрам), но они не являются прямыми заменами без проверки схемы.


🔌 Совместимые модели / применения

FDB2614 применяется в составе устройств и как замена в схемах, где использовались аналогичные MOSFET в корпусе D²PAK. Совместимость с конкретными «моделями» устройств зависит от схемы, но типичные применения:

  • Импульсные блоки питания (SMPS) — синхронные выпрямители, первичные/вторичные ключи
  • DC-DC преобразователи (понижающие/повышающие)
  • Контроллеры электродвигателей (BLDC, коллекторные)
  • Инверторы (в т.ч. автомобильные, 12→220 В)
  • Зарядные устройства и BMS (системы управления батареями)
  • Светодиодные драйверы с ШИМ
  • Схемы защиты и коммутации нагрузки

Потенциальные аналоги/замены (требуют проверки):

  • IRF3205 (55В, 110А, 8 мОм) — близкий, но не идентичный
  • IRFZ44N (55В, 49А, 17.5 мОм) — слабее по току
  • FDP2614 — в корпусе TO-220 (тот же кристалл, другой корпус)
  • FDB2614 ↔ FDB2614-NL — взаимозаменяемы

⚠️ При замене обязательно проверяйте: VDS, RDS(on), Qg, Ciss, тепловой режим и цоколёвку.


📌 Примечание

Бренд Fairchild Semiconductor был поглощён ON Semiconductor (onsemi) в 2016 г. Поэтому актуальную документацию (datasheet) следует искать на сайте onsemi.com под артикулом FDB2614. Часть парт-номеров может быть снята с производства — рекомендуется проверять статус (Active / NRND / Obsolete) у дистрибьюторов (Mouser, Digi-Key, Arrow).

Если нужно — могу помочь составить таблицу сравнения с конкретным аналогом или подобрать замену под вашу схему (укажите напряжение, ток, частоту ШИМ).

Совместимые модели для Semiconductor FDB2614

Semiconductor FDB2614

Парт номера для Semiconductor FDB2614

FDB2614