Semiconductor 2SD525

Semiconductor 2SD525
Артикул: 1664030

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor 2SD525

2SD525 — NPN эпитаксиально-планарный транзистор (Toshiba)

Описание

2SD525 — кремниевый NPN-транзистор средней/большой мощности, разработанный компанией Toshiba для применения в выходных каскадах аудиоусилителей, импульсных схемах и схемах общего назначения. Прибор выполнен в металлическом корпусе TO‑3 (TO‑204AA) и характеризуется высокой граничной частотой и значительным током коллектора. Благодаря хорошей линейности и низкому уровню шумов широко применялся в Hi‑Fi‑аппаратуре 70–80‑х годов, а также в телевизионной и измерительной технике.

Особенность: комплементарная пара — 2SB555 (PNP), часто используется в двухтактных выходных каскадах УМЗЧ.


Технические характеристики (типовые, при T≈25 °C)

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | NPN (кремниевый, эпитаксиально‑планарный) | | Корпус | TO‑3 / TO‑204AA (металл) | | Макс. напряжение коллектор‑эмиттер Vceo | 180 В | | Макс. напряжение коллектор‑база Vcbo | 200 В | | Макс. напряжение эмиттер‑база Vebo | 5 В | | Макс. ток коллектора Ic | 6 А (постоянный) | | Макс. импульсный ток Ic(peak) | 10 А | | Макс. рассеиваемая мощность Pc (Tc=25 °C) | 60–80 Вт* | | Граничная частота fT | ≳ 15–25 МГц (тип. ~20 МГц)** | | Коэффициент усиления hFE | 35…180 (зависит от групп) | | Обратный ток коллектора Icbo | ≤ 100 мкА | | Напряжение насыщения Vce(sat) | ≈ 1 В при Ic = 3 А | | Диапазон рабочих температур | −55…+150 °C |

* Точное значение Pc зависит от температуры корпуса; в разных даташитах указывается 50–80 Вт. ** В ряде источников для 2SD525 заявляется fT порядка 15–20 МГц, что характерно для аналогичных строчно‑выходных и звуковых транзисторов.


Парт‑номера (обозначения / варианты поставки)

  • 2SD525 — базовый партномер Toshiba.
  • 2SD525-O, 2SD525-Y, 2SD525-GR — группы по коэффициенту передачи hFE (обычно O = 35…70, Y = 50…100, GR = 70…180).
  • SD525 — сокращённая маркировка в части каталогов.
  • 2SD525 (O, Y) — обозначение выбора группы в заказах.
  • Вторичные производители (Isahaya, а также поставщики nos/оригинальных складских остатков) маркируют просто «2SD525».
  • Аналог комплементарной пары — 2SB555 (PNP).

Примечание: единого международного стандарта на «партномер с суффиксом» у этого прибора нет; суффиксы у Toshiba традиционно отражают группу hFE.


Совместимые модели и применение

Транзистор 2SD525 либо его комплементарная пара 2SB555 встречается в выходных каскадах:

  • Аудиоусилители Hi‑Fi 70–80‑х (Toshiba, Pioneer, Sansui, Trio/Kenwood, Technics и др.), особенно в аппаратах средней и высокой мощности.
  • Телевизоры — строчная развёртка и кадровые каскады (в составе узлов на 2SD/2SB сериях).
  • Импульсные и стабилизирующие схемы, источники питания радиоаппаратуры.
  • Промышленное и измерительное оборудование соответствующего периода.

Возможные замены / аналоги (не всегда «pin‑to‑pin», проверять даташит):

  • 2SD526, 2SD712 — близкие по классу NPN (проверить Vceo/Ic/корпус).
  • BDY56, BDY57, BDY58 (TO‑3) — мощные NPN, требуют сверки параметров.
  • 2N3055 / MJ2955 — если допустимо меньшее Vceo (60/70 В) иной hFE/частотный диапазон (не полный аналог).
  • MJE13005 и подобные — только если позволяет fT и корпус (обычно не совместимы по цоколёвке).

Для точной замены обязательно сверяйте: Vceo, Ic, Pc, fT, hFE, цоколёвку и тип корпуса.


Цоколёвка (TO‑3)

  • 1 — База
  • 2 — Эмиттер
  • Корпус (фланец) — Коллектор (соединён с корпусом)

Рекомендация

Перед проектированием/ремонтом сверяйтесь с оригинальным datasheet Toshiba 2SD525: значения Pc, fT и hFE у разных выпусков и производителей могут отличаться. При замене в аудиотракте предпочтительно использовать комплементарную пару 2SD525 / 2SB555 (или подобранные по hFE экземпляры).

Совместимые модели для Semiconductor 2SD525

Semiconductor 2SD525

Парт номера для Semiconductor 2SD525

2SD525