Semiconductor 2SD357

Отличный запрос. 2SD357 — это классический мощный биполярный NPN-транзистор, широко использовавшийся в электронной технике 70-80-х годов.

Описание

2SD357 — кремниевый высоковольтный транзистор NPN-типа, выполненный в металлическом корпусе ТО-3 (или его аналогах). Он был разработан для применения в линейных и импульсных схемах, требующих высокого напряжения и значительной рассеиваемой мощности.

Основные сферы применения:

• Выходные каскады строчной развертки (Horizontal Deflection Output) в старых телевизорах и мониторах с ЭЛТ — это его самое известное применение.
• Источники питания (линейные и импульсные).
• Усилители мощности низкой частоты (НЧ).
• Системы управления электродвигателями и прочие силовые ключевые схемы.

Важное примечание: Это устаревший компонент. Его производство давно прекращено, и в новых разработках он не используется. Однако он может потребоваться для ремонта или восстановления винтажной аппаратуры.

Технические характеристики (ТТХ)

Приведены типовые/максимальные значения из даташитов производителей (например, Toshiba, Sanyo). Параметры могут незначительно отличаться в зависимости от производителя.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | NPN | | | Корпус | — | ТО-3 (металлический) | | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CEO | 1500 В (макс.) | | | Напряжение коллектор-база | V_CBO | 1500 В (макс.) | | | Ток коллектора (постоянный) | I_C | 7 А (макс.) | | | Ток коллектора (импульсный) | I_CP | 15 А (макс.) | | | Рассеиваемая мощность коллектора | P_C | 80 Вт (макс.) | При T_c = 25°C | | Коэффициент усиления по току | h_FE | 8 - 40 | V_CE = 5 В, I_C = 3 А | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 0.5 В (макс.) | I_C = 3 А, I_B = 0.6 А | | Время включения | t_on | 1.0 мкс (тип.) | | | Время выключения | t_f | 4.0 мкс (тип.) | | | Рабочая температура перехода | T_j | -65 ... +150 °C | |

Парт-номера (Прямые аналоги и замены)

Транзисторы с абсолютно идентичным номером 2SD357 выпускали многие компании. Это были функционально полные аналоги.

Основные производители:

• Toshiba (чаще всего ассоциируется с этой маркировкой)
• Sanyo (SanKen)
• NEC
• Hitachi
• Matsushita (Panasonic)

Полные аналоги в корпусе ТО-3:

• 2SD358 — очень близкий аналог, часто используется как замена. Имеет схожие, но иногда немного отличные параметры (например, V_CEO может быть 1500В или 1700В в зависимости от производителя). Перед заменой нужно сверяться с даташитом конкретного образца.
• 2SD350, 2SD351, 2SD352, 2SD353, 2SD354, 2SD355, 2SD356 — серия транзисторов с разными комбинациями напряжения и тока, но 2SD357 был одним из самых высоковольтных.
• BU208, BU208A, BU308, BU500, BU508, BU508A — популярные европейские/международные аналоги от Philips (NXP), STMicroelectronics и др. ВАЖНО: Не все из них являются полными аналогами. Например, BU208 имеет V_CEO = 700В. BU508A (1500В, 8А, 125Вт) — одна из самых близких и доступных замен.
• 2SC3684, 2SC3685 (Toshiba) — более современные аналоги.
• MJE8500, MJE8501 (Motorola/ON Semi).

Совместимые модели для замены (Рекомендации)

При поиске замены для 2SD357 в ремонте ключевыми параметрами являются:

1. V_CEO ≥ 1500 В (лучше с запасом).
2. I_C ≥ 7 А.
3. P_C ≥ 80 Вт.
4. Корпус ТО-3 (или его изолированный аналог ТО-3P/ТО-247, но с переделкой крепления и изоляции).
5. Схожая или более высокая скорость переключения (важно для строчных схем).

Наиболее рекомендуемые и доступные замены (часто встречаются на рынке):

1. BU508A или BU508D — вероятно, самый популярный и доступный вариант для замены в схемах строчной развертки. Имеет улучшенные характеристики (например, встроенный демпферный диод у BU508D). Корпус ТО-3P (пластиковый), требует изолирующей прокладки и внимания к монтажу.
2. 2SC3684 / 2SC3685 (Toshiba) — прямые современные аналоги в корпусе ТО-3P.
3. 2SD3500 (Sanyo) — мощный аналог в корпусе ТО-3P.
4. 2SD2498, 2SD2499 — также подходящие варианты.
5. KSE13007 — распространенный и дешевый транзистор, но его параметры (V_CEO=400В) НЕ ПОДХОДЯТ для высоковольтных схем, где использовался 2SD357! Это частая ошибка.

Важное предупреждение: При замене в критичных схемах (особенно в телевизорах) необходимо:

• Проверять не только транзистор, но и всю обвязку (демпфирующие цепи, драйвер).
• Учитывать, что современные транзисторы в пластиковых корпусах (ТО-3P, ТО-247) могут иметь другую емкость и динамические характеристики.
• Обеспечивать качественный тепловой контакт и изоляцию (при использовании корпусов, не изолированных от радиатора).

Для новых разработок следует выбирать современные мощные высоковольтные MOSFET или IGBT-транзисторы, которые эффективнее и проще в управлении.