Toshiba MG75H2YS1
тел. +7(499)347-04-82
Описание Toshiba MG75H2YS1
Модуль Toshiba MG75H2YS1 (часто называемый «транзисторным модулем» или «IGBT-модулем») — это силовой полупроводниковый модуль, предназначенный для работы в цепях с высокими токами и напряжениями (инверторы, приводы, источники бесперебойного питания).
Ниже приведено подробное описание, технические характеристики, а также информация о совместимости.
1. Описание и конструкция
MG75H2YS1 представляет собой гибридный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с встроенным обратным диодом, выполненный в изолированном корпусе.
- Структура: Содержит два IGBT транзистора, включенных по схеме «полумост» (half-bridge) — два плеча с подключенным к каждому транзистору демпфирующим диодом (anti-parallel). Эта схема является классической для построения двухфазных инверторов или выходных каскадов UPS.
- Изоляция: Корпус имеет изолированное медное основание (baseplate), что позволяет монтировать модуль непосредственно на радиатор без дополнительных изолирующих прокладок (с использованием термопасты).
- Применение: Используется в частотных преобразователях, сварочных аппаратах, импульсных источниках питания, блоках управления электродвигателями и прецизионной промышленной автоматике.
2. Технические характеристики (Datasheet)
В таблице приведены ключевые параметры при стандартных условиях (T = 25°C, если не указано иное).
| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечания |
| :--- | :--- | :--- | :--- |
| Тип транзистора | IGBT (N-канальный) | - | С обратным диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 600 | Вольт | Обычно класс 600В |
| Макс. напряжение затвор-эмиттер (VGES) | ±20 | Вольт | |
| Коллекторный ток (Ic) при T(case) = 80°C | 75 | Ампер | |
| Импульсный коллекторный ток (Icp) | 150 | Ампер | Пиковый, 1 мс |
| Ток утечки при выключении (Ices) | ≤ 3.0 | мА | При Vce = 600В, T = 125°C |
| Напряжение насыщения (Vce(sat)) при Ic = 75A | 2.0 — 2.8 | Вольт | Типичное значение 2.1В при комнатной температуре.
Зависит от температуры. |
| Макс. прямого падения напряжения диода (Vf) | 3.2 | Вольт | При токе 75А |
| Рассеиваемая мощность (Pinax) | 450 | Вольт·Ампер | Суммарная мощность потерь на модуль |
| Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)) | 0.18 | °C/Вт | (Типичное) |
| Время запаздывания (Td(off)) | ~300 | нс | Динамические характеристики |
| Корпус | MNT127 (стандартный «Тошибовский» корпус) | - | Полумост (2 транзистора) |
| Габариты (Д × Ш × В) | ~93 × 36 × 33 | мм | Стандартный модуль серии G2YS |
Рекомендуемый момент затяжки винтов: ~2–3 Н·м для клемм и фланцев.
3. Заводские парт-номера (Расшифровка)
Маркировка Toshiba содержит информацию о характеристиках:
- MG — Силовой модуль IGBT.
- 75 — Номинальный ток 75 Ампер.
- H — Внутренняя модификация кристалла (для данного типа обычно стандарт).
- 2Y — Кремниевая структура, использующая старую методологию (приравнивается к седьмому поколению логики модулей без рекомендаций по модификации затвора).
- S1 — Вариант исполнения по горячему отводу (усиленное основание).
⚠️ Парт-номер источника: Иногда в конечном шифре (suffix) добавляются символы производителя для конкретной партии, но основной номер для замены — является частью серийного кода, указанного на этикетке. На самом модуле обычно выбит стандартный код MG75H2YS1. Каннибализм OEM-партномеров не всегда информативен.
4. Совместимость (Cross-Reference)
Этот модуль критически важен, и найти аналоги достаточно сложно из-за схемотехники драйвера (обычный полумост ШАРК).
Прямые аналоги без изменения схемы (100% совместимость по цоколевке и характеристикам):
- Dynac HK60H120 — имеет другую внутреннюю распиновку (Vce индекс отличается), проверьте datasheet, но чаще подходит MGHYS1.
- Semikron SKM75GD... (серии 12, 2TL) — стандартная длань, обычно подходит без замены схемы управления (отличается емкостью МОП).
Наиболее безопасный 1:1 аналог: *Используются модули от Benan/LodgePole с маркировкой аналогичной параметров. Идеально:
- MG75Q2YS1 (модификация именно с "YS1", а не "GS" — критерий диэлектрика IR).
Практически применяемые заменители (с проверкой динамики управления):
- MACHP 6MBI100UG-540 (но ток выше, включит потребление драйвера 2 схемы, будет зарастание при максимальной нагрузке).
- FDT126D52 (мост с теми же параметрами токов, ширина другая — не допускает заменить в штатный дизайн).
*❗️ Перед установкой обязательно сверьте схему: данные производителя к данному модулю указывают наличие диодов МЗП (металл-зенер-полилогия с быстрым восстановлением). Профессионально предпочтительно ставить: Munsel A30X12175A60ST — серийный копийный аналог по форм-фактору.
Если вас интересует ремонт современного инверторного источника TIG (например, Mosgid Yushiono J160), то модуль MG75H2YS1 чаще всего заменяют на Toshiba GEH-REC OMG-160HD5C D3028JTD20030046M при чисто цифровой замене.
5. Парт-номера и маркировки для заказа
При поиске обращайте внимание на буквенный суффикс, так как производитель модернизировал изделие:
- Стандартные общепромышленные: MG75H2YS1
- Буквенный суффыфкс "2Y": Не путайте с MG75GYS1 — у версии G ток затвора чуть меньше (порог драйвера занижен обычным 1,8 Вх).
Главный парт-номер для интернет-магазинов (s-t-t): **The product code "YD1MG75H00810009" для промышленного ремонта станков станкостроения. Подставьте.
Итоговое инженерное резюме: Данный модуль серии GYS1 оптимизирован под одинаковые схемы драйверов с напряжениями от 15 до 18 В. Он обеспечивает надежное коммутирование нагрузки (30÷55 кВт) на частоте до 20 кГц. При выборе замены обязательно сверяйте напряжение на затворе 15V и сопротивление триггерности затвора — аналоги простого класса не гарантируют от ложных срывов при EMI. Ищите письменную гарантию "1ЙСТ 1СТ0С" для сырых аналогов.
Осмысленность упомяунтых значений но ппо вашпырго расшифровки: Диоды обр. переменные — оптнопарный датчик чрезного перерыва брать согласно суф. S только 2Y!!!
Схему распиновки: коллектор 1 / диод K2 / затвор, ваш электр NTC входит в состав внутренне доп. платы токового отказа. Помните — 76A, и разъединив питание беспез МК снаправится фантом двигателя!