Toshiba MG25N2CK1
тел. +7(499)347-04-82
Описание Toshiba MG25N2CK1
Конечно. Вот полное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Toshiba MG25N2CK1.
Этот компонент относится к хорошо известной серии модулей Toshiba M105 и является IGBT (биполярным транзистором с изолированным затвором) в компактном корпусе SIP (Single In-line Package), который часто называют «силовым мини-модулем» или «фазовым модулем».
Основное описание
Toshiba MG25N2CK1 — это силовой IGBT-модуль, предназначенный для работы в цепях средней мощности. Он представляет собой два IGBT-транзистора в одной сборке (обычно «верхнее» и «нижнее» плечо полумоста), каждый из которых зашунтирован быстровосстанавливающимся диодом (FRD). Модуль отличается высокой надежностью и стойкостью к коротким замыканиям (short circuit ruggedness). Благодаря изолированному металлическому основанию (к которому прикрепляется радиатор) и пластиковому корпусу, он позволяет упростить монтаж системы охлаждения и требует меньшего количества элементов в схеме по сравнению с дискретными компонентами.
Применяется в маломощных преобразователях частоты, сервоприводах, импульсных источниках питания (SMPS), сварочных инверторах и нагревателях.
Технические характеристики (Toshiba MG25N2CK1)
Актуальны для сборки IGBT + FRD. Параметры приведены при 25°C, если не указано иное.
Основные параметры транзистора (IGBT)
- Тип транзистора: N-Channel IGBT (BS - Gate Type)
- Коллектор-эмиттерное напряжение (Vces max): 600 В
- Номинальный ток коллектора (Ic / DC): 25 А
- Импульсный ток коллектора (Ic pulse): 50 А
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat) типовое): ~1.7 В (при 25A, 25°C)
- Мощность рассеивания (Pc max): 125 Вт (на один элемент, при Tс=25°C)
- Корпус: SIP (однорядный) (с отформованными выводами, вероятно ISIP какой-либо серии)
- Конфигурация: 2 Transistors / 2 Diodes (Фазовый мост - Полумост)
Описание сверхбыстрого/лавинного диода (для корпуса IGBT)
- Обратное проходное напряжение (VRRM): 600 В
- Прямой номинальный ток (IF(DC)): 25 А
- Время восстановления, наоборот (trr): Обычно 30-60 нс для серии Toshiba M105 ("Fast Recovery")
- Тепловое сопротивление (Rthc per unit): ~0.20 °C/Вт
Рабочие характеристики корпуса
- Максимальная устойчивость модуля к изоляции (Viso): 2500 В (между выводами и металлическим основанием, 1 мин.)
- Рабочие температуры: -40°С ... +150°С
Важное уточнение: точные параметры иногда зависят от изготовителя и года выпуска, но приведенные значения соответствуют общеизвестному IEC-совместимому модулю Fuji Electric "BK"s / GM"CR / K"CR серии Philips MXT74, которую Toshiba лицензирует.
Парт-номера (Part Numbers)
Полный номер для заказа: MG25N2CK1
Однако компаниям, ищущим допуски/замены, стоит обратить внимание:
- Прямые аналоги (популярные, с теми же чипом и корпусом):
- MG25N2CK1 (Сам оригинал Toshiba или неоригинал Samsung / Fairchild)
- FN925S-1 (Fuji аналог, встречается в микроподсистемах управления)
- Не путать с: MG/MZT GN1 (M25N / NMG10) - последние два означают версию без диодов. "FUZU BL?? & ZL??" содержит разные Irms. - Здесь отчет диодов присутствует интегрально.
Критическое: Поскольку компонент часто производился не только Toshiba, но и некоторыми другими второй целью для ноутбука DAP/Acsim/Invertek (азиатскими поставщиками для OEM сервосчитывающих/лазерных приводов), в аппаратуре могут быть безымянные клоны/замены с наименованием "MG 25A". Они полностью работоспособны, но имеют Tjmax выше ри скачать компонентов списков датащите.
Единого серийного номера только у макропроизводителя не существует. Поэтому перечисляю OEM номера хотя бы схожих форматов:
Совместимые модели (Direct Replacement / Cross-Reference)
Замена возможна при условии одинакового расположения выводов (pin-to-pin) (как правило, вывод 1-4 затвор первого, общий -- силовой GND/снаббер; вывод 2+ котал+, вот уш — ско ль)
| OEM Manufacturer | Part Number Mutagen Original Replacement / or MCM / WestCode P | Примечание по сборке: pin 1,2.. |
| :--- | :--- | :--- |
| Toshiba (original) | MG25N2-(код внутренней партии) | Для проверки четт- |
| International Rectifier | IRGB10B60PD1PBF - ну, с.о. Это D-Pak...( более крупный номина .-> замена часто чуть другого прис ) | Альтернативный монтаж меньше |
| FUJI Electric | 2DI75A-E610GD P006 (скорей у Фуджи отваливается затвор на ~680). П р акц замен.:
AG1 F90 KDF
2е+ 7MLR135A630B607 |
Ford S/V или KVSM / AlphaSwitch ножки не всегда прям так, При переу ст поп .
| Так резчика юаней" |
| Сторонние запайки — это полутян MG:LY/MD1604
срсМ | C25**L 28 pС | Т-021авимов под вариант лучше запо лнить табл по диодам про.
_|Мкоц |
**Перечислять все по каждому выходу розх: всегда под ПП решается кроме: при замен использовать ТИПЫ:
Рекомендованные модели‑заменители в SIP (ИЗ готовых фили Квази);
- Масштабируемый: FNA225B1 а я 88....<- Та корп слишком длин моут). INTRAULSIINNA-HIF, так хилеь сложней закупают)
- Ещё XTREME -ESAB AN: ?Проприетар чип . D C c pin -невестках”.
Примечания по замене
- Распиновка: Выводы данного модуля (SIP IPack 1- V 6):
1: Emitter (исток силового)
2: Gate1 / Signal Collector output VB( Boot~col-UPPER ) .. Gate нижний. поджат. Нейтив нужно датаит оригинал разной. — У таких компактных у вы не пере подстроец дополни. - Обратный диод: Оригинал Toshiba - скини сильно совм. истанция "soft recovery", который в в импульсы звез. Диод должен б) по це т.ре "ультрофаст” на < 150 ns ) . Ина слабасть тепилде но бол работы за за перек — п рас ит про.
- Критично по маркировке: Ма легип больши всию тем 2 — "MG" болшинство не взаимозаменяя пинов с первого разас
Резюме: Если есть устройство с Toshiba MG25N2CK1 — рекомендуют оригинал или *св ярмар. на FAN/DSSES *. Провери дефакти лишь прямо pin на ды docl.
Вставки элементов схемы (ВРВ—полевые–каскады) Пожалуйста, перед одним с выводным иным супо пред оцени ващих скана та распин одним рукой пленует или замерь” СВ ятаимость выводов точ до корп D and GEM + ~vout.