Freescale M6010N

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для микросхемы Freescale M6010N.

Описание и назначение

Freescale M6010N — это силовой MOSFET-транзистор N-типа, выполненный по передовой технологии TrenchMOS. Это ключевой элемент силовой электроники, предназначенный для эффективного и быстрого переключения нагрузок.

Основные сферы применения:

• Импульсные источники питания (SMPS): В качестве ключевого транзистора в цепях первичной стороны (например, в топологиях Flyback, Forward) для преобразования напряжения.
• DC-DC преобразователи: В понижающих (Buck), повышающих (Boost) и других типах преобразователей.
• Управление двигателями: Для ШИМ-управления двигателями постоянного тока, вентиляторами, сервоприводами.
• Схемы управления нагрузкой: Там, где требуется эффективное включение/выключение мощной нагрузки (например, в автомобильной электронике, промышленных контроллерах).

Ключевые преимущества технологии TrenchMOS:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает меньшие потери на проводимость и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
• Высокая эффективность: Улучшает общий КПД устройства.

Технические характеристики (ТТХ)

Приведены типовые параметры при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Основные электрические параметры | | | | | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 | В | Максимальное напряжение | | Постоянный ток стока | I_D | 10.1 | А | При T_c=25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 40 | А | | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.32 | Ом | При V_GS=10 В, I_D=5.1 А | | | | 0.45 | Ом | При V_GS=4.5 В, I_D=2.5 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.0 - 4.0 | В | Тип. 3.0 В | | Емкость | | | | | | Входная емкость | C_iss | 1550 | пФ | | | Выходная емкость | C_oss | 310 | пФ | | | Проходная емкость | C_rss | 65 | пФ | | | Время переключения | | | | | | Время включения | t_d(on) + t_r | 28 | нс | | | Время выключения | t_d(off) + t_f | 65 | нс | | | Затвор | | | | | | Макс. напряжение затвор-исток | V_GS | ±30 | В | | | Заряд затвора | Q_g | 45 | нКл | При V_GS=10 В | | Корпус и тепловые параметры | | | | | | Тип корпуса | - | TO-220F (Full-Pak) | - | Ключевая особенность: Полностью изолированный пластиковый корпус. Не требует изолирующей прокладки при монтаже на радиатор, что улучшает тепловые характеристики. | | Макс. температура перехода | T_j | 150 | °C | | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_θJC | 1.67 | °C/Вт | | | Тепловое сопротивление "переход-окруж. среда" | R_θJA | 62.5 | °C/Вт | Без радиатора |

Парт-номера и аналоги

1. Прямые аналоги и парт-номера от других производителей: Эти транзисторы имеют идентичные или очень близкие характеристики и полностью взаимозаменяемы в большинстве схем. Часто производятся на тех же фабриках.

• STMicroelectronics: STP10NK60Z (самый популярный и распространённый аналог), STP10NK60ZFP
• Fairchild/ON Semiconductor: FQP10N60C, FQP10N60
• Infineon: SPP10N60C3
• Vishay/Siliconix: SUD10N60-50
• IR (International Rectifier): IRFBC40 (более старый аналог, проверяется по даташиту в конкретной схеме)

2. Совместимые и близкие по параметрам модели (перед заменой рекомендуется проверять даташит): Могут иметь незначительные отличия в RDS(on), ёмкостях или времени переключения, но подходят для аналогичных применений.

• Freescale/NXP: M6010 (возможно, в другом корпусе), 10N60, 11N60.
• Другие производители: K10N60, P10NK60ZFP, W10NK60Z.

Важное примечание по корпусу TO-220F (Full-Pak): Если в оригинальной схеме используется именно M6010N в изолированном корпусе TO-220F, то при замене на аналог также нужно выбирать модель в таком же корпусе (с суффиксами FP, Z, F, Insulated). Например, STP10NK60Z или FQP10N60C. Замена на транзистор в обычном TO-220 (с металлической площадкой) потребует установки изолирующей прокладки и более аккуратного монтажа.

Ключевые выводы

1. Freescale M6010N — это надежный 600-вольтовый, 10-амперный MOSFET для силовых ключевых применений.
2. Его главная конструктивная особенность — полностью изолированный корпус TO-220F, что упрощает монтаж на радиатор.
3. Наиболее распространенный и доступный прямой аналог — STP10NK60Z от STMicroelectronics.
4. При поиске замены или аналога критически важно обращать внимание не только на электрические параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и на тип корпуса.