Freescale MD7IC2250GNR1

Freescale MD7IC2250GNR1
Артикул: 405241

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Freescale MD7IC2250GNR1

Конечно, вот подробное описание микросхемы Freescale MD7IC2250GNR1.

Внимание: Компания Freescale была поглощена NXP Semiconductors в 2015 году, поэтому это продукт NXP.


Описание

Freescale (NXP) MD7IC2250GNR1 — это интегральная схема, представляющая собой высокочастотный мощный транзистор LDMOS, выполненный в пластиковом корпусе.

  • Основное назначение: Усиление радиочастотных сигналов в конечных каскадах передатчиков.
  • Ключевые особенности:
    • Высокая выходная мощность: Предназначен для работы на уровнях мощности до 250 Вт.
    • Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает значительное усиление сигнала, что позволяет сократить количество каскадов усиления в оборудовании.
    • Широкая полоса частот: Оптимизирован для работы в частотном диапазоне, типичном для сотовой инфраструктуры.
    • Технология LDMOS: (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) — это передовая технология, обеспечивающая высокую линейность, эффективность и надежность, что критически важно для современного телекоммуникационного оборудования.
  • Типичные области применения:
    • Усилители мощности для базовых станций сотовой связи (3G, 4G/LTE).
    • Промышленные системы связи.
    • Оборудование для широкополосной беспроводной связи.

Технические характеристики (кратко)

  • Частотный диапазон: Оптимизирован для работы в диапазонах 1800 – 2200 МГц (например, GSM1800, PCS1900, UMTS2100).
  • Выходная мощность (P3dB): ~250 Вт (максимальная, зависит от режима и частоты).
  • Коэффициент усиления (Gps): ~17 дБ (типичное значение на частоте ~2.1 ГГц).
  • КПД (Drain Efficiency): ~40% (типичное значение).
  • Рабочее напряжение (VDD): 28 В / 32 В (стандартное напряжение для усилителей мощности сотовой инфраструктуры).
  • Класс усиления: Класс AB (обеспечивает хороший баланс между эффективностью и линейностью).
  • Корпус: Air-Cavity CP-4 — керамино-пластиковый корпус с воздушной полостью, предназначенный для эффективного отвода тепла и обеспечения стабильных ВЧ-характеристик.
  • Полярность: N-канальный.

Парт-номера и совместимые модели

Это одна из самых важных частей, так как данный компонент часто требует замены или имеет альтернативы.

1. Прямые аналоги и парт-номера от NXP (внутренняя нуместрация)

Это полные или очень близкие аналоги, которые могут иметь незначительные различия в тестах или маркировке, но функционально и по разведке печатной платы идентичны.

  • AFIC2250GN
  • MD7IC2250GN (без "R1", может обозначать ревизию)
  • PMB8855 (внутренний или устаревший код)

2. Функционально совместимые аналоги от NXP

Это транзисторы того же поколения и мощности, которые могут быть использованы в аналогичных схемах, иногда с небольшой подстройкой или являясь прямой заменой следующего/предыдущего поколения.

  • AFIC2250GNR1 (прямой аналог, часто используется как парт-номер)
  • MRF8P23080HR3 / MRF8P23080HR6 (устройства от NXP схожей мощности, но всегда нужно сверять datasheet и pinout)
  • MRF7S23080NR1 (менее мощный, ~120Вт, но из той же линейки)
  • AFT27S230GN (устройство от NXP для схожих применений)

3. Аналоги от других производителей (вторичный рынок / альтернативы)

Важные аналоги, которые часто используются как прямые или проверенные замены. Внимание: Всегда требуется проверка datasheet на соответствие по распиновке, смещениям и ВЧ-характеристикам.

  • STMicroelectronics: В прошлом предлагали аналоги, но в сегменте LDMOS для базовых станций сейчас лидируют NXP и Ampleon.
  • Ampleon: (бывшее подразделение RF Power компании NXP, выделенное в отдельную компанию). Многие старые разработки NXP теперь производятся и продаются под брендом Ampleon. Рекомендуется искать аналоги на их сайте.
    • BLF8G22-250 (очень близкий аналог по мощности и частоте от Ampleon)
  • Wolfspeed (Cree): Предлагают транзисторы на основе технологии GaN-SiC, которые могут быть заменой в новых разработках благодаря более высокой эффективности, но требуют переработки схемы.
    • CGH31240F (GaN HEMT транзистор, ~240Вт, для схожего диапазона)

Важное примечание: При замене микросхемы MD7IC2250GNR1 крайне важно:

  1. Свериться с официальным datasheet от NXP/Ampleon.
  2. Проверить распиновку (pinout) и механические размеры корпуса.
  3. Убедиться в совместимости по рабочему напряжению, току смещения и ВЧ-характеристикам для вашей конкретной платы.
  4. Учитывать, что для монтажа таких компонентов требуется профессиональное оборудование (паяльная станция с термофеном) и соблюдение строгого температурного профиля.

Товары из этой же категории