Freescale MMZ09312BT1

Конечно, вот подробное описание компонента Freescale MMZ09312BT1, собранное из доступных технических данных.

Описание

Freescale MMZ09312BT1 — это высокочастотный транзистор, выполненный по технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor). Данный компонент разработан компанией Freescale Semiconductor (ныне NXP Semiconductors) и оптимизирован для работы в усилителях мощности в диапазоне частот от 400 МГц до 1000 МГц (1 ГГц).

Ключевые особенности:

• Технология LDMOS: Обеспечивает высокую линейность, повышенную устойчивость к перегрузкам по КСВ (коэффициент стоячей волны) и хорошую тепловую стабильность.
• Назначение: Предназначен для использования в выходных каскадах усилителей мощности в профессиональном мобильном радиосвязном оборудовании (например, ретрансляторы, базовые станции), а также в системах наземной мобильной связи (LAND MOBILE).
• Корпус: Выполнен в прочном и надежном корпусе SOT-1229 (также известном как "Air Cavity Package"), который обеспечивает эффективный отвод тепла и низкие паразитные индуктивности, что критично для работы на высоких частотах.
• Внутренняя структура: Внутри корпуса находится два согласованных транзистора N-канального типа, что упрощает проектирование двухтактных схем или схем с раздельным питанием.

Этот транзистор является ключевым компонентом для построения мощных и надежных ВЧ-усилителей.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Freescale Semiconductor (ныне NXP) | | | Тип прибора | LDMOS FET, N-канальный | | | Корпус | SOT-1229 (3-выводной, "Air Cavity") | | | Диапазон частот | 400 - 1000 МГц | Оптимизирован для работы в этом диапазоне | | Выходная мощность (Pout) | 12 Вт | Тип. при 28 В, 860 МГц | | Коэффициент усиления (Gain) | 16.5 дБ | Тип. при 28 В, 860 МГц | | КПД (Drain Efficiency) | 38 % | Тип. при 28 В, 860 МГц | | Напряжение стока (Vd) | 28 В | Номинальное рабочее напряжение | | Напряжение затвора (Vg) | 4.0 В (макс.) | Важно: Максимальное напряжение, требует схемы смещения | | Ток стока (Idq) | 150 мА | Ток покоя (Quiescent Current) | | Линейность (IMD3) | -38 дБн | Тип. для двух сигналов по 5 Вт каждый | | КСВ (VSWR) | Высокая устойчивость | Способен выдерживать несоответствие нагрузки 10:1 | | Температура хранения (Tstg) | от -65 °C до +150 °C | | | Температура перехода (Tj) | +200 °C (макс.) | |

Парт-номера и совместимые модели

Поскольку Freescale была поглощена компанией NXP, а также из-за практики вторичного рынка, этот компонент может встречаться под разными номерами.

Прямые аналоги и парт-номера:

• MMZ09312BT1 — оригинальный полный номер от Freescale.
• MMZ09312B — может использоваться как сокращенное обозначение.
• NXP MMZ09312BT1 — актуальное обозначение после перехода под бренд NXP.

Совместимые / Альтернативные модели (от NXP / Freescale):

Эти транзисторы имеют схожие характеристики (мощность, частотный диапазон, корпус) и могут быть использованы в аналогичных или модернизированных схемах. Внимание: При замене всегда требуется проверять datasheet и, возможно, корректировать схему смещения!

• MRF6V2010NR3 / MRF6V2010N — Транзистор LDMOS на 28В, 12.5Вт, 200-1000 МГц. Более новая и распространенная модель, часто используется как альтернатива.
• MRF6V12250HR3 / MRF6V12250H — Модель на 12.5Вт, оптимизированная для диапазона 800-1000 МГц.
• MRF6V12500HR3 / MRF6V12500H — Модель на 12.5Вт для диапазона 500-1000 МГц.
• A2T09S160-01NR3 — Модель от NXP (ранее Freescale) с похожими характеристиками.

Прямые аналоги от других производителей:

Найти прямого клона от других производителей с точно таким же номером сложно, однако существуют функционально совместимые LDMOS транзисторы от компаний:

• STMicroelectronics (например, серия STD)
• Ampleon (компания, выделившаяся из NXP, специализируется на ВЧ-мощности)
• Microsemi / MACOM

Важное примечание: Перед заменой на любую другую модель обязательно необходимо свериться с техническим описанием (datasheet) обоих компонентов и убедиться в совместимости по напряжению смещения, току, монтажным размерам и ВЧ-характеристикам в вашей конкретной схеме.