Freescale MRF5S19060NBR1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для Freescale (NXP) MRF5S19060NBR1.

Описание

MRF5S19060NBR1 — это мощный LDMOS-транзистор для базовых станций сотовой связи, разработанный компанией Freescale (ныне NXP Semiconductors). Он предназначен для работы в конечных каскадах усиления (PA - Power Amplifier) в частотном диапазоне 1930-1990 МГц, что соответствует сегментам PCS (Personal Communications Service), UMTS (3G) и LTE (4G).

Ключевые особенности:

• Высокая выходная мощность: Позволяет создавать усилители с высокой плотностью мощности.
• Высокий коэффициент усиления: Упрощает проектирование каскада и снижает требования к предварительным каскадам.
• Высокая линейность (EVM, ACPR): Критически важна для современных цифровых модуляций (W-CDMA, LTE), обеспечивает качество сигнала и соответствие стандартам.
• Внутренняя согласованность по входу/выходу: Упрощает разработку, сокращая количество внешних компонентов для согласования.
• Поверхностный монтаж (пакет NI-1230-4): Обеспечивает эффективный отвод тепла через корпус и удобство для автоматизированной сборки.
• Интегрированная защита от статического электричества (ESD): Повышает надежность.

Типичное применение:

• Финальные каскады усилителей мощности в базовых станциях 3G (UMTS/W-CDMA) и 4G (LTE).
• Повторители (репитеры) и активные антенные системы (AAS).
• Оборудование для PCS-диапазона.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Freescale Semiconductor (ныне NXP) | — | | Тип прибора | N-канальный LDMOS FET | — | | Диапазон частот | 1930 - 1990 МГц | Оптимизирован для PCS | | Выходная мощность (Pout) | 60 Вт (средняя) | В режиме W-CDMA (пиковая мощность значительно выше) | | Коэффициент усиления (Gain) | 17.0 дБ (тип.) | При Pout=60 Вт, 1960 МГц | | КПД (Efficiency) | > 40% (тип.) | КПД коллектора (Drain Efficiency) при Pout=60 Вт | | Линейность (ACPR) | < -50 дБc (тип.) | Adjacent Channel Power Ratio (смежные каналы ±5 МГц) для W-CDMA | | Напряжение питания (Vdd) | 28 В / 32 В | Типичное рабочее напряжение | | Класс усиления | Класс AB | Оптимальное сочетание КПД и линейности | | Сопротивление канала (Rds(on)) | ~ 20 мОм | Низкое сопротивление в открытом состоянии | | Ток покоя (Idq) | 1200 мА (тип.) | Настраиваемый параметр для оптимизации | | Тепловое сопротивление (Rth) | 0.35 °C/Вт | Корпус к радиатору (Case-to-Sink) | | Корпус | NI-1230-4 (Air Cavity) | Керамический, поверхностного монтажа, с золотыми выводами | | Монтаж | Рекомендуется пайка оплавлением | — |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот транзистор является частью большого семейства. Совместимость зависит от требований по мощности и частотному диапазону.

Прямые аналоги и варианты в том же корпусе/семействе:

• MRF5S19060N — Базовая модель, от которой отличается суффикс "BR1" (скорее всего, указывает на упаковку/рулон или ревизию).
• MRF5S19060NBSR1 — Может отличаться типом упаковки (лента/рулон).
• MRF5S19060NBR2 / MRF5S19060NBSR2 — Более поздние ревизии или производственные версии.

Совместимые модели для других частотных диапазонов (аналогичные по мощности и корпусу):

• Для диапазона 1805-1880 МГц (DCS, LTE Band 3):
  • MRF5S18140NBR1 (140 Вт)
  • MRF5S18117NBR1 (115 Вт)
  • MRF5S18100NBR1 (100 Вт)
• Для диапазона 2110-2170 МГц (UMTS, LTE Band 1):
  • MRF5S21170HBR1 (170 Вт)
  • MRF5S21140HBR1 (140 Вт)
  • MRF5S21100HBR1 (100 Вт)
• Для диапазона 2300-2400 МГц (LTE Band 40, TDD):
  • MRF5S23100HBR1 (100 Вт)
• Для диапазона 2600-2690 МГц (LTE Band 7, FDD):
  • MRF6S23100HBR1 (100 Вт) — уже из более нового семейства MRF6S.

Кросс-производители (функционально аналогичные):

• Ampleon (ранее часть NXP): Модели серий BLF6G22LS, BLF7G22LS.
• Wolfspeed (Cree): Модели серии CGHV.
• MACOM: Модели серии MHT.
• Integra Technologies: Модели серии IP.
• STMicroelectronics: Модели серии STAP.

Важное примечание: Несмотря на функциональную схожесть, прямой pin-to-pin замены между производителями обычно нет. Каждая модель требует своей, уникальной разводки печатной платы (layout) и цепи смещения (bias circuit). Замена возможна только после полного перерасчета и тестирования ВЧ-тракта.

Рекомендации по применению

1. Теплоотвод: Из-за высокой рассеиваемой мощности обязательно использование массивного радиатора с качественной термопастой. Монтажная площадка на PCB должна соответствовать рекомендациям даташита.
2. Цепи смещения: Требуют стабильного и хорошо фильтрованного источника питания. Последовательность подачи смещения (Gate before Drain) критична для защиты транзистора.
3. ВЧ-разводка: Необходимо строго следовать рекомендациям производителя по топологии печатной платы (длины линий, переходные отверстия, экранировка) для достижения заявленных характеристик.
4. Источник: Для получения самой актуальной и детальной информации, включая принципиальные схемы и данные для моделирования, всегда обращайтесь к официальному даташиту (Data Sheet) на сайте NXP.