Freescale MRF5S9080N

Отличный выбор! Freescale MRF5S9080N — это мощный LDMOS-транзистор для усиления радиочастотного сигнала, широко применявшийся в профессиональном и базовом оборудовании сотовой связи.

В 2015 году компания Freescale была приобретена NXP Semiconductors, поэтому сейчас этот компонент относится к портфолио NXP.

Описание

MRF5S9080N — это транзистор N-канального типа, выполненный по передовой для своего времени LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) технологии. Она обеспечивает высокую выходную мощность, хорошую линейность и надежность.

Основное назначение: Усиление радиочастотного сигнала в финальных (выходных) каскадах передатчиков базовых станций сотовой связи стандартов GSM, DCS, PCS (диапазоны 1800-1900 МГц), а также в других приложениях, работающих в диапазоне около 2 ГГц (например, некоторые системы беспроводного доступа).

Ключевые особенности:

• Работа в частотном диапазоне 1800 – 2000 МГц.
• Очень высокая выходная мощность (до 80 Вт в режиме P1dB).
• Высокий коэффициент усиления мощности.
• Внутренняя согласованность по входу и выходу для упрощения проектирования.
• Золотая металлизация для повышенной надежности.
• Керамический фланцевый корпус с изолированным истоком (пакет NI-780S-4), что упрощает монтаж на радиатор (не требуется изолирующая прокладка).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 1800 – 2000 МГц | Оптимизирован для ~1900 МГц | | Класс работы | AB (типично для линейного усиления) | | | Выходная мощность (P1dB) | 80 Вт (49 дБм) мин. | Точка 1 дБ компрессии | | Выходная мощность (P3dB) | 90 Вт (49.5 дБм) мин. | | | Коэффициент усиления (Gps) | 15.5 дБ мин. | При Pout = 15 Вт, 1960 МГц | | КПД (Drain Efficiency) | 50% мин. | При Pout = 15 Вт, 1960 МГц | | Напряжение питания (Vdd) | 28 В (постоянный ток) | Типичное значение | | Линейность (IMD3) | -33 дБн | Два тона, Pout = 15 Вт/канал | | Тип корпуса | NI-780S-4 (Flanged Ceramic) | Изолированный исток |

Примечание: Все параметры гарантируются при температуре корпуса 25°C.

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Это одна из самых популярных линеек транзисторов для своего сегмента. Существует несколько версий с разной выходной мощностью в одном и том же форм-факторе и с похожими электрическими характеристиками, что часто позволяет использовать их в одних и тех же посадочных местах (с корректировкой схемы смещения и управления).

1. Прямые аналоги и модификации от NXP/Freescale:

Эти транзисторы имеют идентичный или очень похожий корпус и схему подключения, часто являются прямыми заменами с разницей в мощности или оптимизации под диапазон.

• MRF5S9070N — младшая модель, 70 Вт выходной мощности.
• MRF5S9045N — модель на 45 Вт.
• MRF5S9046N — модель на 45 Вт (отличается внутренней топологией).
• MRF5S9100N / MRF5S9100NR3 — более мощная модель на 100 Вт.
• MRF5S19100N / MRF5S19100NR3 — 100-ваттная модель, оптимизированная для диапазона 1930-1990 МГц.

2. Совместимые / Конкурирующие модели от других производителей:

Следующие модели от других ведущих производителей RF-мощности являются функциональными аналогами и могут использоваться в схожих схемах (но требуют обязательной проверки datasheet и, возможно, подстройки схемы!).

• Ampleon (ранее RF Power подразделение NXP):
  • BLF6G20-10 (90 Вт), BLF6G20-45 (45 Вт), BLF6G20-70 (70 Вт) — прямые наследники технологии, часто имеют улучшенные параметры.
• Macom (ранее Nitronex, приобрела часть бизнеса у Infineon):
  • NPTB00004 (80 Вт), NPTB00004A — транзисторы на основе GaN/Si, более современные, но часто с совместимым напряжением питания и корпусом.
  • Ранее производились LDMOS-аналоги в похожих корпусах (серии MHT/MRF).
• STMicroelectronics:
  • Ранее предлагали LDMOS-транзисторы для схожих применений (серии STD/LD), но в последние годы сместили фокус.
• Wolfspeed (Cree):
  • CGH31240F (120 Вт, GaN/SiC) — намного более современный и мощный GaN-транзистор. Не является прямой заменой по постоянному току, но может использоваться в аналогичных по частотному диапазону и мощности передатчиках при полной переразводке платы.

3. Важное примечание по замене:

При замене MRF5S9080N на другую модель необходимо учитывать:

1. Распиновка и корпус (механическая совместимость).
2. Напряжение смещения затвора (Vgs) и ток смещения — они могут отличаться.
3. Внутренняя импедансная matching-сеть — хотя корпус стандартный, внутренняя топология может меняться, что повлияет на внешние согласующие цепи.
4. Рекомендуемая рабочая точка (bias) для требуемого класса усиления.

Рекомендация: Всегда используйте актуальный официальный datasheet от производителя (NXP, Ampleon, Macom и т.д.) для выбора аналога и перерасчета схемы. MRF5S9080N — классический, проверенный транзистор, но современные аналоги (особенно на GaN) могут предлагать лучшую эффективность, полосу пропускания и линейность.