Freescale MRF6S21050LR3

Freescale MRF6S21050LR3
Артикул: 406603

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Freescale MRF6S21050LR3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Freescale (NXP) MRF6S21050LR3.

Описание

MRF6S21050LR3 — это мощный полевой транзистор на основе арсенида галлия (GaAs), выполненный по технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor). Он разработан специально для использования в выходных каскадах усилителей мощности в профессиональном радиосвязном оборудовании, работающем в частотном диапазоне от 860 МГц до 960 МГц.

Ключевое назначение: Применение в базовых станциях сотовой связи стандартов GSM900, EGSM, CDMA850 и других системах, работающих в этом частотном диапазоне.

Основные особенности:

  • Высокая линейная мощность: Предназначен для работы в режиме линейного усиления (класс AB), что критично для современных цифровых модуляций с переменной огибающей.
  • Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает хорошее усиление сигнала, уменьшая количество каскадов в усилителе.
  • Внутренняя согласованность: Устройство оптимизировано для работы в цепи 50 Ом, что упрощает проектирование выходного каскада.
  • Высокий КПД: Способствует снижению энергопотребления и тепловыделения в базовой станции.
  • Прочный дизайн: Устойчив к несоответствию нагрузок (высокий КСВ), что важно в реальных условиях эксплуатации.
  • Корпус: Выполнен в воздушном керамическом корпусе R3, предназначенном для микрополоскового монтажа и обеспечивающем хороший теплоотвод.

Технические характеристики (основные)

  • Производитель: Изначально Freescale, сейчас NXP Semiconductors.
  • Тип транзистора: N-канальный LDMOS FET.
  • Диапазон частот: 860 - 960 МГц.
  • Рабочий класс: Класс AB (линейное усиление).
  • Выходная мощность (Pout):
    • 210 Вт (пиковая) при типичных условиях тестирования.
    • 150 Вт средняя мощность в типичном рабочем режиме для сигналов с высоким коэффициентом пир (PAR), например, W-CDMA/CDMA.
  • Коэффициент усиления (Gain):
    • 17.5 дБ (тип., при Pout=150W, 900 МГц).
  • КПД (Drain Efficiency):
    • > 45% (тип., при Pout=150W, 900 МГц).
  • Линейность (IMD3):
    • -35 дБн (тип., при Pout=150W, Δf=1MHz, 900 МГц).
  • Напряжение питания (Vdd):
    • 28 В (номинальное, постоянный ток стока).
  • Напряжение отсечки (Gate-Source):
    • Обычно требуется отрицательное смещение для класса AB (например, -2...-4 В).
  • Термическое сопротивление (Rth):
    • 0.3 °C/Вт (переход-фланец), что указывает на хорошую способность к рассеиванию тепла.
  • Корпус: R3 (SOT-1190A) - Керамический, с золотым покрытием, 4 вывода (2 стока, затвор, исток).

Парт-номера и прямые аналоги

Поскольку компания Freescale была поглощена NXP, а производство таких компонентов часто передается или имеет двойные номенклатуры, важно учитывать следующие парт-номера:

  1. Основной номер NXP: MRF6S21050LR3 остается основным коммерческим номером.
  2. Альтернативные/устаревшие обозначения от Freescale/NXP:
    • MRF6S21050L (возможно, обозначение кристалла или более ранняя версия).
    • Иногда в спецификациях может встречаться как MRF6S21050.

Важно: При заказе у дистрибьюторов или на вторичном рынке следует использовать полный номер MRF6S21050LR3, где "R3" критично для идентификации корпуса.


Совместимые и аналогичные модели (для замены или выбора альтернативы)

При поиске замены или аналога необходимо сверять диапазон частот, выходную мощность, напряжение питания и корпус. Ниже приведены модели от NXP и конкурентов, которые являются аналогами или применяются в схожих задачах.

От NXP (прямые конкуренты или следующее поколение):

  • MRF6S21100HR3 / MRF6S21100H - Более мощная версия (около 300 Вт пик.) в корпусе R3.
  • MRF6VP2600HR3 / MRF6VP2600H - Устройство на 260 Вт, часть более новой линейки "VP", оптимизированной для высокой линейности и эффективности.
  • AFT09MS015NT1 / AFT09MS027N - Модели из линейки "Airfast", представляющие собой уже полностью собранные и оптимизированные усилительные модули (PIM), которые могут быть более современной альтернативой при перепроектировании.
  • BLF6G20-10, BLF6G21-10 - Модели от NXP в другом форм-факторе, но для сопоставимого диапазона мощностей и частот.

От других производителей (ключевые конкуренты):

  • Ampleon (ранее RF Power division NXP):
    • BLF6G20-10G, BLF6G21-10G (фактически та же технология, так как Ampleon был выделен из NXP).
    • BLF8G20LS-250PV и другие модели серий BLF8G, BLF7G.
  • Wolfspeed (Cree):
    • CGH31240F - Транзистор на основе GaN-on-SiC (нитрид галлия). Предлагает более высокую мощность, КПД и рабочую полосу частот в сравнимом корпусе. Является современной технологической альтернативой для новых разработок.
  • MACOM:
    • MHT-2105N - Аналоговая замена, позиционируемая как "drop-in replacement" (прямая замена) для MRF6S21050LR3.
    • MHT-2108N и другие модели серии MHT.
  • Integra Technologies:
    • IHT-2105-250 - Еще один вариант прямой замены (pin-to-pin) от этого производителя.
  • STMicroelectronics:
    • PD57070S-E - Модель LDMOS для схожих применений.

Важное примечание по замене:

Хотя некоторые модели (например, от MACOM или Integra) заявлены как прямые замены (drop-in), обязательна консультация с даташитами и проведение тестовых испытаний в конкретной схеме. Могут незначительно отличаться требования к смещению, цепи термостабилизации или динамическим характеристикам. При переходе на технологию GaN (Wolfspeed) требуется полное перепроектирование каскада, так как отличаются электрические характеристики и требования к цепи смещения.

Товары из этой же категории