Freescale MRF6S21050LS

Артикул: 406604

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Freescale MRF6S21050LS

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Freescale/NXP MRF6S21050LS.

Общее описание

MRF6S21050LS — это мощный полевой транзистор на основе арсенида галлия (GaAs), выполненный по технологии pHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor). Он предназначен для использования в выходных каскадах усилителей мощности в микроволновом диапазоне частот.

Ключевые особенности и применение:

Основное назначение: Усилители мощности (PA) в базовых станциях сотовой связи стандартов 2G (GSM, EDGE), 3G (UMTS, W-CDMA) и 4G (LTE).
Технология: GaAs pHEMT. Обеспечивает высокую линейность, хороший коэффициент усиления и высокую эффективность.
Упаковка: Пластиковый корпус LS (Leadless Strip) с нижним теплоотводящим фланцем. Это современный, рентабельный и надежный корпус для поверхностного монтажа (SMD).
Режим работы: Класс AB. Оптимален для работы с сигналами, имеющими переменную огибающую (как в 3G/4G), где требуется высокая линейность.

Технические характеристики (Типовые значения)

При типовых условиях (Vd = 28 В, Idq = 1200 мА, частота 2140 МГц, если не указано иное):

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот транзистор имеет несколько обозначений, а также прямые аналоги и модели, которые можно рассматривать для замены или использования в аналогичных схемах.

1. Прямые парт-номера и обозначения одного и того же изделия:

MRF6S21050LS — основное и полное коммерческое обозначение.
MRF6S21050LSR5 — обозначение с суффиксом, указывающим на поставку в стандартной упаковке (на ленте, reel). По сути, это то же самое устройство.
NXP MRF6S21050LS — после покупки подразделения RF Power у Freescale компанией NXP в 2015 году, транзистор часто указывается как продукт NXP.

2. Прямые аналоги и совместимые модели (Drop-in Replacements):

Следующие модели от NXP имеют схожие характеристики, корпус и могут быть прямыми или очень близкими аналогами (всегда требуется проверка по даташиту и настройка смещения!):

MRF6S21100HS / MRF6S21100HR5 — Более мощная версия (около 100 Вт) в корпусе HS. Не является прямым дроп-ин заменой из-за другого корпуса, но используется в схожих применениях.
MRF6S20060HS / MRF6S20060NS — Модели на другую мощность (60Вт) и/или в других корпусах (HS, NS).
AFT05MS031NT1 — Аналог от NXP на 50Вт, также pHEMT, может иметь отличия в характеристиках.

3. Аналоги от других производителей (Функциональные замены):

Требуют пересмотра схемы (особенно цепи смещения и согласования), но предназначены для того же сегмента рынка:

Wolfspeed (Cree) CGH31250F / CGH31250F-TB — Транзистор на основе GaN-on-SiC (нитрид галлия). Имеет значительно более высокую плотность мощности, КПД и рабочую температуру. Часто используется для модернизации или новых разработок.
Ampleon (выделено из NXP) BLF6G21-50 / BLF6G22-50 — Мощные LDMOS транзисторы, которые долгое время были основным конкурентом GaAs pHEMT в этом диапазоне мощностей и частот. Требуют другой схемотехники (LDMOS vs. pHEMT).
Qorvo (TriQuint) TQP7M9103 — Мощный усилительный модуль от другого ведущего производителя.

Важные примечания

Смещение: Как и все pHEMT транзисторы, MRF6S21050LS требует отрицательного напряжения на затворе (обычно в диапазоне -0.2...-0.5 В для установки Idq) и положительного +28 В на стоке. Неправильное смещение может мгновенно вывести устройство из строя.
Статическая чувствительность (ESD): GaAs pHEMT устройства очень чувствительны к статическому электричеству. При работе с ними необходимо соблюдать все меры ESD-защиты.
Теплоотвод: Несмотря на низкое тепловое сопротивление, рассеиваемая мощность велика. Необходимо обеспечить качественный тепловой контакт с радиатором и эффективное охлаждение.
Даташит: Перед использованием обязательно нужно обратиться к официальному даташиту (Datasheet) от NXP, так как в нем содержится полная информация, графики, типовые схемы включения и предельные параметры.

Надеюсь, это описание будет полезным!