Freescale MRF6S21060NR1

Freescale MRF6S21060NR1
Артикул: 406606

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Freescale MRF6S21060NR1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для транзистора Freescale/NXP MRF6S21060NR1.

Общее описание

MRF6S21060NR1 — это мощный полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN HEMT), разработанный для высокочастотных усилителей мощности в базовых станциях сотовой связи и других телекоммуникационных инфраструктурных приложениях. Ключевые преимущества — очень высокая выходная мощность, широкополосность и высокая энергоэффективность в частотном диапазоне до 2.2 ГГц.

Он предназначен для финальных каскадов усиления (PA - Power Amplifier) в таких стандартах, как GSM, EDGE, W-CDMA, LTE, где требуется высокая линейность и надежность.


Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Freescale (поглощена NXP Semiconductors в 2015) | Текущий бренд — NXP. | | Тип прибора | GaN на SiC HEMT | Использует технологию GaN (нитрид галлия) на подложке из карбида кремния (SiC) для лучшего теплоотвода и высоких частот. | | Корпус | NI-1230H (Flange) | Керамический, с золотым покрытием выводов, предназначен для монтажа на теплоотвод. | | Класс работы | Класс AB | Оптимален для усиления сигналов с переменной огибающей (W-CDMA, LTE), требующих линейности. | | Рабочая частота | до 2200 МГц | Основной диапазон применения: 700 - 2200 МГц. | | Выходная мощность (P3dB) | 180 Вт (минимум) | Типичная пиковая мощность в режиме насыщения выше. | | Коэффициент усиления по мощности (Gps) | 17.5 дБ (тип.) | При Vd=50V, Idq=2.0A, частоте 960 МГц. | | КПД (Drain Efficiency) | > 65% (тип.) | При P3dB, Vd=50V, Idq=2.0A, частоте 960 МГц. | | Напряжение стока (Vd) | 50 В (номинал) | Типичное рабочее напряжение. | | Ток стока покоя (Idq) | 2.0 А (тип. настройка) | Задается для оптимальной линейности и эффективности. | | Линейность (IMD3) | -37 дБн (тип.) | Уровень интермодуляционных искажений 3-го порядка при испытании двумя тонами. | | Термостабильность | Встроенная защита от Thermal Runaway | Технология Freescale/NXP обеспечивает стабильную работу при изменении температуры. | | Ключевое преимущество | Широкополосность | Способен перекрывать широкий диапазон частот (например, весь диапазон 1800-2200 МГц) одним усилителем, что упрощает конструкцию. |


Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот транзистор является частью семейства мощных GaN-транзисторов NXP. Прямых 100% аналогов с таким же порядковым номером у других производителей нет, но есть аналоги по характеристикам и семейства от NXP.

1. Прямые аналоги и модификации от NXP (Freescale):

  • MRF6S21060NR1 — основной и самый распространенный номер.
  • MRF6S21060NR1-01 — часто обозначает ту же самую модель, где "-01" может быть внутренним кодом партии или ревизии. В спецификациях и datasheet обычно указывается как основная модель.
  • MRF6S21060NR1-02 / -03 — Последующие ревизии или версии с возможными незначительными улучшениями параметров или технологического процесса. Важно: При замене всегда проверяйте последнюю версию datasheet от NXP.
  • Модели из того же семейства с другими мощностями:
    • MRF6S21100NR1 — транзистор на ~100 Вт.
    • MRF6S21200NR1 — транзистор на ~120 Вт.
    • MRF6S21400NR1 — транзистор на ~140 Вт.
    • Они имеют схожие характеристики, но разную выходную мощность и геометрию кристалла.

2. Функциональные аналоги (совместимые по применению) от других производителей:

Эти модели могут использоваться в аналогичных схемах усилителей мощности в том же частотном диапазоне, но требуют пересмотра ВЧ-тракта и цепи смещения, так как электрические и S-параметры отличаются.

  • Wolfspeed (Cree):
    • CGHV59350 (350 Вт, но может использоваться в схемах на ~180 Вт с пересчетом).
    • CGHV27100 (100 Вт, менее мощный).
  • Qorvo (TriQuint):
    • T2G6001528-FS (150 Вт, GaN на SiC).
    • T2G6003028-FS (300 Вт).
  • Ampleon (выделено из NXP):
    • Ampleon также производит мощные GaN-транзисторы (например, серия GEN9), но прямым аналогом MRF6S21060NR1 является именно продукт NXP, так как компании имеют общие корни.

3. Ключевое примечание по совместимости:

  • Прямая замена (drop-in replacement): Только между разными ревизиями MRF6S21060NR1 (например, -01 на -02) возможна без изменений в плате. Замена на модель другого производителя НЕ ЯВЛЯЕТСЯ прямой.
  • Замена в схеме (design-in replacement): Модели от Wolfspeed или Qorvo могут быть использованы при перепроектировании усилительного каскада — необходимо учитывать различия в:
    • Напряжении смещения (Vg, Vd).
    • Токе покоя (Idq).
    • Входных/выходных импедансах (S-параметры).
    • Рекомендованной топологии согласующих цепей.

Типичные применения

  • Выходные каскады усилителей мощности для базовых станций 2G (GSM), 3G (UMTS), 4G (LTE).
  • Усилители в системах связи стандарта TETRA, DMR.
  • Оборудование для радиорелейной связи.
  • Прочее телекоммуникационное оборудование, требующее высокой мощности и линейности в диапазоне до 2.2 ГГц.

Рекомендация: Для проектирования или замены всегда используйте актуальную версию даташита (Datasheet) на официальном сайте NXP Semiconductors.

Товары из этой же категории