Freescale MRF6S21140H

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Freescale MRF6S21140H.

Описание

Freescale MRF6S21140H — это N-канальный MOSFET транзистор LDMOS, предназначенный для использования в мощных усилителях радиочастотного (РЧ) сигнала. Это компонент, разработанный специально для приложений, требующих высокой линейности и эффективности.

Ключевые особенности и применение:

• Технология: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) — технология, обеспечивающая высокую выходную мощность, хорошую линейность и устойчивость к рассогласованию нагрузки.
• Основное применение: Выходные каскады усилителей мощности в системах беспроводной инфраструктуры.
• Целевые стандарты связи:
  • GSM / EDGE
  • CDMA / W-CDMA
  • TD-SCDMA
  • LTE (4G)
• Типичные системы:
  • Базовые станции сотовой связи (макро- и микросоты).
  • Повторители (репитеры).
  • Другие системы профессиональной радиосвязи.

Этот транзистор известен своей высокой надежностью, устойчивостью к перегрузкам и способностью работать в широком диапазоне частот, что делает его популярным выбором для инженеров-разработчиков.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Freescale Semiconductor (ныне часть NXP Semiconductors) | | | Структура | N-канальный LDMOS MOSFET | | | Диапазон частот | 2110 - 2170 МГц | Оптимизирован для работы в этом диапазоне | | Выходная мощность (Pout) | 140 Вт (51.5 dBm) | Типовое значение для 3.5V VDD при ACPR -50 dBc | | Крутизна (Gain) | 16.0 дБ | Типовое значение | | КПД (Efficiency) | 34% | Типовое значение | | Линейность (ACPR) | -50 дБн | Для W-CDMA, типовое значение | | Рабочее напряжение (VDD) | 28 В | 32 В (максимальное) | | Напряжение отсечки (Vth) | 1.8 - 3.2 В | | | Ток стока (Idq) | 150 мА | Типовое значение тока покоя | | Термическое сопротивление | 0.45 °C/Вт | Сопротивление "переход-корпус" (RthJC) | | Класс усиления | Класс AB | Типичный режим работы для обеспечения линейности | | Корпус | Air Cavity CERAMIC 4L F2 | Высоконадежный керамический корпус с золотыми выводами для СВЧ-мощности | | Монтаж | Поверхностный (SMD) | | | Эквивалентная схема | Внутренне согласован на 50 Ом | Упрощает проектирование ВЧ-цепи |

Парт-номера и Совместимые модели

Этот транзистор имеет несколько альтернативных обозначений и прямых или близких аналогов от других производителей.

1. Парт-номера и коды производителя

• MRF6S21140H — основное и полное наименование детали.
• MRF6S21140HR5 — часто используется для обозначения поставки на катушке (tape and reel) для автоматизированного монтажа.
• После приобретения Freescale компанией NXP, продукт часто фигурирует под брендом NXP.

2. Прямые и близкие аналоги (Cross-Reference)

Важно отметить, что полностью взаимозаменяемых аналогов "один-в-один" часто не существует. Замена требует проверки в схеме и возможной подстройки режимов смещения и согласующих цепей. Следующие модели являются аналогами по классу мощности, частоте и технологии.

| Производитель | Модель | Примечания | | :--- | :--- | :--- | | NXP (Freescale) | MRF6S21140H | Оригинальная модель | | NXP | MRF6S21140HSR5 | Вариант поставки (на катушке) | | Ampleon | BLF6G21-140 | Один из самых близких и популярных аналогов. Ampleon — это бывшее подразделение RF Power компании NXP. | | Ampleon | BLF6G22-140 | Аналог в схожем корпусе и с близкими характеристиками. | | Macom | MRA-140313 | Мощный LDMOS транзистор для схожего частотного диапазона. | | Integra Technologies | ITF-140314 | Аналог от другого известного производителя ВЧ-компонентов. | | STMicroelectronics | PD57018S-E | Транзистор для схожих применений, но всегда требуется проверка даташита. |

Важные замечания по замене и использованию

1. Не является plug-and-play: Даже самые близкие аналоги (как BLF6G21-140) могут требовать корректировки цепи смещения и, возможно, незначительной подстройки входной/выходной согласующей цепи для достижения оптимальных характеристик.
2. Проверка даташита: Перед заменой обязательно сверяйтесь с техническим описанием (datasheet) конкретной модели.
3. Схема смещения: LDMOS транзисторы требуют стабильной и правильно настроенной схемы подачи смещения на затвор.
4. Теплоотвод: Из-за высокой рассеиваемой мощности необходим качественный теплоотвод и правильный монтаж на радиатор для обеспечения надежности.
5. ESD-защита: MOS-транзисторы чувствительны к статическому электричеству, требуют соблюдения мер ESD-защиты при монтаже.