Freescale MRF6V3090NR5

Отличный выбор! Freescale (NXP) MRF6V3090NR5 — это очень мощный и популярный LDMOS-транзистор для приложений усиления в ВЧ-диапазоне, в первую очередь для базовых станций сотовой связи. Вот подробное описание и технические характеристики.

Описание

MRF6V3090NR5 — это транзистор N-канального типа, выполненный по передовой технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от Freescale/NXP. Он предназначен для работы в качестве усилителя мощности (PA — Power Amplifier) в выходных каскадах базовых станций мобильной связи стандартов GSM, EDGE, W-CDMA, LTE, TD-SCDMA в частотном диапазоне от 700 до 1000 МГц.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая выходная мощность: Предназначен для приложений, требующих очень высоких уровней мощности.
• Высокая эффективность: Оптимизирован для обеспечения хорошего КПД, что критически важно для снижения энергопотребления и тепловыделения в базовых станциях.
• Широкополосность: Способен работать в широкой полосе частот (до 100 МГц и более), что позволяет использовать один усилитель для нескольких частотных диапазонов или стандартов.
• Внутренняя согласующая цепь: Транзистор имеет встроенные согласующие цепи на входе и выходе, что значительно упрощает проектирование финального усилительного каскада.
• Пакет: Выполнен в прочном и надежном керамическом корпусе Air-Cavity, обеспечивающем отличное теплоотведение и минимальные паразитные параметры на высоких частотах.
• Основное применение: Выходные каскады усилителей мощности макросотовых базовых станций, усилители повторного излучения (репитеры).

Технические характеристики (основные)

Приведены типовые параметры при напряжении питания Vdd = 50 В и температуре корпуса 25°C, если не указано иное. Важно: Для проектирования всегда используйте официальный даташит.

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 700 — 1000 МГц | Оптимизирован для диапазонов Cellular, GSM900, E-GSM, LTE Band 12/13/14 и др. | | Выходная мощность (Pout) | 90 Вт (ср.) | Средняя мощность в широкополосном сигнале (например, W-CDMA/LTE). | | Пиковая мощность (Psat) | ~300 Вт | Мощность в режиме насыщения (для сигналов с высокой пик-фактором). | | Коэффициент усиления (Gain) | ~19 дБ | Типовое значение на частоте 860 МГц. | | КПД (Drain Efficiency) | ~45% | Типовое значение для широкополосного сигнала. | | Линейность (ACLR) | < -50 дБc | Для сигнала W-CDMA, характеризует качество усиления цифровых сигналов. | | Напряжение стока (Vdd) | 50 В | Типовое рабочее напряжение. | | Ток покоя (Idq) | ~300 мА | Настраиваемый ток покоя для оптимизации линейности и эффективности. | | Сопротивление канала (Rds(on)) | ~30 мОм | Характеризует потери проводимости. | | Термостабильность | Встроенная цепь температурной компенсации | Обеспечивает стабильность работы при изменении температуры. | | Класс усиления | Класс AB | Обеспечивает хороший компромисс между линейностью и эффективностью. | | Корпус | Air-Cavity Ceramic, 2-lead flange | Керамический корпус с воздушной полостью (FT-25 или аналогичный). | | Монтаж | Пайка к теплоотводу (flange) и проволочная термокомпрессия (wire bonding) | Требует профессионального монтажа на печатную плату с медным основанием (IMS) или керамическую подложку. |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

При поиске аналога или замены важно учитывать не только электрические параметры, но и корпус, расположение выводов и внутреннюю топологию.

Прямые аналоги и варианты в той же линейке:

• MRF6V3090NBR5 / MRF6V3090NBR6 — Могут быть версиями с незначительными отличиями в тестовых условиях или упаковке. "R5" в конце часто обозначает специфическую версию упаковки (Reel). "B" может указывать на определенную калибровку или отбор.
• MRF6V3090N — Базовый номер модели без суффикса упаковки.
• MRF6VP11KH / MRF6VP2600H — Мощные транзисторы от NXP в похожем корпусе, но могут быть рассчитаны на другие диапазоны частот или мощность. Не являются прямыми заменяющими аналогами без пересчета схемы.

Совместимые / Конкурирующие модели от других производителей (Функциональные аналоги):

При поиске замены необходимо проводить тщательный сравнительный анализ по даташитам.

• Ampleon (ранее часть NXP):
  • BLF6G22-90 — Очень близкий по характеристикам и корпусу транзистор от "второй половинки" LDMOS-бизнеса NXP.
  • BLF6G20-90, BLF6G21-90 — Модели из той же серии, оптимизированные под схожие диапазоны.
• Wolfspeed (Cree):
  • CGH27090S — Мощный GaN-транзистор. Не является прямой заменой (другая технология — GaN vs LDMOS, другое рабочее напряжение ~48В, иной корпус), но может использоваться в аналогичных приложениях при полном пересчете ВЧ-тракта и системы смещения. Обладает преимуществами по ширине полосы и КПД.
• Qorvo (ранее TriQuint):
  • TQP1M9108 — Мощный LDMOS-транзистор. Требует проверки по корпусу и характеристикам.
• STMicroelectronics:
  • PD57070S-E — Мощный LDMOS-транзистор. Также требует детального сравнения.

Важное замечание по замене:

MRF6V3090NR5 — это компонент для профессиональной ВЧ-аппаратуры. Прямой "pin-to-pin" замены от другого производителя чаще всего не существует. Замена возможна только после:

1. Сверки распиновки и механических размеров корпуса.
2. Анализа электрических характеристик (вольт-амперных, S-параметров, безопасных рабочих областей).
3. Перерасчета входной и выходной согласующих цепей, а также цепи смещения.

Рекомендация: Всегда обращайтесь к официальному даташиту NXP (Freescale) на MRF6V3090N для получения точной и полной информации перед использованием в проекте.