Freescale MRF6VP2600H

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Freescale/NXP MRF6VP2600H.

Описание

MRF6VP2600H — это мощный RF LDMOS транзистор, разработанный для использования в финальных каскадах усиления широкополосных приложений, работающих в диапазоне частот от 1.8 до 600 МГц. Он является частью знаменитого семейства "VP" (Very High Power) от Freescale (ныне NXP Semiconductors).

• Основное назначение: Оборудование промышленного, научного и медицинского назначения (ISM band), радиовещательные передатчики (FM, VHF-TV), мощные системы связи, плазменные генераторы и оборудование для термообработки.
• Ключевые особенности: Очень высокая выходная мощность, исключительная широкополосность, высокая надежность и устойчивость к рассогласованию нагрузки (высокий КСВН). Транзистор предназначен для работы в режиме класса AB в линейных усилителях или в ключевом режиме (класс C, D, E) для импульсных применений.
• Конструкция: Выполнен в прочном керамино-металлическом корпусе с фланцем для эффективного отвода тепла. Вход и выход согласованы до 50 Ом, что упрощает проектирование широкополосных схем.

Технические характеристики (типовые, при Vdd = 50V, классе AB)

| Параметр | Значение | Условия измерения / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 1.8 – 600 МГц | Рабочий диапазон | | Выходная мощность (Pout) | 600 Вт (пиковая) | 1.8–250 МГц | | | 450 Вт (пиковая) | 250–600 МГц | | Коэффициент усиления (Gps) | 22.5 дБ | На 30 МГц | | | 17.5 дБ | На 500 МГц | | КПД (Drain Efficiency) | ~70% | На 30 МГц, P1dB | | | ~60% | На 500 МГц, P1dB | | Напряжение питания (Vdd) | 50 В (номинал) | Стандартное напряжение для LDMOS | | Ток покоя (Iq, Idq) | 1200 мА (тип.) | Настраиваемый параметр для класса AB | | Линейность (IMD3) | -35 дБн (тип.) | Для двухтонального сигнала, зависит от режима | | КСВН на входе (VSWR) | Устойчив к 65:1 на любой фазе | Выдающаяся характеристика для надежности | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.15 °C/Вт | От перехода к корпусу | | Корпус | Flange, 4-lead | Керамико-металлический, с золотым покрытием | | Вес | ~65 грамм | |

Парт-номера (Part Numbers) и Модификации

Официальное основное обозначение — MRF6VP2600H. Однако в зависимости от партии, уровня тестирования или упаковки могут встречаться вариации:

• MRF6VP2600HR5 — Стандартный номер для заказа, где "R5" может указывать на тип упаковки (на ленте, для автоматического монтажа).
• MRF6VP2600HBR5 — Модификация с отбором/биннингом по определенным параметрам (например, по току покоя).
• MRF6VP2600HSR5 — Версия, возможно, прошедшая расширенное тестирование или для специальных поставок.

Важно: Для точного заказа всегда используйте полный номер из спецификации NXP или уточняйте у официальных дистрибьюторов.

Совместимые и Аналогичные Модели

Прямых 100% аналогов с такими же параметрами от других производителей нет, но есть модели-конкуренты и устройства из того же семейства, которые могут быть рассмотрены для замены или нового проектирования.

1. От того же производителя (NXP / Freescale) — Семейство VP/WB:

• MRF6VP2600H — Базовая модель (600 Вт).
• MRF6VP3450H — Модель более высокой мощности (450 Вт пик. на 600 МГц, ~1.2 кВт на НЧ).
• MRF6VP6300H — Самая мощная в серии VP (1.2 кВт на 600 МГц).
• MRF6VP11K00H — Мощность до 1.1 кВт в широкой полосе.
• MRF6VP41K00H — Чрезвычайно мощный транзистор (до 4 кВт в импульсе).
• MRF6V20100N / MRF6V20150N — Модели из серии "WB" (Wideband), оптимизированные для работы до 1000 МГц, но с меньшей мощностью (100-150 Вт).

2. Аналоги от других производителей (по мощности и диапазону):

• Ampleon (ранее RF Power division NXP):
  • BLF6G27-600 / BLF6G22-600 — Мощные LDMOS транзисторы, работающие до 1 ГГц, прямой конкурент.
  • BLF188XR (серия) — Флагманская серия для широкополосных усилителей до 600-1000 МГц.
• STMicroelectronics:
  • PD57070S-E — Мощный LDMOS до 500 МГц.
• Integra Technologies (на основе технологий Toshiba):
  • ITHX-06300600-50 — Мощный транзистор, заявленный как прямой аналог MRF6VP2600H.
• Macom (ранее Nitronex):
  • NPTB00004A / NPT1008 — Мощные GaN-транзисторы, которые могут использоваться в том же диапазоне частот, но обладают иными характеристиками (более высокий КПД, напряжение питания, цена). Требуют пересмотра схемотехники.

Важные примечания:

1. Документация: Всегда используйте актуальный даташит от NXP для конечного проектирования.
2. Схемы применения: NXP предоставляет подробные reference-дизайны и рекомендации по согласующим цепям для разных частотных диапазонов.
3. Охлаждение: Из-за высокой рассеиваемой мощности (может превышать 300 Вт) обязательно использование массивного радиатора с идеально ровной поверхностью и высококачественной термопасты.
4. Статическое электричество: Устройство чувствительно к ESD. Необходимо соблюдать меры предосторожности.
5. Смещение: LDMOS транзисторы требуют правильной последовательности подачи напряжений (сначала затвор, потом сток) и точной установки тока покоя для линейных режимов.