Freescale MRF6VP3450HR5

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Freescale (NXP) MRF6VP3450HR5.

Описание

Freescale MRF6VP3450HR5 — это мощный полевой транзистор на основе арсенида галлия (GaAs) с pHEMT-структурой, предназначенный для использования в усилителях мощности в диапазоне СВЧ-частот.

Этот транзистор является ключевым компонентом в выходных каскадах передатчиков для профессионального, коммерческого и военного радиооборудования. Основная его задача — обеспечение высокого коэффициента усиления и высокой выходной мощности с хорошей линейностью.

Модель MRF6VP3450HR5 специально разработана для работы в частотном диапазоне 2300 - 2700 МГц, что делает его идеальным решением для систем беспроводной связи, таких как:

• WiMAX (802.16e)
• LTE (Long-Term Evolution)
• Прочие системы широкополосной беспроводной связи в этом частотном диапазоне.

Транзистор поставляется в керамическом корпусе с воздушным полосковым фланцем (Air Cavity Ceramic Package), что обеспечивает эффективный отвод тепла и стабильную работу при высоких уровнях мощности. Типичное рабочее напряжение составляет 50 В.

Технические характеристики

В таблице ниже приведены ключевые параметры при типичных условиях работы (например, Vd = 50В, Idq = 1.8А, частота 2500 МГц, если не указано иное).

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Freescale Semiconductors (ныне NXP Semiconductors) | | | Семейство | LDMOS / pHEMT | Технология pHEMT (GaAs) | | Рабочий диапазон частот | 2300 - 2700 МГц | Оптимизирован для 2.3-2.7 ГГц | | Выходная мощность (Pout) | 450 Вт (пиковая) | | | Коэффициент усиления (Gain) | 17.0 дБ (тип.) | | | КПД (Drain Efficiency) | 45% (тип.) | | | Межмодональные искажения (IMD3) | -35 дБн (тип.) | Для двухтонального сигнала | | Рабочее напряжение (Vd) | 50 В (номинал) | | | Ток покоя (Idq) | 1800 мА (тип.) | | | Класс усилителя | AB | Линейный режим работы | | Коэффициент стоячей волны (VSWR) | Выдерживает 10:1 на любой фазе | Высокая устойчивость к рассогласованию нагрузки | | Корпус | Air Cavity Ceramic, Flange | Термическое сопротивление: ~0.3 °C/Вт | | Полярность | N-Channel | | | Монтаж | Через отверстие (Through-Hole) | |

Парт-номера и аналоги (Cross-Reference)

Поскольку компания Freescale была поглощена NXP, основным и официальным производителем теперь является NXP. Указанный парт-номер является основным.

• Основной номер производителя: MRF6VP3450HR5
• Производитель: NXP Semiconductors (ранее Freescale)

Важно: Прямых 100% аналогов (drop-in replacement) с точно таким же номером от других производителей (например, Qorvo, MACOM, Ampleon) для данной конкретной модели, скорее всего, не существует. Это высокоинтегрированное и специализированное решение от NXP.

Однако, при поиске замены или аналога следует ориентироваться на следующие ключевые параметры и искать устройства с похожими характеристиками у других вендоров:

• Частотный диапазон: 2300 - 2700 МГц
• Выходная мощность: ~450 Вт
• Рабочее напряжение: 50 В
• Технология: LDMOS или GaAs pHEMT

Совместимые модели и аналогичные устройства

В таблице ниже приведены не прямые аналоги, а совместимые по применению и схожие по характеристикам модели от NXP и других производителей. Они могут требовать изменения схемы согласования.

| Производитель | Модель | Мощность | Частота | Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | NXP (Freescale) | MRF6VP2600H | 260 Вт | 2300-2700 МГц | Менее мощная версия из той же серии | | NXP (Freescale) | MRF7VP2600H | 260 Вт | 2300-2700 МГц | Улучшенная версия (Gen7) | | Ampleon | BLF888E | 300 Вт | 2300-2700 МГц | Мощный LDMOS транзистор для схожих приложений | | Ampleon | BLF989 | 500 Вт | 2000-2700 МГц | Более мощный аналог | | MACOM | MGFS55V1 | 55 Вт | DC-6 ГГц | pHEMT транзистор, но значительно менее мощный | | Qorvo | TGA2596 | 20 Вт | 2-20 ГГц | Мощный усилительный каскод на GaN, для более широкого диапазона |

Важное примечание: При замене компонента, особенно в критичных RF-цепях, настоятельно рекомендуется обращаться к официальной технической документации (Datasheet) и консультироваться с инженерами-схемотехниками. Даже схожие по параметрам транзисторы могут иметь различия в цепях смещения, термостабильности и требованиях к схеме согласования.