Freescale MRF7S18170H

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Freescale MRF7S18170H.

Описание

Freescale MRF7S18170H — это N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET), выполненный по технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor). Он предназначен для использования в мощных усилителях радиочастотного сигнала.

Этот транзистор является ключевым компонентом в выходных каскадах усилителей мощности для широкополосных беспроводных систем. Его основное применение — инфраструктура сотовой связи, в частности:

• Базовые станции стандарта 4G/LTE
• Многоканальные системы с цифровой предкоррекцией (DPD - Digital Pre-Distortion)
• Повторители (репитеры) и активные антенные системы (AAS)

Ключевые особенности:

• Высокая линейность: Обеспечивает минимальные искажения сигнала, что критически важно для современных сложных схем модуляции (QAM, OFDM).
• Широкая полоса пропускания: Способен работать в широком диапазоне частот, что позволяет охватить несколько полос LTE одним усилителем.
• Высокая эффективность: Способствует снижению энергопотребления и тепловыделения базовых станций.
• Технология, устойчивая к несовпадению фаз: Надежно работает в условиях сложной нагрузки, что характерно для усилителей DPD.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Freescale Semiconductor (ныне часть NXP Semiconductors) | | | Тип прибора | LDMOS MOSFET, N-канальный | | | Корпус | Air Cavity Ceramic, 2x8 FLANGE | | | Диапазон частот | 1805 - 1880 МГц | Оптимизирован для полосы LTE Band 3 | | Рабочий класс | Класс AB | Типично для линейных усилителей | | Выходная мощность (P3dB) | 180 Вт (мин.) | | | Выходная мощность (P1dB) | ~ 55 Вт | Точное значение см. в даташите | | Коэффициент усиления (Gps) | 17.0 дБ (тип.) | При Pout = 20W, 1842.5 МГц | | КПД (Drain Efficiency) | 40% (тип.) | При Pout = 20W, 1842.5 МГц | | Напряжение питания (Vdd) | 28 В / 32 В | Типичное рабочее напряжение 28В | | Линейность (ACPR) | -50 дБн (тип.) | Для сигнала LTE 20 MHz, Δf = 50 MHz | | Напряжение пробоя (V(BR)DSS) | ≥ 65 В | | | Ток стока (Id) | 4.5 A (макс., постоянный) | | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.55 °C/Вт | |

Парт-номера и совместимые модели

Производитель может использовать различные префиксы для одного и того же кристалла в зависимости от уровня тестирования, партии или маркировки для разных рынков.

Прямые парт-номера (эквиваленты):

• MRF7S18170HR3 - Скорее всего, полный номер для заказа, где "R3" может указывать на тип поставки (на ленте, в тубе).
• MW7S18170H - Еще один вариант маркировки от Freescale/NXP.

Совместимые / Аналогичные модели (от Freescale/NXP):

Эти транзисторы имеют схожие характеристики, но могут отличаться по рабочей частоте, мощности или корпусу. Внимание: Перед заменой необходимо сверяться с даташитами!

• MRF7S18130H / MRF7S18130HSR3 - 130 Вт версия, для схожих применений с чуть меньшей мощностью.
• MRF7S19140H / MRF7S19140HSR3 - 140 Вт транзистор, оптимизированный для полосы 1900 МГц (LTE Band 25).
• MRF7S21140H - 140 Вт транзистор для диапазона 2100 МГц (LTE Band 1).
• MRF7SVP11K85H - Более современная модель из серии "VP" от NXP с улучшенными характеристиками.

Аналоги от других производителей:

Другие производители, такие как Ampleon, Qorvo, MACOM, предлагают аналогичные LDMOS-транзисторы для инфраструктурных применений. Поиск аналога следует вести по ключевым параметрам: диапазон частот (1800-1900 МГц), выходная мощность (~180 Вт P3dB), напряжение питания (28В).

Примеры для поиска:

• Ampleon: Серия BLF7G22LS-180 и подобные.
• Qorvo: Модели типа TQP7M9101 (хотя конкретная модель может отличаться по мощности).

Важное примечание: Несмотря на схожесть характеристик, транзисторы разных производителей и даже разные модели внутри линейки одного производителя имеют уникальные схемы согласования и требования к смещению. Прямая замена без перенастройки схемы не рекомендуется и может привести к неработоспособности или повреждению прибора. Всегда консультируйтесь с официальной документацией.