Freescale MRF8HP21130H
тел. +7(499)347-04-82
Описание Freescale MRF8HP21130H
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Freescale MRF8HP21130H.
Описание
Freescale MRF8HP21130H — это мощный NPN биполярный транзистор (LDMOS), разработанный для работы в диапазоне сверхвысоких частот (СВЧ). Он является ключевым компонентом в серии "High Performance" от Freescale (ныне часть компании NXP Semiconductors).
Основное назначение: Этот транзистор предназначен для использования в выходных каскадах усилителей мощности в профессиональном и промышленном радиочастотном оборудовании.
Типичные области применения:
- Базовые станции сотовой связи: Усилители мощности для стандартов 2G (GSM), 3G (UMTS), 4G (LTE).
- Системы мобильной радиосвязи: Тетра (TETRA), APCO P25.
- Промышленное RF-оборудование: Усилители для различных систем связи и обработки сигналов.
Устройство характеризуется высокой выходной мощностью, высокой линейностью и отличной эффективностью, что делает его идеальным для приложений, требующих надежности и высоких характеристик.
Технические характеристики
Вот ключевые параметры транзистора при типичных условиях работы (например, для усилителя 4G LTE базовой станции):
| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 2110 - 2170 МГц | Рабочий диапазон для приложений 3G/4G | | Выходная мощность (Pout) | 130 Вт (51.1 dBm) | Типичное значение при насыщении | | Коэффициент усиления (Gain) | 17.0 дБ | Типичное значение | | КПД (Efficiency) | ~ 40% | Типичное значение, коэффициент полезного действия | | Линейность (ACLR) | -50 дБн / -65 дБн | Для 5 MHz / 10 MHz offset (тип., для сигнала LTE) | | Рабочее напряжение (Vd) | 28 В / 32 В | Постоянное напряжение питания стока | | Класс работы | Класс AB | Обеспечивает хороший баланс между линейностью и КПД | | Сопряжение по входу/выходу | 50 Ом | Упрощает проектирование ВЧ-тракта | | Корпус | Air Cavity Ceramic | Высоконадежный керамический корпус с полостью | | Монтаж | Поверхностный (SMD) | Для монтажа на печатную плату | | Тепловое сопротивление (Rth) | ~ 0.3 °C/Вт | Характеризует эффективность отвода тепла |
Парт-номера и прямые аналоги
Поскольку Freescale была поглощена компанией NXP, актуальным и прямым парт-номером является:
- NXP MRF8HP21130H
Это тот же самый транзистор, просто под новым брендом. При поиске на сайтах дистрибьюторов или в технической документации следует использовать номер от NXP.
Совместимые и альтернативные модели
При замене или выборе аналога важно учитывать не только выходную мощность, но и рабочий частотный диапазон, напряжение питания и цоколевку.
Аналоги от NXP (той же серии и мощности):
- NXP MRF8VP2600HR3 / MRF8VP2600H - Мощный транзистор на ~260 Вт, но для близкого частотного диапазона (2300-2700 МГц). Может рассматриваться как альтернатива в других проектах.
- NXP MRF8P20120WHS / MRF8P20120WH - Транзистор на 120 Вт для диапазона 1930-1995 МГц (PCS).
- NXP MRF8S21130H - Модель из серии "Standard Performance", схожая по мощности, но с несколько более низкими характеристиками (усиление, КПД) по сравнению с "High Performance" серией.
Аналоги от других производителей:
-
Ampleon (ранее RF Power division NXP)
- BLF8G22LS-130PV - Мощный LDMOS транзистор на 130 Вт, разработанный для диапазона 2110–2170 МГц. Является прямым и очень популярным конкурентом.
- BLF8G20LS-130P - Аналогичная модель для схожих приложений.
-
Wolfspeed (Cree)
- CGH31230F - Транзистор на основе Nitride (GaN) мощностью 130 Вт. GaN-технология предлагает более высокий КПД и широкую полосу пропускания, но требует пересмотра схемы управления и смещения.
-
Macom
- MHT-2103S130 - Еще один мощный LDMOS транзистор, предназначенный для работы в диапазоне 2100 МГц.
Важное примечание:
При замене транзистора, даже на указанный прямой аналог, крайне важно проверить и, скорее всего, перенастроить входную и выходную согласующие цепи ВЧ-тракта. Характеристики разных транзисторов, даже с одинаковой выходной мощностью, могут незначительно отличаться, что потребует корректировки для достижения заявленных характеристик.