Freescale MRF8P23080HR3

Отличный выбор! Freescale MRF8P23080HR3 — это мощный LDMOS-транзистор для усилителей мощности в профессиональных системах радиосвязи. Ниже представлено подробное описание.

Описание

MRF8P23080HR3 — это транзистор N-канального типа, созданный по передовой технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от Freescale (ныне часть NXP Semiconductors). Ключевые особенности:

• Назначение: Предназначен для построения выходных каскадов усилителей мощности (PA) в базовых станциях, ретрансляторах и другом профессиональном коммуникационном оборудовании, работающем в диапазоне 2300-2400 МГц (в основном, для LTE Band 40, а также WiMAX и других сервисов в этом спектре).
• Ключевое преимущество: Технология LDMOS обеспечивает высокую линейность выходного сигнала, что критически важно для современных сложных типов модуляции (QPSK, 16/64-QAM в 4G LTE), а также высокую энергоэффективность и надежность.
• Исполнение: Выполнен в прочном керамическом фланцевом корпусе с воздушной полостью (Air Cavity), обеспечивающем хороший теплоотвод и стабильные ВЧ-характеристики. Имеет встроенные согласующие цепи для упрощения проектирования усилителя.
• Статус: Модель является устаревшей (NRND — Not Recommended for New Design) или активной в зависимости от конкретных программ поставок NXP. Для новых проектов рекомендуется использовать более современные аналоги.

Технические характеристики (основные)

• Диапазон частот: 2300 - 2400 МГц
• Класс усиления: Класс AB (оптимален для линейного усиления с приемлемым КПД).
• Выходная мощность (Pout):
  • 180 Вт (пиковая) при работе с сигналом LTE с коэффициентом пик-фактора (PAR) 8.5 дБ.
  • 80 Вт (средняя) в типичном режиме работы.
• Коэффициент усиления (Gain): 17.5 дБ (тип., при Pout=80W, 2350 МГц).
• КПД (Efficiency):
  • Драйверный каскад (Driver Stage Efficiency): ~30%
  • Конечный каскад (Final Stage Efficiency): ~48%
  • Общий КПД усилителя (Total PAE): ~42%
• Линейность (ACLR): Обеспечивает лучше чем -50 дБн (Adjacent Channel Leakage Ratio) для сигналов LTE, что соответствует строгим требованиям стандартов.
• Напряжение питания (Vdd): 28 В (постоянного тока, типичное для мощных LDMOS).
• Ток покоя (Idq): Настраивается, обычно в районе 1000-1500 мА.
• Схема внутреннего согласования: Оптимизирована для работы в полосе 100 МГц (2300-2400 МГц).
• Термостабильность: Включает защиту от статического электричества (ESD) и имеет широкий диапазон рабочих температур.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель (NXP/Freescale) может использовать различные суффиксы для обозначения упаковки, уровня тестирования или версии. Основные парт-номера в линейке:

• MRF8P23080HR3 — основной номер, полная спецификация.
• MRF8P23080H — может использоваться как базовое обозначение без указания упаковки/ревизии.

Совместимые и аналогичные модели

При замене или новом проектировании необходимо сверяться с даташитами и evaluation board. Модели можно разделить на несколько категорий:

1. Прямые аналоги и замены в той же линейке/частотном диапазоне:

• MRF8P23080H — практически идентичная модель, возможна разница в ревизии.
• MRF8P23180HR3 / MRF8P23180H — модель на 180 Вт (средней) мощности для того же диапазона (усилитель целиком, а не транзистор).
• MRF8P20165HR3 / MRF8P20165H — транзистор на ~165 Вт для диапазона 2000-2200 МГц (LTE Band 1, 33, 34). Часто используется в паре или имеет схожий дизайн.
• MRF8P20180HR3 / MRF8P20180H — транзистор на ~180 Вт для диапазона 2000-2200 МГц.

2. Более современные аналоги от NXP (рекомендуется для новых проектов):

• AFT27S010NR3 / AFT27S006NR3 — транзисторы из новой линейки Gen9 28V LDMOS с улучшенными показателями эффективности и широкой полосой пропускания. Являются эволюционным развитием старых MRF-серий.
• AFT05MP075NR3 / AFT05MS007NR3 — модели для схожих диапазонов из различных серий Gen8/Gen9.

3. Аналоги от других производителей (в том же сегменте):

• Ampleon (ранее RF Power division NXP):
  • BLF8G27S-230 (230 Вт, 2700 МГц, но может использоваться в схожих схемах).
  • Серии BLF7G22, BLF8G20 — требуют перерасчета схемы.
• Wolfspeed (Cree):
  • CGH27030F, CGH40030F — транзисторы на основе технологии GaN (нитрид галлия). Имеют более высокий КПД и рабочее напряжение, но другую топологию и, как правило, дороже. Требуют полного перепроектирования УМ.
• MACOM:
  • MHT-2103B, MHT-2108B — LDMOS/GaN транзисторы для схожих приложений.
• STMicroelectronics:
  • PD57070TR-E — LDMOS транзистор для диапазона 2300-2400 МГц.

Важное примечание

При замене MRF8P23080HR3 на любую другую модель (даже из списка выше) необходимо:

1. Внимательно изучать даташит и сравнивать электрические характеристики (вольт-амперные, S-параметры).
2. Проверять схему смещения (bias) и цепей согласования — они могут существенно отличаться.
3. Учитывать разницу в тепловых характеристиках и монтаже (например, усилители на GaN часто требуют более сложного теплоотвода и другого подхода к стабильности).
4. Для новых разработок настоятельно рекомендуется обращаться к актуальным каталогам NXP (серии AFT, A2I, A3I) и использовать рекомендованные evaluation boards для ускорения процесса.

Данное описание служит для общего ознакомления. Для проектирования и замены всегда используйте официальную документацию с сайта NXP Semiconductors.