Freescale MRF8P26080HSR3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Freescale/NXP MRF8P26080HSR3.

Общее описание

MRF8P26080HSR3 — это мощный транзистор LDMOS, разработанный для использования в финальных каскадах усиления базовых станций сотовой связи, работающих в частотном диапазоне от 860 МГц до 960 МГц. Это ключевой компонент для стандартов GSM, E-GSM, DCS и PCS, а также других приложений в УКВ-диапазоне.

Этот транзистор является частью третьего поколения высокоэффективных LDMOS-устройств от Freescale (ныне NXP) и характеризуется высокой линейностью, усилением и надежностью. Суффикс HSR3 указывает на корпус типа "Air Cavity" с фланцем, предназначенный для пайки оплавлением, что обеспечивает отличный отвод тепла и электрические характеристики.

Ключевые особенности

• Частотный диапазон: 860 – 960 МГц (оптимизирован для 900 МГц).
• Высокая выходная мощность: Pout = 80 Вт (средняя) в типичном режиме работы базовой станции.
• Высокий коэффициент усиления: Gps ≥ 18 дБ (типично) при 80 Вт.
• Высокая линейность и эффективность: Отличные характеристики ACPR (Adjacent Channel Power Ratio) для цифровых стандартов, высокая эффективность (Drain Efficiency).
• Напряжение питания: VDD = 28 В (типично для стационарной аппаратуры).
• Внутренняя согласующая цепь: Упрощает проектирование выходного каскада.
• Улучшенная стабильность: Устойчив к нестабильностям, вызванным изменениями нагрузки (высокий КСВ).
• Надежность: Высокая стойкость к электростатическим разрядам (ESD) и перегрузкам по мощности.

Подробные технические характеристики (Типовые значения при VDD = 28 В, f = 940 МГц, если не указано иное)

| Параметр | Условия измерения | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Выходная мощность (Pout) | CW сигнал | 80 | Вт | | Коэффициент усиления (Gps) | При Pout = 80 Вт | ≥ 18.0 | дБ | | КПД (Drain Efficiency - ηD) | При Pout = 80 Вт | ≥ 42 | % | | Линейность (IMD3) | Двухтональный сигнал, Pout = 38 дБм/тона | ≤ -38 | дБc | | Напряжение питания (VDD) | Рекомендуемое рабочее | 28 | В | | Напряжение отсечки (VDSS) | Максимальное | 65 | В | | Ток стока (IDQ) | Ток покоя | 500 - 1200 | мА | | Тепловое сопротивление (RthJC) | От перехода к корпусу | 0.55 | °C/Вт | | Диапазон рабочих температур (Tch) | Корпуса | -40 до +150 | °C | | Вес | | 1.45 | грамм |

Парт-номера и Совместимые модели

Это устройство имеет несколько парт-номеров (альтернативных обозначений), а также модели, которые являются функциональными аналогами или прямыми заменами с незначительными отличиями в характеристиках или корпусе.

1. Парт-номера (Part Numbers) для MRF8P26080HSR3:

Эти номера относятся к тому же самому физическому устройству в том же корпусе (HSR3). Отличия обычно в упаковке (катушка/лоток) или в незначительных производственных ревизиях.

• MRF8P26080H — Базовое обозначение модели без указания корпуса.
• MRF8P26080HS — Версия в корпусе для пайки оплавлением (скорее всего, идентична HSR3).
• Может встречаться как: MRF8P26080HS#R3 — альтернативный формат записи.

2. Ближайшие аналоги и совместимые модели от NXP (Freescale):

Эти транзисторы имеют схожие характеристики (мощность ~80 Вт, диапазон ~900 МГц) и могут использоваться в аналогичных схемах, часто с незначительной перенастройкой.

• MRF8P26080HR6 — Ключевой аналог. Устройство с такими же электрическими параметрами, но в другом корпусе - R6 (также воздушная полость, но с другим рисунком выводов и, возможно, креплением). Это основная альтернатива.
• MRF8P26080H — Общее обозначение семейства. В спецификациях нужно проверять рекомендуемый корпус.
• MRF8P26040H — Модель на 40 Вт. Может использоваться в каскадах предварительного усиления или в менее мощных системах. Имеет версии в корпусах HS, HSR3.
• MRF8P20140H / MRF8P20165H — Более новые модели из серии Gen8.5/GEN9 (20140H - 140Вт, 20165H - 165Вт). Имеют лучшую эффективность и линейность, но рассчитаны на более высокую мощность. Прямой заменой не являются, но представляют собой следующее поколение компонентов для аналогичных задач.
• BLF8G22LS-130PV / BLF8G20LS-140PV — Мощные LDMOS транзисторы от NXP для диапазона 900 МГц. Являются функциональными аналогами, но с другими внутренними схемами согласования и характеристиками.

3. Аналоги от других производителей:

• Ampleon (ранее подразделение RF Philips/NXP):
  • BLF8G22-130 — Мощный транзистор для базовых станций.
• Wolfspeed (Cree):
  • CGH27060F / CGH40060F — Транзисторы на основе GaN HEMT технологии. Имеют более высокую эффективность и рабочую полосу частот, но требуют другого подхода к смещению и схемотехнике. Не являются прямой "втыковой" заменой, но используются в современных разработках вместо LDMOS.
• MACOM:
  • MHT-1008N / MHT-1013N — Мощные транзисторы LDMOS для инфраструктуры.

Применение

• Финальные каскады усиления макро- и микросотовых базовых станций стандартов GSM900, E-GSM, DCS1800.
• Усилители мощности в ретрансляторах (репитерах).
• Другие системы профессиональной радиосвязи в УКВ-диапазоне, требующие высокой линейной мощности.

Важное примечание

При замене MRF8P26080HSR3 на аналог (особенно с другим корпусом, например, HR6), необходимо:

1. Сверять рисунок печатной платы (pinout) и посадочное место.
2. Проверять рекомендации по монтажу в даташите (профиль пайки оплавлением).
3. Возможно, потребуется незначительная подстройка входной/выходной согласующей цепи для достижения оптимальных характеристик, даже при переходе на парт-номер HR6.