Freescale MRF8S23120H

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт номера и совместимые модели для усилителя мощности Freescale MRF8S23120H.

Описание

Freescale MRF8S23120H — это транзистор для усиления мощности на основе технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor), предназначенный для приложений сотовой связи в диапазоне от 2300 МГц до 2400 МГц.

Этот компонент был разработан для использования в выходных каскадах усилителей мощности базовых станций 3G (W-CDMA) и 4G (LTE), работающих в частотном диапазоне 2.3 – 2.4 ГГц. Ключевыми преимуществами являются высокая линейность, коэффициент усиления и эффективность, что критически важно для современных стандартов связи с сложными видами модуляции.

Устройство поставляется в прочном и термостабильном керамическом корпусе с воздушной полостью (Air Cavity), обеспечивающем хороший теплоотвод и надежность при работе в жестких условиях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 2300 – 2400 МГц | | | Схема включения | Класс AB | Типично для линейных усилителей | | Выходная мощность (Pout) | 120 Вт (50.8 dBm) | Средняя мощность при работе с сигналом W-CDMA | | Коэффициент усиления (Gain) | 16.0 дБ мин. | @ 2400 МГц, Pout = 120 Вт | | КПД (Drain Efficiency) | 38% | @ 2400 МГц, Pout = 120 Вт | | Линейность (ACPR) | -37 дБн тип. | @ ±5 МГц от несущей, W-CDMA | | Рабочее напряжение (VDD) | 28 В / 32 В | Постоянное напряжение стока | | Напряжение смещения (VGG) | ~3.0 – 3.6 В | Типичное напряжение на затворе | | Ток покоя (Idq) | 400 мА тип. | | | Ток стока (ID) | 9.5 А | @ Pout = 120 Вт | | Сопротивление "Включено" (RDS(on)) | 25 мОм тип. | | | Порог напряжения (VBR)DSS | > 65 В | Напряжение пробоя "Сток-Исток" | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.45 °C/Вт | Переход-корпус | | Способ монтажа | Пайка | Используется золотая верхняя пластина | | Корпус | Air Cavity Ceramic, 2-lead | FLANGE-MRFS1 (Размер: ~23.6 x 12.3 мм) |

Парт номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель Freescale Semiconductor был приобретен компанией NXP Semiconductors в 2015 году. Поэтому основным партномером сейчас является номер от NXP. Также существуют прямые аналоги и вторые источники.

1. Оригинальные и основные парт номера:

• MRF8S23120HS – Скорее всего, стандартная версия для поставки.
• MRF8S23120HR3 – Версия в формате поставки на бобине (Tape & Reel) для автоматизированной сборки.
• NXP MRF8S23120H – Актуальное наименование под брендом NXP.

2. Прямые аналоги и вторые источники:

Компания Ampleon, которая была выделена из NXP, является основным вторым источником для многих LDMOS-транзисторов. Модели часто являются pin-to-pin совместимыми аналогами.

• Ampleon BLF8G27LS-230V – Очень близкий аналог по характеристикам и назначению.
• Ampleon BLF8G22LS-230V – Еще один вариант из портфолио Ampleon для этого диапазона частот.

3. Совместимые / альтернативные модели (от других производителей):

Строгой pin-to-pin совместимости может не быть, и требуется проверка посадочного места и цепи смещения, но эти модели покрывают схожий частотный диапазон и уровень мощности:

• Microsemi (ныне часть Microchip) SAV-541+ - Хотя это гибридная микросборка, она может использоваться в схожих применениях.
• Wolfspeed (Cree) CGH31240F – Транзистор на основе GaN HEMT технологии, предлагающий более высокую эффективность и широкую полосу пропускания, но требующий другой схемотехники.

Важные примечания по применению

1. Совместимость: Устройства от NXP и Ampleon (например, BLF8G27LS-230V) часто являются прямыми аналогами (drop-in replacements). Это означает, что они имеют идентичные корпуса, цоколевку и схожие электрические характеристики, что позволяет заменить один на другой с минимальными доработками схемы.
2. Смещение: LDMOS-транзисторы требуют точного и стабильного источника отрицательного смещения на затворе для безопасного запуска и работы. Неправильное смещение может мгновенно вывести устройство из строя.
3. Теплоотвод: Из-за высокой рассеиваемой мощности (может достигать 150-200 Вт) критически важен эффективный теплоотвод. Монтаж на радиатор должен быть выполнен с соблюдением момента затяжки и с использованием качественной теплопроводящей пасты.
4. Согласующие цепи: Для достижения заявленных характеристик необходимо точное соблюдение рекомендаций производителя по входным и выходным согласующим цепям, приведенных в Datasheet.

Для проектирования с использованием этого компонента настоятельно рекомендуется скачать и изучить официальный даташит (Datasheet) с сайта NXP Semiconductors.