Freescale MRF8S26120HS

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного LDMOS-транзистора Freescale (NXP) MRF8S26120HS.

Описание и назначение

MRF8S26120HS — это транзистор на основе технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от Freescale (ныне NXP Semiconductors), предназначенный для использования в выходных каскадах мощных усилителей в системах промышленного и инфраструктурного радиосвязи.

Ключевые особенности и применение:

• Назначение: Выходной каскад усилителей мощности для базовых станций сотовой связи (BTS), систем радиосвязи стандартов GSM, EDGE, CDMA, W-CDMA, LTE, TD-SCDMA в частотном диапазоне от 2.1 до 2.7 ГГц.
• Технология: Высокоэффективная LDMOS-технология 8-го поколения (Gen8), обеспечивающая высокую линейность, усиление и надежность.
• Архитектура: Транзистор выполнен в корпусе Air Cavity, что минимизирует паразитные емкости и потери, обеспечивая превосходные ВЧ-характеристики.
• Упаковка: Керамический фланцевый корпус с внутренним согласованием по входу и выходу для упрощения проектирования ВЧ-тракта.

Технические характеристики (ТТХ)

Приведены типовые характеристики при напряжении питания Vdd = 28V и комнатной температуре, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 2100 - 2700 МГц | Оптимизирован для 2.1 - 2.7 ГГц | | Выходная мощность (Pout) | 120 Вт (пиковая) | Для сигналов с высокой пик-фактором (PAR) | | КПД (Drain Efficiency) | ~40-45% | В типичном режиме работы (например, для W-CDMA) | | Усиление (Gain) | 17.5 дБ мин. | При Pout = 20W, 2110-2170 МГц | | Линейность (ACLR) | < -50 дБн | Для сигналов 3G/4G (W-CDMA, LTE) | | Напряжение питания (Vdd) | 28 В | Номинальное напряжение стока | | Напряжение отсечки (Vth) | 2.0 - 3.0 В | Напряжение затвор-исток для отсечки тока | | Ток покоя (Idq) | 100 - 300 мА | Настраиваемый ток смещения | | Термическое сопротивление (Rth) | 0.4 °C/Вт | Сопротивление "кристалл-корпус" | | Класс надежности (MTTF) | > 100 лет | При температуре кристалла 150°C | | Вход/Выход импеданс | Согласованы | Внутренняя предсогласующая цепь для ~5 Ом |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Транзистор часто поставляется под несколькими кодами, включающими маркировку партии и упаковки.

• Основной парт-номер: MRF8S26120HSR3
  • R3 в конце часто указывает на тип упаковки/рулона для автоматического монтажа (Tape & Reel).

Совместимые и аналогичные модели от NXP (Freescale):

При замене или новом проектировании важно учитывать не только мощность, но и частотный диапазон, усиление и топологию согласующих цепей. Ниже приведены модели из той же линейки и поколения:

1. Модели с БОЛЬШЕЙ мощностью в том же диапазоне:

   • MRF8S27140HS / MRF8S27140H - 140 Вт, 2.6-2.7 ГГц.
   • MRF8S20140HS / MRF8S20140H - 140 Вт, 2.0-2.2 ГГц.

2. Модели с МЕНЬШЕЙ мощностью в том же диапазоне:

   • MRF8S26100H - 100 Вт, 2.6-2.7 ГГц.
   • MRF8S21100H - 100 Вт, 2.1-2.2 ГГц.
   • MRF8S20170NR3 - 70 Вт, 2.0-2.2 ГГц (более новая серия "N").
   • MRF8S26100NR3 - 100 Вт, 2.6-2.7 ГГц (серия "N").

3. Аналогичные модели для других частотных диапазонов (Gen8 LDMOS):

   • MRF8VP2600H - 250 Вт, 860-960 МГц (для диапазона GSM900).
   • MRF8VP2000H - 200 Вт, 1805-1880 МГц (для диапазона DCS1800).
   • MRF8P2016WHSR5 - 16 Вт, 2010-2025 МГц (драйверный каскад).

Важные замечания по совместимости:

• Прямая замена (Drop-in Replacement): Модели с одинаковым суффиксом в названии (например, ...120HS) часто, но не всегда, являются прямыми аналогами с точки зрения корпуса и цоколевки. Необходимо сверяться с Datasheet и evaluation board layout.
• Поколение технологий: Рекомендуется искать замену в рамках одного поколения LDMOS (например, Gen8), так как у них схожие требования к смещению, стабильности и схемам согласования.
• Ключевые отличия: Даже в рамках одной серии модели могут отличаться внутренней предсогласующей цепью, оптимизированной под конкретную полосу частот (например, 2.1-2.2 ГГц vs 2.6-2.7 ГГц).

Где найти информацию

1. Официальная документация NXP: На сайте NXP следует искать последнюю версию даташита (MRF8S26120HS Data Sheet) и руководства по применению (Application Note).
2. Evaluation Board: NXP обычно предоставляет документацию на оценочную плату (например, MRF8S26120HS Evaluation Board), которая является лучшим руководством для проектирования схемы смещения, согласования и теплоотвода.
3. Актуальные аналоги: Поскольку эта модель выпускалась много лет, для новых проектов стоит рассмотреть более новые серии, такие как MRF8S серии "N" или "P", которые могут предлагать улучшенные характеристики.

Вывод: MRF8S26120HS — это проверенный, высоконадежный мощный LDMOS-транзистор для инфраструктурных применений в диапазоне 2.1-2.7 ГГц. При поиске замены или аналога необходимо тщательно анализировать частотные и мощностные характеристики, а также электрическую и тепловую совместимость.