Freescale MRF8S7170NR3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для усилителя мощности Freescale/NXP MRF8S7170NR3.

Общее описание

MRF8S7170NR3 — это транзистор для усиления мощности в диапазоне UHF (ультравысокие частоты), разработанный на основе передовой технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от компании Freescale (ныне NXP Semiconductors). Ключевая особенность этого транзистора — его способность работать в широкой полосе частот, что делает его универсальным решением для различных приложений.

Основное назначение: Усилители мощности в базовых станциях систем мобильной связи стандартов GSM, EDGE, CDMA, WCDMA, LTE, а также в других системах связи и радиовещания в диапазоне UHF.

Ключевые преимущества:

• Широкая полоса пропускания: Позволяет охватывать несколько частотных диапазонов одним усилителем.
• Высокая линейность: Критически важна для современных цифровых стандартов связи с сложными типами модуляции (QPSK, QAM), так как минимизирует искажения и межсимвольные помехи.
• Высокий коэффициент усиления: Упрощает построение каскада усиления, уменьшая количество требуемых каскадов.
• Технология LDMOS: Обеспечивает высокую надежность, устойчивость к рассогласованию нагрузки (VSWR) и хорошую тепловую стабильность.
• Интегрированная ESD-защита: Повышает надежность при монтаже и эксплуатации.

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 700 - 1000 МГц | Оптимизирован для работы в этом диапазоне. | | Выходная мощность (Pout) | 70 Вт (48.5 дБм) | Тип. при питании 28V, в режиме насыщения. | | Коэффициент усиления (Gain) | 17.5 дБ | Тип. значение на частоте 860 МГц. | | КПД (Drain Efficiency) | ~45% | Тип. значение при работе в режиме насыщения. | | Линейность (ACPR для WCDMA) | < -50 дБc | Тип. значение, характеризует качество сигнала. | | Напряжение питания (Vdd) | 28 В | Стандартное напряжение для усилителей базовых станций. | | Класс усиления | Класс AB | Оптимальный баланс между линейностью и КПД. | | Коэффициент стоячей волны (VSWR) | Выдерживает 10:1 | Высокая устойчивость к рассогласованию нагрузки. | | Тип корпуса | Air-Cavity, Ceramic Metal Flange Package | Пластинчатый корпус с керамической крышкой для эффективного отвода тепла. | | Сопротивление | 50 Ом | Стандартное для ВЧ-трактов. | | Температура хранения | от -65°C до +150°C | | | Монтаж | Поверхностный (SMT) | Для пайки оплавлением на печатную плату с теплоотводом. |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот компонент имеет несколько парт-номеров в зависимости от упаковки и маркировки. Также существуют аналогичные модели с другими характеристиками в том же семействе.

1. Прямые парт-номера MRF8S7170NR3:

• MRF8S7170NR3 — основной и полный номер по каталогу NXP.
• MRF8S7170NR3R2 — вариант, который может указывать на специфическую упаковку (например, на катушке для автоматического монтажа).

2. Модели из того же семейства и аналоги (Freescale/NXP):

Эти модели имеют схожий форм-фактор, технологию и назначение, но различаются по мощности, частоте или усилению. Могут рассматриваться для замены при изменении требований схемы.

| Модель | Мощность | Частота | Ключевое отличие от MRF8S7170NR3 | | :--- | :--- | :--- | :--- | | MRF8S9170NR3 | 90 Вт | 860-960 МГц | Более высокая выходная мощность. | | MRF8S19160HR3 | 190 Вт | 960-1050 МГц | Мощная модель для более высокого частотного диапазона. | | MRF8S21200HSR3 | 120 Вт | 2000-2200 МГц | Модель для диапазона 2 ГГц (3G, LTE). | | MRF7S21140HR3 | 140 Вт | 2110-2170 МГц | Оптимизирован для WCDMA 2.1 ГГц. | | MRF6S21140HR3 | 140 Вт | 2110-2170 МГц | Предыдущее поколение, но широко распространено. |

3. Условно-совместимые модели от других производителей (Прямой замены может не быть!):

Для замены требуется тщательная проверка datasheet и пересчет ВЧ-тракта. Эти производители выпускают конкурирующие LDMOS-транзисторы для аналогичных применений.

• Ampleon (бывшее подразделение RF Power NXP, теперь независимая компания): Модели серий BLF, BLP. Например, BLF7G22LS-140.
• Wolfspeed (Cree) / Infineon: Модели на основе технологии GaN (нитрид галлия), которые предлагают более высокую плотность мощности и КПД, но часто по другой цене. Например, CGH27070.
• Macom (M/A-COM): Широкий портфель транзисторов LDMOS и GaN для инфраструктуры.
• STMicroelectronics: Также имеет линейку LDMOS-транзисторов.

Важное предупреждение: Несмотря на схожие параметры, транзисторы разных производителей имеют различия в эквивалентных схемах, паразитных емкостях и рекомендуемых схемах согласования. Замена почти всегда требует пересмотра и настройки входной/выходной matching-сети для достижения заявленных характеристик.