Freescale TO2704

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для микросхемы Freescale (NXP) TO2704.

Описание

Freescale TO2704 — это мощный высокочастотный N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с логическим уровнем управления, выполненный в популярном корпусе TO-270 (также известном как TO-257, "металлический корпус с одиночным выводом").

Этот транзистор был разработан для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания, мощных усилителях класса D, системах управления двигателями и других схемах, где требуются высокие токи, низкое сопротивление в открытом состоянии и высокая скорость переключения.

Ключевые особенности:

• Логический уровень управления: Позволяет управлять транзистором напрямую от выходов микроконтроллеров (обычно 3.3В или 5В), что упрощает схему драйвера.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
• Высокая скорость переключения: Позволяет эффективно работать на высоких частотах.
• Прочный металлический корпус (TO-270): Обеспечивает отличный отвод тепла, так как металлический фланец (основание) электрически соединен со стоком (Drain) и может быть напрямую прикручен к радиатору.

Технические характеристики

Основные электрические параметры (при T=25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | - | N-Channel MOSFET | - | | Стандартный номер детали | - | MTP75N05HDL | - | | Корпус | - | TO-270 | - | | Напряжение "Сток-Исток" | Vds | 50 В | - | | Ток стока (непрерывный) | Id | 75 А | - | | Ток стока (импульсный) | Idm | 110 А | - | | Сопротивление "Сток-Исток" в откр. сост. | Rds(on) | 0.012 Ом | Vgs = 10 В, Id = 37 А | | | | 0.015 Ом | Vgs = 5 В, Id = 37 А | | Пороговое напряжение затвора | Vgs(th) | 1.0 - 2.0 В | Vds = Vgs, Id = 250 мкА | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" | Vgs | ±20 В | - | | Общая рассеиваемая мощность | Pd | 300 Вт | На радиаторе, при Tc = 25°C | | Температура перехода | Tj | от -55 до +175 °C | - | | Емкость "Затвор-Исток" (входная) | Ciss | 3000 пФ | Vds = 25 В, Vgs = 0 В, f = 1.0 МГц | | Емкость "Сток-Исток" (выходная) | Coss | 800 пФ | Vds = 25 В, Vgs = 0 В, f = 1.0 МГц | | Емкость "Затвор-Сток" (проходная) | Crss | 150 пФ | Vds = 25 В, Vgs = 0 В, f = 1.0 МГц | | Время задержки включения / выключения | td(on) / td(off) | 25 нс / 80 нс | - | | Время нарастания / спада | tr / tf | 60 нс / 60 нс | - |

Парт-номера и прямые аналоги

Поскольку "TO2704" — это, скорее всего, обозначение корпуса или устаревший внутренний код, основным коммерческим номером детали для этого транзистора является MTP75N05HDL.

Основной парт-номер:

• MTP75N05HDL

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

Ищите MOSFET'ы со схожими ключевыми параметрами: N-канал, 50В, 75А, Rds(on) ~0.012-0.015 Ом, логический уровень, корпус TO-220/TO-220AB/TO-262/TO-263.

• International Rectifier (Infineon):
  • IRF7416 (60В, 80А, Rds(on) ~0.007 Ом, TO-220AB) - более современный и эффективный
  • IRF3205 (55В, 110А, Rds(on) ~0.008 Ом, TO-220) - очень популярный аналог
• STMicroelectronics:
  • STP75NF05 (50В, 75А, Rds(on) ~0.011 Ом, TO-220) - почти полный аналог
  • STP80NF55-06 (55В, 80А, Rds(on) ~0.006 Ом, TO-220)
• Fairchild (ON Semiconductor):
  • FDP047N08 (80В, 130А, Rds(on) ~0.0047 Ом, TO-220) - более высокие параметры
  • FDP2532 (60В, 80А, Rds(on) ~0.0055 Ом, TO-220)
• Vishay (Siliconix):
  • SUP75N05-05 (50В, 75А, Rds(on) ~0.0055 Ом, TO-220)

Важные примечания по замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитом перед заменой. Указанные аналоги могут иметь отличия в емкостях, времени задержки и максимальном напряжении затвора.
2. Обращайте внимание на корпус. Аналоги часто поставляются в пластиковом корпусе TO-220AB, который имеет такой же монтажный отвод, но другую механическую конструкцию. Для замены транзистора в TO-270 на аналог в TO-220 может потребоваться другой способ крепления к радиатору.
3. При пайке металлического корпуса TO-270 соблюдайте осторожность, чтобы не перегреть кристалл.

Области применения

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Мостовые и полумостовые схемы преобразователей
• Цепи управления двигателями постоянного тока
• Усилители мощности класса D
• Системы управления батареями (BMS) для высоких токов
• Соленоидные и релейные драйверы