Freescale TO-272

Конечно. Вот подробное описание компонента Freescale TO-272, его характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание

Freescale TO-272 — это не название конкретного устройства, а обозначение типа корпуса (package type), используемого компанией Freescale (ныне часть NXP Semiconductors) для мощных полупроводниковых приборов, в основном для силовых MOSFET-транзисторов и IGBT-транзисторов.

Корпус TO-272 также широко известен под названием D²PAK (или D2PAK) и является одним из самых популярных корпусов для монтажа на поверхность (SMD) в силовой электронике. Он представляет собой SMD-версию классического сквозного корпуса TO-220.

Основные особенности и применение:

• Высокая мощность: Корпус рассчитан на эффективный отвод тепла благодаря большой металлической площадке-основанию, которая припаивается к печатной плате (PCB) и отводит тепло на медные полигоны или радиатор.
• Прочность: Предназначен для работы в жестких условиях с высокими токами и напряжениями.
• SMD-монтаж: Позволяет автоматизировать процесс сборки, в отличие от корпусов для сквозного монтажа.
• Типичные применения:
  • Силовые блоки питания (SMPS)
  • Моторные приводы и контроллеры
  • Автомобильная электроника (управление двигателем, фары, подогревы)
  • Инверторы и преобразователи напряжения

Технические характеристики корпуса TO-272 (D²PAK)

Поскольку это тип корпуса, точные электрические характеристики зависят от конкретной модели транзистора внутри него. Ниже приведены общие параметры для типичных компонентов в этом корпусе.

| Параметр | Типичные значения / Описание | | :--- | :--- | | Тип корпуса | SMD (Surface-Mount Device) | | Количество выводов | 3 (Сток, Затвор, Исток) или более (например, 5 выводов у некоторых IGBT с отдельным выводом эмиттера для драйвера) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | До 150 Вт и более (сильно зависит от теплового режима на плате) | | Сопротивление "Корпус-Радиатор" (R_thJC) | Около 1-2 °C/Вт (позволяет эффективно отводить тепло) | | Материал корпуса | Пластик, стойкий к высоким температурам | | Температура хранения | от -55 °C до +150 °C | | Максимальная температура пайки | ~ 260 °C (в соответствии с профилями бессвинцовой пайки) |

Пример электрических характеристик для мощного MOSFET в TO-272:

• Напряжение "Сток-Исток" (V_DSS): от 30В до 600В и выше
• Постоянный ток стока (I_D) при 25°C: от 20А до 150А
• Сопротивление открытого канала (R_DS(on)): от единиц до десятков миллиОм (мОм)

Парт-номера (Part Numbers)

Компания Freescale/NXP выпускала множество компонентов в этом корпусе. Вот некоторые из самых популярных серий и конкретных парт-номеров:

1. N-канальные MOSFET:

• Серия HAT: Высокочастотные транзисторы для импульсных источников питания.
  • HAT2165H
  • HAT2164H
• Серия PHB: Мощные MOSFET для общего применения.
  • PHB83N03LT
  • PHB95N03LTB
• Серия NTMFS: Продвинутые MOSFET с низким Rds(on).
  • NTMFS5C670NL (например, 30 В, 1.8 мОм)
• Серия FDB: MOSFET от подразделения Fairchild, которое также вошло в состав ON Semiconductor (часто используются как совместимые).
  • FDB6670AL (аналог в корпусе D²PAK)

2. P-канальные MOSFET:

• NDT3055L (-60V, -12A)

3. IGBT-транзисторы:

• Серия HGTG: Высокоскоростные IGBT.
  • HGTG30N60A4D
  • HGTG20N60A4D

Примечание: После приобретения Freescale компанией NXP многие парт-номера были мигрированы под бренд NXP. Всегда проверяйте актуальные даташиты на официальном сайте nxp.com.

Совместимые модели и аналоги

Совместимость определяется по корпусу и электрическим характеристикам.

1. Прямые аналоги по корпусу (D²PAK / TO-272): Практически все производители силовых полупроводников имеют продукты в этом корпусе. Ищите компоненты с маркировкой D²PAK, TO-263-3 (технически, TO-263 — это очень близкий, часто взаимозаменяемый корпус, обычно с чуть меньшими габаритами, но необходимо проверять datasheet) или D2PAK.

2. Ключевые производители аналогов:

• Infineon Technologies
• STMicroelectronics
• Vishay / Siliconix
• ON Semiconductor (включая линейку от Fairchild)
• Toshiba
• Renesas

3. Как искать аналог: При поиске замены для конкретного Freescale TO-272 компонента необходимо учитывать следующие параметры:

• Тип транзистора: N-канальный или P-канальный MOSFET, IGBT.
• Напряжение V_DSS / V_CES: Должно быть не ниже, чем у оригинала.
• Ток I_D / I_C: Должен быть не меньше.
• Сопротивление R_DS(on): Должно быть сопоставимым или ниже.
• Корпус: Обязательно D²PAK (TO-272).
• Распиновка выводов (Pinout): Должна полностью совпадать.

Пример: Для замены MOSFET HAT2165H (100V, 36A) можно рассмотреть аналоги от других производителей, например, STP75NF75 от STMicroelectronics (75V, 80A) или IRF7416 от Infineon (100V, 50A), если их напряжение и ток удовлетворяют требованиям вашей схемы.

Важно: Всегда используйте официальные даташиты (datasheet) для сравнения параметров и проверки распиновки перед заменой.