Infineon 11N60S5

Отличный выбор! Infineon 11N60S5 — это надежный и популярный силовой MOSFET-транзистор, широко используемый в импульсных источниках питания, схемах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Описание

Infineon 11N60S5 — это N-канальный MOSFET, изготовленный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™ S5). Эта технология обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) при высокой скорости переключения, что приводит к минимальным потерям проводимости и коммутации.

Ключевые преимущества и применение:

• Высокая эффективность: Низкие динамические и статические потери.
• Высокая надежность: Высокая устойчивость к лавинным нагрузкам (Avalanche Rugged).
• Быстрое переключение: Подходит для высокочастотных преобразователей.
• Основные сферы применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой техники.
  • PFC-корректоры коэффициента мощности.
  • Инверторы и приводы двигателей.
  • DC-DC преобразователи.

Корпус: Выпускается в стандартном изолированном корпусе TO-220, что удобно для монтажа как на печатную плату, так и на радиатор.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Super Junction) | | | Корпус | TO-220 | | | Сток-исток напряжение (VDSS) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток стока (ID при 25°C) | 11 А | Максимальный ток в непрерывном режиме. | | Импульсный ток стока (IDM) | 44 А | Кратковременная перегрузка по току. | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.45 Ом (макс.) @ VGS = 10 В | Ключевой параметр для потерь на проводимость. Чем меньше, тем лучше. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3 - 5 В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться. | | Заряд затвора (Qg) | 38 нКл (тип.) | Влияет на потери при переключении и требования к драйверу. | | Макс. рассеиваемая мощность (PD) | 156 Вт | При условии идеального охлаждения (Tcase = 25°C). | | Диод сток-исток | Встроенный быстрый восстановительный диод | Параметры: IS = 11 A, trr = 110 нс (тип.). |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

При поиске замены или аналога важно смотреть не только на электрические параметры, но и на корпус и распиновку.

1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

• SPP11N60S5 — тот же кристалл в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, без металлической площадки).
• IPP11N60S5 — в корпусе TO-220 FullPAK с улучшенными характеристиками встроенного диода.
• В более новых сериях Infineon (C7, G7) есть аналоги с лучшими параметрами, но при замене нужно проверять распиновку и характеристики драйвера.

2. Прямые аналоги от других производителей (с очень близкими параметрами):

Эти модели можно считать функциональными аналогами и в большинстве случаев использовать как прямую замену, но всегда рекомендуется сверяться с даташитами.

• STMicroelectronics: STP11NK60Z, STP11NM60, STW11NK60Z.
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP11N60, FCH11N60.
• Vishay (Siliconix): SPP11N60C3.
• Power Integration (в составе их микросхем, но не как отдельный MOSFET).

3. Совместимые модели для замены (универсальные аналоги):

Часто в ремонте и новых разработках используют транзисторы с равным или более высоким напряжением и током, и равным или меньшим RDS(on). 11N60S5 можно заменить на:

• Более мощные в том же форм-факторе: 12N60, 13N60, 14N60, 16N60 (от различных производителей). Например, STP12NK60ZFP, FCP16N60.
• С тем же напряжением, но меньшим током (только если это позволяет схема): 10N60, 8N60, 7N60. Например, IRF840 (500В, 8А) является классическим аналогом, но с худшими параметрами.
• Из современных серий: Аналоги из линеек CoolMOS C7/G7 (Infineon), MDmesh™ M2 (ST), SuperFET II/III (Fairchild) будут иметь лучшие характеристики, но могут отличаться динамическими параметрами (емкостью, зарядом затвора).

Важные замечания при замене:

1. Распиновка: Убедитесь, что расположение выводов (Gate, Drain, Source) у аналога совпадает с 11N60S5 (стандартный TO-220: слева-направо G-D-S, если смотреть на лицевую сторону).
2. Параметры затвора: Разный заряд затвора (Qg) и пороговое напряжение (VGS(th)) могут потребовать корректировки схемы управления (драйвера).
3. Встроенный диод: Обратите внимание на время обратного восстановления (trr) встроенного диода, особенно в схемах PFC или мостовых инверторах.
4. Корпус: FullPAK (полностью пластиковый) и стандартный TO-220 (с металлической площадкой) взаимозаменяемы по электричеству, но отличаются способом крепления к радиатору (необходимость изолирующей прокладки).

Рекомендация: Для критичных применений всегда используйте оригинальный 11N60S5 или его прямые аналоги (SPP11N60S5, IPP11N60S5). Для ремонта или упрощения закупок подойдут универсальные аналоги от ST, ON Semi, Vishay с аналогичными или улучшенными вольт-амперными характеристиками.