Infineon 13DB

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для Infineon 13DB.

Общее описание

Infineon 13DB — это не отдельный компонент, а семейство (серия) силовых MOSFET-транзисторов в известном и широко распространенном корпусе TO-220. Эти транзисторы предназначены для применения в импульсных источниках питания (SMPS), DC-DC преобразователях, цепях управления двигателями и других силовых электронных устройствах, где требуется высокоэффективное ключевое управление.

Ключевые особенности семейства:

• Технология OptiMOS™: Это поколение MOSFET от Infineon, оптимизированное для низкого сопротивления в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой эффективности переключения. Это снижает потери на проводимость и нагрев.
• Корпус TO-220: Надежный, недорогой и удобный для монтажа корпус с хорошими тепловыми характеристиками. Позволяет устанавливать радиатор для отвода тепла.
• Высокая надежность: Предназначены для промышленных и потребительских применений.
• Логический уровень управления (Logic Level): Многие транзисторы в этой серии имеют низкий порог открывания (Vgs(th)), что позволяет управлять ими напряжением всего 5В или 10В напрямую с выходов микроконтроллеров или драйверов, без использования дополнительных схем.

Технические характеристики (типичные для серии)

Характеристики варьируются в зависимости от конкретной модели. Приведены диапазоны для наиболее распространенных парт-номеров.

| Параметр | Значение / Диапазон | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Полевой транзистор с N-каналом | | Семейство | OptiMOS™ (обычно 5-е или 6-е поколение) | | | Корпус | TO-220 | Трехвыводной (Drain, Gate, Source) | | Напряжение сток-исток (V_DSS) | от 40В до 100В | Наиболее популярные: 55В, 60В, 80В, 100В | | Ток стока (I_D) при 25°C | от 50А до 160А | Зависит от модели и условий охлаждения | | Сопротивление в открытом состоянии R_DS(on) max | от ~1.0 мОм до ~10 мОм | При V_GS=10В. Чем меньше, тем лучше. | | Пороговое напряжение затвора V_GS(th) | ~2 - 4 В | Подтверждает возможность логического управления | | Заряд затвора (Q_g) | ~50 - 150 нКл | Влияет на скорость переключения и требования к драйверу. | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | ~125 - 200 Вт | При температуре корпуса 25°C и с идеальным радиатором. |

Парт-номера (Part Numbers)

Номер 13DB — это код корпуса (TO-220). Полный парт-номер формируется как IPP + [Ток] + [Напряжение] + 13DB.

Вот наиболее распространенные и популярные модели:

| Полный парт-номер | Краткое описание | Ключевые характеристики (тип.) | | :--- | :--- | :--- | | IPP040N06N3 G | Флагман серии, очень низкое Rds(on) | Vdss=60В, Id=140А, Rds(on)=4.0 мОм | | IPP041N06N3 G | Аналог 040N06N3 | Vdss=60В, Id=140А, Rds(on)=4.1 мОм | | IPP060N06N3 G | Высокий ток, низкое сопротивление | Vdss=60В, Id=160А, Rds(on)=6.0 мОм | | IPP096N03L G | Низковольтная, высокоэффективная модель | Vdss=30В, Id=100А, Rds(on)=9.6 мОм (при 5В!) | | IPP110N20N3 G | Для более высоких напряжений | Vdss=200В, Id=110А, Rds(on)=19 мОм | | IPP023N10N5 G | Высоковольтная модель | Vdss=100В, Id=85А, Rds(on)=2.3 мОм | | IPP050N10N3 G | Баланс напряжения и тока | Vdss=100В, Id=50А, Rds(on)=5.0 мОм |

Примечание: Буква G в конце часто означает "безгалогенный/соответствующий RoHS". Наличие или отсутствие пробелов (IPP110N20N3 G или IPP110N20N3G) не меняет сути.

Совместимые модели и аналоги

Совместимость зависит от конкретной схемы и требований. В общем случае, ищут транзистор с равным или большим напряжением V_DSS, равным или большим током I_D и сопоставимым или меньшим R_DS(on). Важны также заряды затвора (Q_g) для драйвера и расположение выводов.

1. Аналоги от других производителей (прямая или близкая замена):

• STMicroelectronics: STP110N6F7, STP140N6F7, STH160N55F7 (серия STripFET F7).
• Vishay / Siliconix: SIHO60N60E, SUP110N06-09 (серия TrenchFET).
• ON Semiconductor (Fairchild): FDP110N06, FDP100N06 (серия PowerTrench).
• IR (International Rectifier): IRLB110N06, IRF1406 (обратите внимание на логический уровень у IRL-серии).

2. Совместимые по выводам и применению (кросс-совместимость):

Практически любой MOSFET в корпусе TO-220 с аналогичными или лучшими электрическими характеристиками будет совместим по монтажу. Однако необходимо:

• Всегда проверять распиновку (pinout)! У подавляющего большинства TO-220 стандартная: 1-Gate, 2-Drain, 3-Source (вид со стороны выводов, маркировка сверху). Но бывают исключения.
• Проверять соответствие управляющего напряжения.
• Учитывать необходимость доработки цепи управления, если заряд затвора (Q_g) аналога сильно отличается.

Где применяются:

• Силовые каскады компьютерных БП и серверных источников питания.
• Низковольтные DC-DC преобразователи (например, для питания процессоров, в POL-модулях).
• Управление двигателями (в электровелосипедах, небольших промышленных приводах).
• Инверторы и сварочные аппараты (в зависимости от модели по напряжению).
• Силовые ключи в автомобильной электронике (например, в контроллерах освещения).

Важная рекомендация: Для выбора конкретной модели или аналога всегда используйте официальный даташит (datasheet) от Infineon или производителя аналога и учитывайте все параметры вашего проекта, особенно тепловой режим.