Infineon 2A200HB12C2F

Отличный выбор! Infineon 2A200HB12C2F — это очень популярный и надежный IGBT-модуль, который долгое время был "рабочей лошадкой" в силовой электронике средней мощности.

Вот подробное описание и технические характеристики.

Описание

Infineon 2A200HB12C2F — это двухключевой (dual) IGBT-модуль в стандартном промышленном корпусе 62 мм (полумодуль). Он содержит два независимых IGBT-транзистора с обратными диодами (FRD), соединенных в схеме "полумост" (Half-Bridge). Это означает, что внутри уже есть верхний и нижний ключ для построения одного плеча инвертора, преобразователя частоты или импульсного источника питания.

Модуль предназначен для управления трехфазными двигателями, преобразователей в системах ИБП, сварочных инверторах и другом промышленном оборудовании. Его ключевые преимущества — высокая надежность, низкое падение напряжения в открытом состоянии и удобство монтажа благодаря изолированному основанию (керамическая подложка DCB, изолированная медная основа).

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) | 2 в 1 (верхний и нижний ключ) | | Корпус | 62mm (EconoDUAL™ 2) | Стандартный промышленный корпус | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | Основной класс напряжения | | Номинальный ток коллектора (I_C @25°C) | 200 А | При температуре корпуса 25°C | | Номинальный ток коллектора (I_C @80°C) | 135 А | При температуре корпуса 80°C (более реалистичный параметр) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А | | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.8 В (тип.) | При I_C=200A, V_GE=15В | | Напряжение насыщения диода (V_FC) | ~2.1 В (тип.) | | | Напряжение управления затвором (V_GE) | ±20 В (макс.) / ±15 В (реком.) | Стандартное управление +15В/-15В (или -5...-15В) | | Заряд затвора (Q_g) | ~1500 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера | | Скорость переключения | Низкая/средняя (NPT-технология) | Устойчив к перегрузкам, имеет мягкое выключение | | Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)) | 0.12 К/Вт (на ключ) | | | Материал основания | Медь, изолированная | Позволяет монтировать все модули на общий радиатор | | Рабочая температура перехода (T_vj) | -40°C ... +150°C | | | Вес | ~270 грамм | |

Примечание по технологии: Этот модуль выполнен по устаревшей, но очень надежной NPT (Non-Punch Through) технологии IGBT 3-го поколения. Она обеспечивает высокую стойкость к коротким замыканиям (обычно 10 мкс) и широкую площадь безопасной работы (SOA), но имеет большее V_CE(sat) и меньшую скорость переключения по сравнению с современными Trench/Fieldstop модулями.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот модуль имеет несколько вариантов маркировки и множество прямых и функциональных аналогов.

Прямые аналоги Infineon (тот же корпус и параметры):

• 2A200HB12C2F — базовая модель.
• 2A200HB12C2 — более старая маркировка, практически то же самое.
• 2A200HB12C2FOM1 — вариант с определенной партией или упаковкой.

Совместимые / Функциональные аналоги от других производителей:

Здесь важно совпадение: конфигурации (полумост), напряжения (1200В), тока (~200А) и корпуса (62mm).

• Fuji Electric:
  • 2MB1200VA-200-50 (очень популярный и распространенный аналог)
  • 2MBI200VA-120-50
• Mitsubishi Electric:
  • CM200HB-12C (прямой и самый известный конкурент)
  • CM200HB-12C2
• SEMIKRON:
  • SKM200GB12C (аналог в корпусе SEMITRANS)
  • SKM200GB12C4
• Hitachi (ныне входят в Mitsubishi):
  • MBM200BS12C
• IXYS (ныне часть Littelfuse):
  • Модули в корпусе 62mm, например, IXGH200N120B3 (отдельные IGBT, не модуль), но полных аналогов в том же форм-факторе меньше.

Современные аналоги (более новые технологии, могут требовать адаптации драйверов):

Это модули с лучшими характеристиками (меньшие потери), но часто с обратной совместимостью по корпусу и креплению. Внимание! Могут отличаться требования к драйверу (меньший заряд затвора) и поведением при КЗ.

• Infineon (Trench/Fieldstop):
  • FF200R12KE3 (EconoDUAL™ 3, корпус такой же 62мм, но производительнее)
  • FF200R12KE3G (с дополнительным температурным датчиком)
  • FF200R12KT3 / KT4 (с быстрым диодом для частотных применений)
• Fuji Electric:
  • 2MB1200VA-200-54 (более новая серия)
• Mitsubishi Electric:
  • CM200HB-12C2H (обновленная версия)

Важные замечания при замене:

1. Драйвер затвора: Аналоги от Fuji или Mitsubishi обычно совместимы по управлению (±15В). При переходе на современные модули (KE3, KT3) может потребоваться корректировка номиналов резисторов в цепи затвора из-за меньшего заряда Q_g.
2. Характеристики диода: У разных производителей разная скорость восстановления обратного диода. Это может влиять на потери и помехи в высокочастотных схемах.
3. Распиновка: Всегда сверяйте pinout (расположение выводов) по даташитам! Хотя корпус стандартный, расположение силовых и управляющих выводов у разных производителей может незначительно отличаться.
4. Механический монтаж: Корпуса 62mm стандартизированы, поэтому механическая совместимость с радиатором обычно полная.

Рекомендация: Перед заменой всегда изучайте актуальные даташиты обоих модулей (старого и нового), особенно разделы Absolute Maximum Ratings, Electrical Characteristics и Mounting Diagram.