Infineon 3BR2565JF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для силового тиристора Infineon 3BR2565JF.

Описание

Infineon 3BR2565JF — это классический обратно-проводящий тиристор (RCT - Reverse Conducting Thyristor). Это мощный полупроводниковый ключ, предназначенный для управления большими токами в цепях переменного тока, преимущественно в низкочастотных (50/60 Гц) инверторах и преобразователях.

Его ключевая особенность — в одном корпусе интегрирован тиристор (основной управляемый ключ) и встречно-параллельно включенный диод (для пропускания обратного тока). Такая конструкция упрощает монтаж схемы, улучшает тепловые и динамические характеристики по сравнению с раздельным подключением двух дискретных компонентов.

Основное назначение: Используется в мощных индукционных и промышленных нагревательных установках, сварочных инверторах, пусковых устройствах, системах плавного пуска электродвигателей.

Технические характеристики

Здесь представлены ключевые параметры на основе даташита. Характеристики приведены для температуры перехода Tj = 125°C, если не указано иное.

1. Характеристики тиристора (в прямом направлении):

• Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (VDRM / VRRM): 1600 В
• Средний прямой ток в открытом состоянии (IT(AV)): 2550 А (при эффективном токе ~4000 А)
• Ударный (неповторяющийся) прямой ток (ITSM): 30 000 А (длительность 10 мс)
• Критическая скорость нарастания прямого напряжения (dv/dt): 1000 В/мкс
• Напряжение управления включением (GT):
  • Напряжение на затворе (VGT): 2.0 В (тип.)
  • Ток затвора (IGT): 400 мА (тип.)
• Время включения (tgt): 4 мкс (тип.)

2. Характеристики интегрированного диода (в обратном направлении):

• Средний обратный ток (IR(AV)): 1080 А
• Ударный обратный ток (IRSM): 22 000 А (длительность 10 мс)
• Обратное время восстановления (trr): 40 мкс (тип.)

3. Тепловые и механические характеристики:

• Корпус: Press-Fit (с запрессовкой), H4 (стандартное обозначение для данного форм-фактора).
• Материал контактов: Медь.
• Максимальная температура перехода (Tj max): 125 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)): 3.5 мК/Вт (тип.)
• Вес: Приблизительно 450 г.

4. Ключевые преимущества:

• Высокая надежность и стойкость к перегрузкам.
• Низкие потери в открытом состоянии.
• Интегрированная конструкция (тиристор + диод) для компактности и надежности.
• Технология пассивации стеклом для стабильной работы в тяжелых условиях.
• Корпус Press-Fit для надежного монтажа в охладители без пайки.

Парт-номера и совместимые модели

Важно: Прямая совместимость (drop-in replacement) должна проверяться по даташитам, так как могут быть нюансы в характеристиках управления, тепловых параметрах и допусках.

1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon: Модель 3BR2565JF является частью устоявшейся линейки. Ближайшие аналоги в том же корпусе и с аналогичными характеристиками:

• 3BR2565F — базовая версия, вероятно, с незначительными отличиями в маркировке или допусках.
• 3BR2565J — вариант без буквы "F" может обозначать другую ревизию или упаковку.

2. Совместимые / аналогичные модели от других производителей: Данный тиристор принадлежит к широко распространенному классу H4 (диаметр ~50 мм). Аналоги ищутся по ключевым параметрам: VDRM ≥1600В, IT(AV) ~2500А, корпус H4 Press-Fit.

Производители и возможные серии-аналоги:

• ABB (ныне часть Hitachi Energy): Серия 5STP (например, 5STP 26Q2800 или аналогичные по току/напряжению). Нужно искать модель с индексом "R" для обратной проводимости (например, 5STP R...).
• Hitachi Energy (бывш. ABB Semiconductors): Продолжение линейки 5STP.
• EUPEC (часть Infineon): Модели серий R (например, R2565...). Фактически, 3BR2565JF — это и есть наследник этих линеек.
• Siemens (в настоящее время производство свернуто или передано): Старые серии, такие как R.
• Прочие (STMicroelectronics, IXYS и др.): Могут иметь аналоги в формате H4, но требуется тщательная проверка электрических и механических параметров.

3. Ключ для поиска аналогов: При поиске замены ориентируйтесь на следующие параметры в описании:

• RCT или Reverse Conducting Thyristor.
• 1600V / 1.6kV.
• ~2500A (средний ток).
• H4 Housing / H4 Package.
• Press-Fit или Press-Pack mounting.

Рекомендация: Всегда запрашивайте актуальный даташит на конкретную модель для проверки критических параметров (IGT, VGT, тепловое сопротивление, габаритные размеры) перед заменой. Особенно важно совпадение характеристик управления и монтажных размеров корпуса.