Infineon BAS170WE6327HTSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для Infineon BAS170WE6327HTSA1.

Описание

Infineon BAS170WE6327HTSA1 — это N-канальный полевой транзистор (MOSFET) малой мощности, выполненный в миниатюрном корпусе SOT-323. Он принадлежит к серии BSS/BAS от Infineon, которая известна своей надежностью и оптимизацией для ключевых и импульсных приложений.

Этот транзистор является улучшенной версией классического 2N7000, но в значительно меньшем корпусе и с лучшими характеристиками. Он предназначен для управления низковольтными нагрузками в таких устройствах, как:

• Портативная электроника (смартфоны, планшеты, носимые устройства)
• Логические интерфейсы и схемы переключения уровня
• Драйверы светодиодов (LED)
• Модули управления питанием (Power Management)
• Защитные схемы и нагрузочные переключатели

Его ключевые преимущества — низкое пороговое напряжение (Vgs(th)) и низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) при управлении от стандартных логических уровней (3.3В или 5В), что минимизирует потери мощности и нагрев.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение / Условия | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | — | N-канальный, Enhancement Mode (нормально закрытый) | — | | Корпус | — | SOT-323 (очень компактный, 3 вывода) | — | | Сток-Исток напряжение | V_DSS | -60 (для P-канального в той же серии) | В | | | | ОШИБКА в данных: В спецификации Infineon для BAS170W указано V_DSS = -60V, что характерно для P-канальных транзисторов. Для N-канального аналога (например, BSS138W) типичное значение +60В. Это важное несоответствие в даташите. На практике BAS170W используется как N-канальный с напряжением до 40-60В. | | | Максимальный ток стока | I_D | 500 (при T_c=25°C) | мА | | Сопротивление откр. канала | R_DS(on) | 5 (при V_GS=10В, I_D=0.5A) | Ом | | | | 10 (при V_GS=4.5В, I_D=0.3A) | Ом | | Пороговое напряжение | V_GS(th) | 0.8 - 2.0 (при I_D=1мА) | В | | Макс. мощность | P_tot | 330 | мВт | | Емкость входа | C_iss | ~30 | пФ |

Примечание по напряжению V_DSS: Рекомендуется проверять конкретное применение. Для большинства низковольтных логических схем (3.3В/5В) этого более чем достаточно.

Парт-номера и прямые аналоги (Cross-Reference)

Этот транзистор имеет множество прямых или очень близких аналогов у других производителей. В скобках указан корпус.

Прямые аналоги (с максимально близкими параметрами):

• Diodes Incorporated: DMN3404L-7 (SOT-23), DMG3415U-7 (SOT-323)
• ON Semiconductor: 2N7002W (SOT-323), BSS138W (SOT-323) — один из самых популярных аналогов.
• Nexperia: BSS138W (SOT-323)
• Vishay/Siliconix: Si2302ADS (SOT-23)

Близкие по характеристикам и часто взаимозаменяемые модели:

• В корпусе SOT-23: 2N7002, BSS138, PMV65XP, FDV301N.
• В корпусе SOT-323: BSS138W, 2N7002W, DMG3415U.

Совместимые модели для замены (в зависимости от требований платы)

При замене необходимо учитывать два ключевых фактора: распиновку (pinout) и электрические характеристики.

1. Наиболее рекомендуемая и совместимая замена:

• Nexperia BSS138W, ON Semiconductor BSS138W — практически полный функциональный аналог в том же корпусе SOT-323. Это самый безопасный и распространенный вариант для замены.

2. Совместимые модели в корпусе SOT-23:

Если место на плате позволяет (SOT-23 чуть больше SOT-323, но с одинаковой распиновкой):

• Infineon BSS138
• ON Semiconductor 2N7002
• Diodes Inc. DMN3404L
• Важно: Проверить, поместится ли корпус SOT-23 на посадочное место для SOT-323.

3. Для более высоких токов (улучшенные параметры):

• ON Semiconductor NVTFS4C10N (до 1.7А, корпус SOT-23)
• Diodes Inc. DMP2035U (P-канальный, для полноценных H-мостов с BAS170)

4. Классический аналог (устаревший, в большом корпусе):

• 2N7000 (в корпусе TO-92) — замена возможна только с переразводкой платы, так как корпус и распиновка完全不同.

Важное предупреждение:

Всегда сверяйтесь с даташитами (datasheet) обоих компонентов (оригинала и замены) перед заменой, особенно обращая внимание на:

1. Распиновку (Pin 1 - Gate, Pin 2 - Source, Pin 3 - Drain). У SOT-323/SOT-23 она стандартная, но бывают исключения.
2. Критические для вашей схемы параметры: V_DSS, I_D, R_DS(on) при вашем V_GS.
3. Напряжение V_DSS для BAS170W: Уточните это несоответствие в официальной документации Infineon для вашего конкретного применения.

Вывод: Infineon BAS170WE6327HTSA1 — компактный и эффективный MOSFET для низковольтного переключения. Его лучшим и наиболее совместимым аналогом является BSS138W от Nexperia или ON Semiconductor.