Комплектующие для промышленного оборудования Программное обеспечение Для автомобилей Запчасти Сельхозназначение
Корзина
@
Регистрация Забыли пароль

Infineon BB811

Infineon BB811
Артикул: 561904
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Варианты оплат Варианты доставки

Описание Infineon BB811

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для IGBT-транзистора Infineon BB811.

Общее описание

Infineon BB811 — это N-канальный IGBT-транзистор в корпусе TO-263 (D²PAK), разработанный для высокоэффективных и надежных ключевых применений. Этот компонент сочетает в себе преимущества биполярного транзистора (высокое напряжение и ток) и полевого транзистора (управление по напряжению).

Ключевая особенность серии BB811 — использование технологии TrenchStop™ от Infineon. Эта технология позволяет достичь:

  • Низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): что приводит к меньшим потерям проводимости и более высокой энергоэффективности.
  • Высокой плотности тока: позволяет уменьшить размер чипа и, соответственно, стоимость.
  • Плавной характеристики выключения (Soft Switching): снижает электромагнитные помехи (EMI) и потери при коммутации.
  • Широкой области безопасной работы (RBSOA): повышает надежность и стойкость к перегрузкам.

Основные области применения:

  • Силовая электроника: Импульсные источники питания (SMPS), особенно в корректорах коэффициента мощности (PFC) и LLC-резонансных преобразователях.
  • Управление двигателями: Частотные преобразователи, драйверы двигателей бытовой и промышленной техники.
  • Инверторы: Для систем солнечной энергетики (солнечные инверторы), сварочного оборудования.
  • Индукционный нагрев.

Технические характеристики (Типовые / Максимальные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCES | 600 В | Максимальное повторяющееся напряжение | | Ток коллектора (непрерывный) | IC @ 25°C | 11 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток коллектора (непрерывный) | IC @ 100°C | 6 А | При температуре корпуса 100°C | | Ток коллектора (импульсный) | ICM | 22 А | Максимальный импульсный ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | 1.65 В (тип.) | При IC = 11А, VGE = 15В | | Пороговое напряжение затвора | VGE(th) | 4.5 - 6.5 В | При IC = 1мА, VCE = VGE | | Энергия включения | Eon | 60 мкДж (тип.) | При IC = 11А, VCC = 400В | | Энергия выключения | Eoff | 20 мкДж (тип.) | При IC = 11А, VCC = 400В | | Заряд затвора | Qg | 25 нКл (тип.) | При VGE = 15В | | Тепловое сопротивление переход-корпус | RthJC | 1.67 К/Вт | | | Температура перехода | Tj | -55 ... +150 °C | Рабочий диапазон | | Диод обратного восстановления | Встроенный | Есть | Быстрый антипараллельный диод (FWD) |

Важно: Полные и гарантированные характеристики приведены в официальном даташите (Datasheet).

Парт-номера (Part Numbers) и корпуса

Официальное полное наименование от Infineon обычно включает в себя код партии и маркировку.

  • Основной парт-номер: BB811-11E
    • На корпусе маркируется как BB811 или BB811-11E.
  • Корпус: TO-263-3 (D²PAK)
    • Это корпус для поверхностного монтажа (SMD) с тремя выводами и большой металлической площадкой для отвода тепла, которая электрически соединена с коллектором (C).

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и косвенные замены)

При поиске аналога важно учитывать не только электрические параметры (VCES, IC), но и динамические характеристики (Qg, Eon/Eoff), корпус, а также характеристики встроенного диода.

1. Прямые аналоги от Infineon (в той же серии или поколении):

  • BB811-11E (оригинал).
  • IKW11N60T — очень близкий аналог в корпусе TO-247, с похожими характеристиками, но для монтажа в отверстие (THT).
  • IKW15N60T — аналог на бóльший ток (15А), может использоваться в запасе по мощности.
  • Другие IGBT из серии TrenchStop 600V с током 8-15А в корпусе D²PAK (например, BB808, BB812).

2. Аналоги от других производителей (Кросс-референс):

  • Fairchild / ON Semiconductor: FGP11N60FTD, FGH11N60FTD.
  • STMicroelectronics: STGP11NC60KD, STGD11NC60KT4.
  • IXYS: IXGH11N60C.
  • Toshiba: GT11J101 (требуется проверка распиновки).

3. Совместимые по применению (но не всегда прямые замены):

  • MOSFET-транзисторы на 600В: Например, IPP11N60N3 (от Infineon CoolMOS) или FCP11N60. Важно: MOSFET и IGBT имеют разные принципы работы. MOSFET лучше подходят для высокочастотных применений с меньшими токами, а IGBT — для средних частот с большими токами и напряжениями. Замена требует пересчета потерь и, возможно, доработки драйвера затвора.
  • IGBT предыдущего поколения (NPT, PT): Например, серии HGTG или IRGP. Они, как правило, имеют большее Vce(sat) и могут потребовать проверки теплового режима.

Рекомендации по замене:

  1. Всегда сверяйтесь с даташитами. Сравнивайте ключевые параметры, особенно Vce(sat), Qg и характеристики встроенного диода (trr, IFSM).
  2. Проверяйте распиновку (Pinout). У разных производителей в одном корпусе выводы могут быть расположены иначе.
  3. Учитывайте динамические характеристики. Разный заряд затвора (Qg) может потребовать изменения параметров драйвера.
  4. Оцените тепловыделение. Если аналог имеет более высокое Vce(sat), потери на нем будут больше, что может потребовать улучшения теплоотвода.

Для точного выбора аналога рекомендуется использовать сервисы кросс-референса на сайтах дистрибьюторов электронных компонентов (например, LCSC, FindChips, Octopart) или самих производителей.

Товары из этой же категории