Infineon BCR108WH6327

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon BCR108WH6327.

Описание и применение

BCR108WH6327 — это P-канальный MOSFET транзистор в малом корпусе SOT-323, предназначенный для низковольтного переключения и управления нагрузкой в условиях ограниченного пространства.

Его ключевая особенность — интегрированный подтягивающий резистор между затвором (Gate) и истоком (Source). Это делает его идеальным для применения в качестве "логического" или "цифрового" ключа.

Основные преимущества:

• Простота управления: Встроенный резистор (примерно 100 кОм) автоматически подтягивает затвор к истоку, выключая транзистор, когда на входе управления (затворе) нет активного сигнала. Это предотвращает случайное открытие и гарантирует стабильное выключенное состояние.
• Компактность: Корпус SOT-323 занимает на плате очень мало места.
• Низкое пороговое напряжение: Позволяет легко управлять напряжением от стандартных логических уровней (3.3В, 5В) микроконтроллеров, не требуя дополнительных драйверов.
• Защита от статики: Устройство имеет встроенную защиту от электростатических разрядов (ESD).

Типичные области применения:

• Управление светодиодами (LED driver).
• Ключи для питания периферийных устройств (включение/выключение датчиков, модулей связи).
• Логические инверторы и буферы.
• Коммутация низковольтных реле.
• Защита от обратной полярности (в определенных схемах).
• Портативная электроника, IoT-устройства, материнские платы.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | P-канальный MOSFET | — | Управляется низким уровнем (Low-side switch) | | Корпус | — | SOT-323 | — | 3 вывода, очень компактный | | Напряжение "сток-исток" | V_DS | -20 В | — | Максимальное обратное напряжение | | Ток стока (непрерывный) | I_D | -250 мА | T_C = 25°C | Максимальный постоянный ток нагрузки | | Сопротивление "сток-исток" во включенном состоянии | R_DS(on) | ~1.2 Ом | V_GS = -4.5 В, I_D = -100 мА | Ключевой параметр, определяет потери на нагрев. | | | | ~1.8 Ом | V_GS = -2.5 В, I_D = -100 мА | | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | -0.4 ... -1.2 В | I_D = -1 мА, V_DS = V_GS | Гарантирует открытие при напряжении логического "0" (0В). | | Встроенный резистор затвор-исток | R_GS | ~100 кОм | — | Автоматически выключает транзистор. | | Мощность рассеяния | P_tot | ~250 мВт | — | Зависит от условий охлаждения. | | Диапазон рабочих температур | T_j | -55 ... +150 °C | — | |

Важный момент для схемотехники: Для полного открытия транзистора и минимизации R_DS(on) (а значит, и потерь) на затвор необходимо подать напряжение, близкое к полному напряжению питания схемы (V_CC) или ниже порога логического "0". Например, при питании 5В, для лучшей эффективности лучше подавать на Gate 0В (полностью открыт), а для выключения — 5В.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Это устройство может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки (катушка/лента) и поставщика. Основной номер — BCR108.

Прямые парт-номера Infineon:

• BCR108WH6327 — Полное обозначение, которое обычно включает в себя код корпуса (WH для SOT-323) и код упаковки (6327, часто означающий Tape & Reel для автоматического монтажа).
• BCR108W — Более короткая форма.
• SP000508975 — Внутренний или альтернативный код Infineon.

Прямые аналоги и совместимые модели (Drop-in Replacement):

Эти транзисторы имеют полную или очень высокую степень совместимости по выводам, корпусу и основным характеристикам. Все они — P-MOSFET с подтягивающим резистором в SOT-323.

• Diodes Incorporated:
  • DMG3415U-7 (очень популярный и распространенный аналог)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • NTJD4155P (также с защитой от ESD)
• Nexperia:
  • PMV65XP (серия с различными пороговыми напряжениями)
• ROHM Semiconductor:
  • UMG5N (линейка аналогичных устройств)

Что искать при выборе аналога (Checklist):

1. Тип: P-канальный MOSFET.
2. Корпус: SOT-323 (или совместимый SOT-23, но он чуть больше).
3. Наличие резистора: Встроенный pull-down резистор между Gate и Source (обычно 100 кОм).
4. Напряжение V_DS: Не менее -20В.
5. Ток I_D: Не менее -250 мА.
6. Пороговое напряжение V_GS(th): Должно быть совместимо с логическими уровнями вашей системы (обычно -0.5...-1.5В).

Рекомендация: Перед заменой всегда сверяйтесь с актуальными даташитами обоих компонентов, особенно разделы Absolute Maximum Ratings и Pinout (распиновка), чтобы убедиться в полной совместимости.