Infineon BCR116W

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Infineon BCR116W.

Описание и применение

Infineon BCR116W — это PNP-транзистор Дарлингтона с внутренними резисторами, предназначенный для коммутации маломощных нагрузок. Он выпускается в миниатюрном корпусе SOT-323, что делает его идеальным для компактных электронных устройств.

Ключевые особенности и преимущества:

• Интегрированные резисторы: База и база-эмиттер транзистора уже имеют встроенные резисторы (R1 = 10 кОм, R2 = 10 кОм). Это значительно упрощает схему, устраняя необходимость во внешних резисторах, экономит место на печатной плате и снижает стоимость сборки.
• Транзистор Дарлингтона: Обеспечивает очень высокий коэффициент усиления по току (hFE), что позволяет управлять нагрузкой с помощью очень слабого сигнала (например, непосредственно с вывода микроконтроллера).
• Назначение: Предназначен в первую очередь для низковольтного переключения (до 50 В) таких нагрузок, как реле, светодиоды, небольшие двигатели, соленоиды, а также в качестве драйвера для более мощных транзисторов или MOSFET.
• Корпус SOT-323: Очень малый размер для поверхностного монтажа (SMD).

Типичные области применения:

• Управление нагрузкой от выходов микроконтроллеров (GPIO)
• Драйверы светодиодов и реле
• Коммутация в бытовой электронике, IoT-устройствах, пультах ДУ
• Инверторы и буферные каскады в цифровых схемах

Технические характеристики (Absolute Maximum Ratings)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CEO | -50 | В | | Напряжение коллектор-база | V_CBO | -50 | В | | Напряжение эмиттер-база | V_EBO | -5 | В | | Постоянный ток коллектора | I_C | -100 | мА | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | -200 | мА | | Рассеиваемая мощность (при T_amb=25°C) | P_tot | 250 | мВт | | Температура перехода | T_j | +150 | °C | | Диапазон температур хранения | T_stg | -55 … +150 | °C |

Электрические характеристики (T_j = 25°C, типичные значения)

| Параметр | Условия | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | I_C = -30 мА, I_B = -0.1 мA | -0.25 | В | | Коэффициент усиления по току (h_FE) | V_CE = -5 В, I_C = -10 мА | 5000 (min 10000 typ) | — | | Входное сопротивление (между B и E) | — | 20 | кОм | | Сопротивление R1 (База) | — | 10 | кОм | | Сопротивление R2 (База-Эмиттер) | — | 10 | кОм |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Прямые аналоги и вторые источники (Functional Replacements): Эти транзисторы имеют идентичную распиновку (pin-to-pin) и максимально близкие электрические характеристики. Они являются лучшей заменой.

• Diodes Incorporated: DDTC114WCA-7-F (самый популярный и доступный аналог)
• ON Semiconductor / Fairchild: FMMT558TA (ранее FMMT558)
• Rohm Semiconductor: UMT6N
• Nexperia: PUMD2 (требует проверки распиновки в даташите)
• Toshiba: DTB114YCA (также встречается как DTB114EK)

Совместимые по функции модели (но могут отличаться распиновкой или номиналами резисторов): Перед заменой обязательно сверяться с даташитом и распиновкой (pinout)!

• BCR116 (та же схема, но в корпусе SOT-23)
• BCR108, BCR111, BCR112, BCR118 — серия PNP-транзисторов Дарлингтона с резисторами от Infineon, но с разным напряжением и номиналами резисторов.
• Серии UN от Rohm (например, UN2115).
• Серии DTC114 от Rohm/Diodes Inc. (например, DTC114YCA).
• KST558 от Samsung.

Важное примечание по аналогам: При поиске замены всегда обращайте внимание на три ключевых параметра:

1. Тип проводимости: PNP.
2. Наличие встроенных резисторов и их номинал (R1, R2).
3. Распиновка выводов (Коллектор, База, Эмиттер) в конкретном корпусе (SOT-323).

BCR116W является отличным примером современного компонента, который предлагает разработчикам простоту использования и миниатюрность, что особенно востребовано в портативной и носимой электронике.