Infineon BCR198E6327

Отличный выбор! BCR198E6327 — это популярный и надежный NPN-транзистор Дарлингтона от Infineon, предназначенный для коммутации низковольтных нагрузок. Вот его подробное описание.

Описание и назначение

BCR198E6327 — это силовой NPN-транзистор Дарлингтона в корпусе SOT-32 (SC-72). Его ключевая особенность — очень высокий коэффициент усиления по току (hFE), что позволяет управлять относительно большими токами нагрузки с помощью слабого сигнала от микроконтроллера (например, Arduino, STM32) или логической схемы.

Основные сферы применения:

• Управление реле, соленоидами, небольшими двигателями постоянного тока.
• Драйверы светодиодов (LED-лент, кластеры).
• Индикаторные нагрузки (лампы).
• Буферные каскады для усиления тока.
• Коммутация нагрузок в бытовой электронике, автомобильной электронике (некритичные системы), блоках питания.

Ключевые преимущества:

• Высокий коэффициент усиления: Позволяет управлять нагрузкой напрямую с выхода микроконтроллера (3.3В или 5В).
• Встроенные защитные диоды: Встроенный демпфирующий диод для индуктивных нагрузок (например, реле) и резистор на базе для улучшения помехоустойчивости.
• Компактный SMD-корпус: Подходит для плотного монтажа на печатную плату.
• Низкое напряжение насыщения: Минимизирует потери мощности на самом транзисторе.

Технические характеристики (ТТХ)

• Тип транзистора: NPN, Дарлингтона (со встроенными резисторами).
• Корпус: SOT-32 (также известен как SC-72, SOT-323-3).
• Полярность: NPN.
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): -50 В (минус указывает на тип, фактически 50В).
• Напряжение коллектор-база (VCBO): -50 В.
• Напряжение эмиттер-база (VEBO): -12 В.
• Постоянный ток коллектора (IC): 1 A (максимальный непрерывный ток).
• Ток коллектора импульсный (ICM): 2 A (кратковременно).
• Коэффициент усиления по току (hFE): мин. 1000 (при IC=0.5A, VCE=2В) — это очень высокое значение, характерное для Дарлингтона.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCEsat):
  • макс. 1.5 В (при IC=0.5A, IB=5mA)
  • макс. 2.5 В (при IC=1.0A, IB=10mA)
• Рассеиваемая мощность (Ptot): ~1 Вт (зависит от монтажа, при условии температуры корпуса 25°C).
• Рабочая температура перехода (Tj): от -55 °C до +150 °C.
• Встроенные элементы: Защитный диод "коллектор-эмиттер" и базовый резистор.

Прямые аналоги и парт-номера (Alternatives / Cross-Reference)

Транзисторы в этой категории часто взаимозаменяемы. Вот основные аналоги:

Почти полные аналоги (от других производителей):

• BCX56B (в корпусе SOT-89, более мощный) — от NXP, ON Semiconductor, Fairchild.
• FMMT734TA / FMMT734 (SOT-23) — от Diodes Inc.
• KST44 (SOT-23) — от Samsung.
• MMBT4403 (SOT-23, но обычно без встроенных резисторов) — множество производителей.
• 2SD1898 (SOT-32) — от ROHM.
• PBSS4540Z (SOT-23) — от Nexperia.

Совместимые модели от Infineon (в аналогичном корпусе и классе):

• BCR108E6327 — Менее мощный брат: IC = 0.5A, VCEO = -50В. Прямая замена для нагрузок до 500мА.
• BCR185E6327 — Промежуточный вариант: IC = 0.8A, VCEO = -50В.
• BCR196E6327 — Ближайший аналог: IC = 1A, VCEO = -80В (более высокое напряжение).
• BCR199E6327 — Аналог с более высоким напряжением: IC = 1A, VCEO = -100В.

Важные аналоги в других корпусах (проверять распиновку!):

• TIP120, TIP121, TIP122 — Легендарные транзисторы Дарлингтона в корпусе TO-220 (для больших токов, монтаж на радиатор).
• ULN2003A, ULN2803A — Микросхемы-драйверы, содержащие 7 или 8 каскадов Дарлингтона с защитными диодами. Управление множеством нагрузок одновременно.

Рекомендации по применению

1. Обязательная установка базового резистора: Несмотря на встроенный резистор (~4.7 кОм между базой и эмиттером), крайне рекомендуется ставить внешний резистор (обычно 1-10 кОм) последовательно с базой. Это ограничивает ток базы и повышает надежность.
2. Работа с индуктивными нагрузками: Встроенный демпфирующий диод защищает транзистор от выбросов обратного напряжения при отключении реле или двигателя. Для особенно мощных индуктивностей может потребоваться дополнительный внешний диод.
3. Охлаждение: При токах, близких к 1А, и особенно при высоком VCEsat, транзистор может ощутимо нагреваться. Необходимо предусмотреть на печатной плате небольшую контактную площадку (тепловую via) для отвода тепла.
4. Распиновка (вид на маркировку):
   • Вывод 1 (слева) — База (B)
   • Вывод 2 (середина) — Коллектор (C)
   • Вывод 3 (справа) — Эмиттер (E)

Итог: BCR198E6327 — это отличный, проверенный выбор для задач коммутации нагрузок до 1А в компактных электронных устройствах. Его главные козыри — высокий коэффициент усиления, встроенная защита и удобный SMD-корпус. При замене аналогом всегда сверяйтесь с даташитом, особенно по параметрам VCEO, IC, VCEsat и распиновке.