Infineon BGM781N11E6327

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon BGM781N11E6327.

Общее описание

BGM781N11E6327 — это N-канальный MOSFET транзистор в корпусе PG-TDSON-8 (также известный как SuperSO8 или PowerSO8), разработанный специально для импульсных источников питания (SMPS) и синхронного выпрямения в низковольтных, высокоэффективных приложениях. Это ключевой компонент в схемах преобразователей постоянного тока (DC-DC), особенно в точках нагрузки (VRM) для серверов, телекоммуникационного оборудования и мощных графических процессоров.

Его основная "фишка" — чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) при рабочем напряжении 25 В, что минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.

Ключевые особенности

• Низкое сопротивление открытого канала: 0.78 мОм (макс.) при V_GS = 10 В.
• Низкое пороговое напряжение и высокая крутизна: Оптимизирован для работы от стандартных ШИМ-контроллеров (5В драйвер).
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядами затвора (Q_G) и выходной емкости (Q_OSS), что снижает динамические потери.
• Корпус PG-TDSON-8: Отличный тепловой и электрический характеристики, компактный размер.
• Интегрированный диод обратного хода: Быстрый внутренний сток-истокный диод.
• Соответствие RoHS: Бессвинцовой и совместим с требованиями по охране окружающей среды.

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Корпус | — | PG-TDSON-8 | (8-контактный, с открытой термопадой) | | Макс. напряжение "Сток-Исток" | V_DS | 25 В | | | Макс. непрерывный ток стока | I_D | 100 А | При T_c = 25°C | | Сопротивление "Сток-Исток" (откр.) | R_DS(on) | 0.78 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 50 А | | | | 1.0 мОм (макс.) | V_GS = 4.5 В, I_D = 50 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 1.35 - 2.35 В | V_DS = V_GS, I_D = 250 мкА | | Макс. заряд затвора | Q_G | 65 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Входная емкость | C_iss | 5300 пФ (тип.) | V_DS = 15 В, V_GS = 0 В | | Тепловое сопротивление (переход-корпус) | R_thJC | 0.5 °C/Вт | | | Макс. температура перехода | T_J | +175 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Транзисторы часто имеют несколько обозначений в зависимости от упаковки (катушка/лоток) и маркировки. Основной номер — BGM781N11.

• Полный номер для заказа (Ordering Code): BGM781N11E6327XTSA1
  • BGM781N11 — базовая модель.
  • E6327 — код продукта Infineon.
  • XTSA1 — информация об упаковке (катушка, количество и т.д.).

Совместимые / Альтернативные модели от Infineon: При поиске замены или аналога важно смотреть на V_DS, I_D, R_DS(on), корпус и заряд затвора (Q_G).

• BSC010N04LS (40 В, 1.0 мОм) — более высокое напряжение, похожие характеристики.
• BSC016N06LS (60 В, 1.6 мОм) — для схем с более высоким напряжением.
• BSC700N25NS3 (250 В, 7 мОм) — для первичной стороны (high-side) в некоторых топологиях.
• IPP023N10N5 (100 В, 2.3 мОм) — аналог в корпусе TO-220, для решений с радиатором.

Аналоги от других производителей (прямые или близкие по параметрам):

• Vishay (SiS): SiR876DP — очень популярный и часто взаимозаменяемый аналог с близкими параметрами (25В, 100А, ~0.8 мОм, PowerPAK 8x8).
• ON Semiconductor: FDMS86255 (25В, 100А, 0.85 мОм, Power56).
• AOS (Alpha & Omega Semiconductor): AON7811 (25В, 100А, 0.8 мОм, DFN 5x6).

Важные примечания по применению и совместимости

1. Не является прямым аналогом для "любого" MOSFET 25В/100А. Критически важны динамические параметры (Q_G, C_iss) и распиновка корпуса. Замена без проверки может привести к ухудшению КПД или выходу из строя драйвера.
2. Основное применение: Низковольтная, высокотоковая синхронная ступень (синхронный выпрямитель) в понижающих (buck) DC-DC преобразователях. Обычно используется в нижнем плече (low-side) из-за очень низкого R_DS(on).
3. Требуется внимательная разводка PCB: Для раскрытия потенциала низкого R_DS(on) необходима широкая силовая разводка и правильное использование термополигона под корпусом для отвода тепла.
4. Проверка драйвера: Убедитесь, что драйвер ШИМ может обеспечить достаточный пиковый ток для быстрой зарядки/разрядки затвора (Q_G ~65 нКл).

Рекомендация: При замене всегда сверяйтесь с datasheet обоих компонентов, уделяя внимание разводке выводов (pinout) и рекомендациям по монтажу. В большинстве случаев SiR876DP от Vishay является наиболее распространенной и доступной альтернативой на рынке.