Infineon BSB280N15NZ3G

Отличный выбор! BSB280N15NZ3G — это мощный и надежный MOSFET транзистор от Infineon, предназначенный для требовательных применений. Вот подробное описание и вся ключевая информация.

Описание

BSB280N15NZ3G — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-263-3 (D²PAK), разработанный с использованием передовой технологии N-channel OptiMOS™ 5 от Infineon.

Ключевая идея: Этот транзистор создан для минимизации потерь (как проводимости, так и переключения) в мощных цепях. Его главные "козыри" — чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (R DS(on)) и высокая эффективность переключения.

Основные области применения:

• Силовые источники питания: Серверные, телекоммуникационные, промышленные БП (синхронное выпрямение на вторичной стороне, коррекция коэффициента мощности (PFC) на первичной).
• DC-DC преобразователи: Высокотоковые понижающие (buck) преобразователи.
• Управление двигателями: В инверторах, приводных системах, контроллерах двигателей постоянного тока.
• Сварочное оборудование.
• Инверторы (UPS).

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement mode | | Технология | OptiMOS™ 5 | Пятое поколение, оптимизировано для КПД | | Корпус | TO-263-3 (D²PAK) | Планарный, для поверхностного монтажа, с теплоотводящей площадкой | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 150 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Непрерывный ток стока (I_D) при 25°C | 136 А | При идеальных условиях охлаждения | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 2.8 мОм (макс.) | При V_GS=10 В, I_D=70 А. Ключевой параметр, определяет потери проводимости. | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 4.0 мОм (макс.) | При V_GS=4.5 В, I_D=35 А. Важно для работы от низких управляющих напряжений. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.5 - 4.0 В | Тип. 3.2 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~170 нКл (тип.) | Влияет на скорость переключения и потери на управление. | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 405 Вт | При температуре корпуса 25°C. На практике ограничивается системой охлаждения. |

Важные особенности:

• Высокая стойкость к лавинному пробою (100% тестирование).
• Превосходное соотношение R_DS(on) * Q_g (Figure of Merit, FoM), что означает высокий общий КПД системы.
• Соответствие RoHS и галоген-фри.
• Логический уровень и стандартный уровень управляющего напряжения (отлично работает как от 10В, так и от 4.5-5В).

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые / аналогичные модели

При поиске замены или аналога важно смотреть не только на электрические параметры, но и на корпус, расположение выводов и характеристики переключения.

1. Прямые аналоги от Infineon (в том же корпусе и семействе):

• IPB280N15N5G — Практически идентичная модель в корпусе TO-263-7 (D²PAK-7). Имеет дополнительные выводы источника (Kelvin Source) для улучшения управления и снижения индуктивности в силовой петле. Является рекомендованной к применению и более современной версией.
• IPB280N15N5ATMA1 — Тот же кристалл, что и в IPB280N15N5G, в корпусе TO-263-3 (D²PAK). Прямой функциональный аналог BSB280N15NZ3G.
• BSB280N15N5G — Более ранняя версия из семейства OptiMOS 5.

2. Аналоги от других производителей (сопоставимые по ключевым параметрам V_DSS=150В, I_D > 100А, R_DS(on) ~ 2-4 мОм):

• ON Semiconductor:
  • FDPF280N15A — Очень близкий аналог в D²PAK.
• STMicroelectronics:
  • STH280N15F7-AG — Модель из семейства STripFET F7.
• Vishay Siliconix:
  • SQJQ280E — Модель в корпусе PowerPAK® 8x8.
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS):
  • AOTF280N15 — Аналог в корпусе TO-3P (через отверстие).

3. Совместимые модели для замены в схеме (кросс-референс):

При прямой замене на печатной плате (в корпус TO-263-3) чаще всего ищут аналоги по следующим параметрам: 150В, 136А (или более), R_DS(on) ~ 2.8 мОм. Указанные ниже модели могут быть функционально совместимы, но требуют проверки datasheet (особенно по пороговому напряжению, заряду затвора и емкостям):

• Infineon: IPB280N15N5ATMA1 (прямая замена)
• ON Semi: FDPF280N15A, FDPF280N15T
• STM: STH280N15F7-AG, STP280N15F7
• IXYS / Littelfuse: IXFH280N15T

Важное предупреждение:

Перед заменой обязательно сверьтесь с даташитами обоих компонентов! Обратите внимание на:

1. Распиновку (Pinout) корпуса.
2. Рекомендуемые условия пайки (температурный профиль).
3. Характеристики переключения (Q_g, C_iss), которые могут потребовать корректировки драйвера затвора.
4. Внутреннюю структуру (наличие встроенного диода, его характеристики).

Вывод: BSB280N15NZ3G — это мощный, эффективный и проверенный транзистор для силовой электроники. Для новых разработок Infineon часто рекомендует обратить внимание на его более современную версию IPB280N15N5ATMA1 или IPB280N15N5G (с выводами Kelvin).