Infineon BSC052N08NS5
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon BSC052N08NS5
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для MOSFET транзистора Infineon BSC052N08NS5.
Общее описание
Infineon BSC052N08NS5 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Это компонент, оптимизированный для высокой эффективности и плотности монтажа в импульсных источниках питания (SMPS), синхронных выпрямителях и цепях управления двигателями (например, в материнских платах, серверах, промышленном приводе).
Его ключевые преимущества:
- Сверхнизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) — всего 5.2 мОм при 10 В, что минимизирует потери на проводимость и нагрев.
- Высокая скорость переключения — благодаря низким зарядам затвора (Qg) и выходной емкости (Coss), что снижает динамические потери.
- Оптимизирован для работы от логических уровней (Logic Level) — уверенно открывается уже при напряжении на затворе 4.5 В (VGS(th) max = 2.35 В), что позволяет управлять напрямую от современных контроллеров PWM.
- Высокая надежность и стойкость к лавинному пробою — технология OptiMOS 5 обеспечивает устойчивость к перегрузкам.
Технические характеристики (кратко)
| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | OptiMOS™ 5 технология | | Корпус | PG-TDSON-8 (SuperSO8) | Компактный, с теплоотводящей площадкой | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 80 В | Максимальное допустимое | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 5.2 мОм | VGS = 10 В, ID = 15 А | | | 6.5 мОм | VGS = 4.5 В, ID = 15 А | | Максимальный непрерывный ток стока (ID) | 55 А | При Tc = 25°C | | | 35 А | При Tc = 100°C | | Максимальный импульсный ток (IDpulse) | 220 А | Ограничено корпусом | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.35 - 2.35 В | Тип. 1.8 В | | Общий заряд затвора (Qg) | 19 нКл | При VGS = 10 В (ключевой параметр для драйвера) | | Заряд затвора для включения (Qgs) | 5.5 нКл | | | Выходная емкость (Coss) | 124 пФ | При VDS = 40 В, эффективная (Eoss = 0.9 мкДж) | | Диод сток-исток | Есть (интегрированный) | Прямое напряжение VSD ≈ 1.2 В |
Парт-номера и аналоги (прямые замены)
Парт-номера — это альтернативные обозначения того же самого компонента от Infineon или его официальных дистрибьюторов. Совместимые модели — это аналоги от других производителей с максимально близкими параметрами, которые можно использовать для замены (требуется проверка по datasheet и характеристикам платы).
Парт-номера (это тот же самый компонент):
- SP001562852 — это внутренний номер Infineon для заказа.
- На бирках/упаковках может встречаться как BSC052N08NS5ATMA1 (полное название с указанием типа упаковки).
Совместимые модели / Аналоги от других производителей (требуют проверки!):
При поиске замены ориентируйтесь на ключевые параметры: 80В, ~5-6 мОм, SuperSO8, логический уровень.
- Vishay / Siliconix: SiR654DP (очень близкий аналог, 80В, 5.3 мОм).
- ON Semiconductor: FDSL86102 (80В, 5.7 мОм), NVMFS5C410N (100В, но часто используется в тех же слотах).
- STMicroelectronics: STL160N8F7 (80В, 5.7 мОм).
- Alpha & Omega Semiconductor (AOS): AONR21357 (80В, 5.1 мОм).
- Nexperia: PSMN4R5-80PS (80В, 4.5 мОм, но может быть дороже).
- Diodes Incorporated: DMN3012LFG (80В, 5.8 мОм).
ВАЖНО: Перед заменой всегда необходимо:
- Сравнивать распиновку (pinout) корпуса — у SuperSO8 она может различаться!
- Проверять динамические характеристики (Qg, Coss), особенно если MOSFET работает на высоких частотах.
- Учитывать, что даже при схожем RDS(on) могут отличаться параметры внутреннего диода, что критично для синхронного выпрямления.
Типичные области применения
- Синхронное выпрямление в мощных DC/DC преобразователях (например, в процессорных цепях VRM материнских плат и серверов).
- Выходные каскады импульсных блоков питания (SMPS).
- Управление двигателями в промышленной автоматике, робототехнике, электроинструменте.
- Цепи коммутации высокой мощности в автомобильной электронике (например, управление нагрузками).
Вывод: Infineon BSC052N08NS5 — это высокотехнологичный, эффективный и популярный MOSFET, ставший отраслевым стандартом для компактных и мощных решений. При его замене аналогами необходимо уделять внимание не только статическим, но и динамическим параметрам, а также распиновке.