Infineon BSC070N10NS3G

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для MOSFET транзистора Infineon BSC070N10NS3G.

Описание и применение

Infineon BSC070N10NS3G — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 3. Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике.

Основные особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 0.7 мОм при 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядами затвора (Qg) и выходной емкости (Coss), что позволяет работать на высоких частотах (десятки-сотни кГц) и снизить коммутационные потери.
• Технология OptiMOS™ 3: Обеспечивает оптимальный баланс между низким сопротивлением, высокой скоростью и надежностью.
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам (100% тестирование): Гарантирует надежность и устойчивость к выбросам напряжения в индуктивных цепях.
• Логический уровень управления: Полное открытие достигается уже при напряжении на затворе VGS = 10 В, что делает его удобным для работы с современными ШИМ-контроллерами и микроконтроллерами (через драйвер).

Типичные области применения:

• Системы управления питанием (POL, VRM) на материнских платах и серверах.
• Низковольтные импульсные источники питания (SMPS) и DC-DC преобразователи.
• Цепи синхронного выпрямения в блоках питания.
• Моторные драйверы и контроллеры в маломощных приводах, охлаждения.
• Силовые ключи в автомобильной электронике (например, управление нагрузкой).

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Технология | — | OptiMOS™ 3 | | | Сток-исток напряжение | V_DSS | 100 В | Максимальное | | Непрерывный ток стока | I_D | 100 А | При T_C = 25°C | | Сопротивление сток-исток | R_DS(on) | 0.7 мОм (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 50 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.0 - 4.0 В | Тип. 3.0 В | | Общий заряд затвора | Q_g | 78 нКл (тип.) | При V_GS = 10 В | | Заряд затвор-исток | Q_gs | 15 нКл (тип.) | | | Выходная емкость | C_oss | 680 пФ (тип.) | | | Диод "сток-исток" | — | Встроенный (Body Diode) | I_SD = 100 А, V_SD ≈ 1.3 В | | Корпус | — | TO-263-3 (D2PAK) | Пластиковый, с возможностью пайки на плату или установки на радиатор | | Степень надежности | — | AEC-Q101 | Квалифицирован для применения в автомобильной электронике |

Парт-номера (Part Numbers) и корпусные варианты

Указанный номер — это базовая модель в корпусе D2PAK. Infineon часто выпускает один и тот же кристалл в разных корпусах. Прямым аналогом по электрическим параметрам, но в другом корпусе, является:

• IPB070N10N3G — тот же кристалл в корпусе TO-263-7 (D2PAK-7). Имеет дополнительные выводы (Kelvin Source) для более точного управления затвором и снижения влияния паразитной индуктивности, что критично для высокочастотных преобразователей.

Также существуют модификации в других линейках Infineon с очень близкими параметрами.

Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

При поиске замены важно смотреть не только на V_DSS и I_D, но и на ключевые параметры: R_DS(on), Q_g, корпус и цоколевку.

Прямые или очень близкие аналоги от других производителей:

1. ON Semiconductor / Fairchild:
   • FDB070N10A — очень близкий аналог, 100В, 0.7 мОм, TO-263 (D2PAK).
2. Vishay / Siliconix:
   • SQJ070EP — 100В, 0.7 мОм, TO-263. Часто используется как аналог.
3. STMicroelectronics:
   • STL110N10F7 — 100В, 0.7 мОм, PowerFLAT 5x6. Внимание: корпус другой!
   • STP110N10F7 — 100В, 0.7 мОм, TO-220 (для монтажа на радиатор).
4. Nexperia:
   • PSMN1R0-100YS — 100В, 1.0 мОм, D2PAK. Сопротивление чуть выше.
5. Texas Instruments:
   • CSD17573Q3 — 100В, 2.9 мОм, SON 3.3x3.3. Мощность и корпус значительно отличаются, требует переразводки платы.

Аналоги от Infineon (новые поколения):

• BSC010N10NS5 (OptiMOS™ 5) — Более новое поколение. При схожих напряжениях и токе имеет еще ниже R_DS(on) (порядка 1 мОм), но может отличаться динамическими характеристиками. Требует проверки по схеме.
• IPB009N10N5 (OptiMOS™ 5 в D2PAK-7) — Аналог нового поколения с улучшенными параметрами.

Важные замечания при замене:

1. Всегда сверяйте цоколевку (pinout)! Особенно при переходе между корпусами (D2PAK, D2PAK-7, TO-220).
2. Проверьте динамические характеристики (Qg, Ciss, Coss) в вашей схеме, если она работает на высокой частоте. Параметры могут отличаться даже при схожем R_DS(on).
3. Для критичных по надежности применений (авто, промышленность) рекомендуется использовать оригинальные компоненты или аналоги, квалифицированные по тем же стандартам (AEC-Q101).

Вывод: BSC070N10NS3G — это высококачественный, проверенный временем MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для задач, требующих высокого тока и минимальных потерь. При замене на аналог необходимо проводить тщательный сравнительный анализ по даташитам.