Infineon BSM15GD120DN2

Отличный выбор! BSM15GD120DN2 — это очень популярный и надежный силовой модуль IGBT от Infineon. Вот подробное описание, характеристики и совместимые аналоги.

Описание и назначение

Infineon BSM15GD120DN2 — это Dual IGBT модуль (два IGBT в одном корпусе), образующий полумостовую схему (half-bridge). Он предназначен для преобразовательной техники средней мощности.

Ключевые особенности и применение:

• Структура: Содержит два IGBT транзистора с обратными диодами (антипараллельные диоды Фрея) в одном изолированном корпусе. Это классическая конфигурация для силового каскада.
• Назначение: Преобразование энергии в инверторах, частотных преобразователях, импульсных источниках питания, системах ИБП, приводах электродвигателей.
• Технология: Используется Trenchstop 5 IGBT третьего поколения, что обеспечивает низкие потери проводимости и коммутации, а также высокую эффективность.
• Изоляция: Корпус обеспечивает электрическую изоляцию (2500 В~) между силовыми выводами и основанием радиатора, что упрощает монтаж на общий теплоотвод.
• Уровень мощности: Относится к сегменту средней мощности (номинальный ток 15А), что делает его универсальным решением для многих промышленных и коммерческих применений.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Полумост (2 в 1) | Два IGBT + два диода | | Коллектор-Эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый IGBT | | Номинальный ток коллектора (I_C @25°C) | 15 А | При температуре корпуса 25°C | | Номинальный ток коллектора (I_C @80°C) | 8 А | При температуре корпуса 80°C (более реалистичный параметр) | | Ток импульса (I_CM) | 30 А | Максимальный кратковременный ток | | Насыщающее напряжение (V_CE(sat)) | ~1.85 В (тип.) | Падение напряжения в открытом состоянии при номинальном токе, определяет потери проводимости | | Энергия включения/выключения (E_on/E_off) | Низкие | Благодаря технологии Trenchstop 5 | | Тепловое сопротивление переход-корпус (R_thJC) | 0.65 К/Вт (на ключ) | Характеризует способность отводить тепло | | Изоляционное напряжение (V_iso) | 2500 В~ (AC, 1 мин) | Между цепью и основанием (медной подложкой) | | Температура перехода (T_vj) | -40°C ... +150°C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Корпус | EASY 1B | Компактный, с винтовыми клеммами для силовых выводов и штырьками для управляющих (драйверных) выводов. |

Парт-номера и прямые аналоги

Парт-номера — это альтернативные обозначения того же самого модуля в разных каталогах или системах.

• Основной парт-номер: BSM15GD120DN2
• Альтернативное написание: Иногда может встречаться как BSM 15GD 120DN2 (с пробелами).
• Полный Ordering Code: Обычно включает в себя основной номер и может иметь суффиксы, указывающие на упаковку (лоток, трубка) и т.д. Например: BSM15GD120DN2HKSA1.

Совместимые модели и аналоги

При поиске замены или аналога важно учитывать конфигурацию (полумост), напряжение (1200В), ток (15А) и корпус (EASY 1B).

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии или новой):

• BSM15GP120 — Аналогичный модуль предыдущего поколения (технология NPT IGBT). Может иметь немного другие динамические параметры, но часто является функциональной заменой.
• Серия IKW... (одиночные IGBT в корпусе TO-247) — Не является прямым аналогом по корпусу и удобству, но на базе двух таких транзисторов можно собрать полумост. Пример: IKW15N120T2 (2 шт.).
• Новые серии: Для новых разработок Infineon рекомендует переходить на более современные серии, такие как IKQ... или AIKQ... (с дополнительными функциями), но они требуют пересмотра схемы управления, так как часто идут в других корпусах.

2. Функциональные аналоги от других производителей (полумост, 1200В, ~15А):

Внимание! Перед заменой обязательна проверка datasheet, особенно распиновки, характеристик драйвера и динамических параметров.

| Производитель | Аналог (ближайший по параметрам) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Fuji Electric | 2MBi150VN-120-50 | Очень популярный аналог. Корпус схожих габаритов, но распиновка может отличаться. Требуется проверка. | | Mitsubishi Electric | CM15TF-12H | Классический модуль от Mitsubishi. Также требует проверки совместимости по размерам и выводам. | | SEMIKRON | SKM15GB12T4 | Аналог в корпусе SEMiX. Геометрия и крепление отличаются от EASY 1B. | | ON Semiconductor | FGH15T120SMD (одиночный) | Как и в случае с IKW, для полумоста нужно два модуля. |

Важные замечания при замене:

1. Распиновка (Pinout): Это самый критичный параметр. Несовпадение расположения выводов Gate и Emitter приведет к мгновенному выходу из строя.
2. Характеристики драйвера: Напряжение управления затвором (V_GE), необходимые токи заряда/разряда (Q_g).
3. Геометрия и крепление: Размеры корпуса, расположение монтажных отверстий, толщина термопасты.
4. Динамические параметры: E_on/E_off, V_CE(sat) — влияют на КПД и нагрев системы.

Рекомендация: Для ремонта существующего устройства лучшей заменой является оригинальный BSM15GD120DN2 или его прямой предшественник BSM15GP120 (после проверки даташита). Для новой разработки стоит рассмотреть более современные модули.