Infineon BSM25GP120_B2

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для IGBT-транзистора Infineon BSM25GP120_B2.

Общее описание

Infineon BSM25GP120_B2 — это дискретный IGBT-транзистор в модульном корпусе, предназначенный для мощных и высокочастотных импульсных преобразователей. Он является частью линейки NPT (Non-Punch Through) IGBT 3-го поколения от Infineon, которая славится оптимальным балансом между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и высокой стойкостью к короткому замыканию.

Этот модуль представляет собой полумост (Half-Bridge) конфигурацию, то есть содержит два IGBT с антипараллельными диодами в одном изолированном корпусе. Такая компоновка упрощает проектирование и сборку силовых ключей для инверторов, частотных преобразователей, источников сварочного тока и систем ИБП.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология NPT IGBT 3: Высокая плотность мощности, низкие коммутационные потери, положительный температурный коэффициент напряжения насыщения (облегчает параллельное соединение).
• Корпус с изолированным основанием: Позволяет монтировать все модули на общий теплоотвод без изолирующих прокладок, улучшая тепловые характеристики.
• Встроенные быстрые антипараллельные диоды: Обеспечивают обратный ток в индуктивных нагрузках.
• Высокая стойкость к короткому замыканию (SCWT): 10 мкс, что повышает надежность системы.
• Низкие динамические потери: Благодаря "мягкому" переключению диодов.

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация модуля | Полумост (Half-Bridge) | 2 x IGBT + 2 x диода | | Коллектор-эмиттер напряжение (Vces) | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Номинальный ток коллектора (Ic @ 25°C) | 25 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток коллектора (Ic @ 80°C) | 15 А | При температуре корпуса 80°C (более реалистичный параметр) | | Напряжение насыщения (Vce(sat) тип.) | 2.05 В | При Ic=25A, Vge=15В, Tj=25°C | | Пороговое напряжение затвора (Vge(th)) | 5.6 В | Типовое значение | | Энергия включения (Eon) | 4.0 мДж | При Ic=25A, Vge=±15В, Tj=125°C | | Энергия выключения (Eoff) | 1.2 мДж | При тех же условиях | | Сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)) | 0.75 К/Вт | На один IGBT (тепловое сопротивление) | | Температура перехода (Tj max) | +150 °C | Максимально допустимая | | Температура хранения (Tstg) | от -40 до +125 °C | | | Стойкость к КЗ (SCWT) | 10 мкс | | | Встроенный диод | Быстрый восстановления (FRD) | | | Прямое напряжение диода (Vf typ.) | 1.8 В | | | Время восстановления диода (trr typ.) | 110 нс | | | Рекомендуемое напряжение затвора | +15 В / -15 В | Оптимально для управления | | Индуктивность контура эмиттера (Le) | < 10 нГн | Низкая паразитная индуктивность |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Часто один и тот же модуль может иметь разные маркировки в зависимости от партии, упаковки или клиента. Основной парт-номер:

• BSM25GP120_B2 — полное и основное обозначение.

Этот модуль входит в серию BSM25GP120, которая может иметь различные суффиксы, указывающие на версию или модификацию (например, B2, B3, но B2 является распространенной). При заказе всегда следует указывать полный номер.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При замене необходимо учитывать не только электрические параметры, но и распиновку (pinout) и геометрию корпуса.

Аналоги от Infineon (новее или в другой линейке):

• BSM25GP120_B3 — более новая ревизия того же модуля (если существует).
• Модули из серий IGBT4 (например, BSM25GB120DLC) — новее, имеют лучшие характеристики, но требуют проверки распиновки и крепления.
• Модули из линейки Trenchstop 5 / IGBT7 (например, AIKQ25T120F7) — значительно более современные и эффективные, но также требуют проверки механической и электрической совместимости.

Аналоги от других производителей (Функциональные замены):

• Fuji Electric: 2MBi25U2B-120 (серия U2/U4), 2MBi25U4B-120.
• Semikron: SKM25GB120V.
• Mitsubishi Electric: CM25TU-24H (серия T-серии).
• ON Semiconductor: NGB25T120L2 (в корпусе NGB).

Важное предупреждение: Перед заменой на аналог обязательно необходимо свериться с:

1. Datasheet (технической документацией) обоих модулей.
2. Схемой расположения выводов (Pin Assignment Diagram).
3. Геометрическими размерами и расположением монтажных отверстий.
4. Характеристиками встроенных диодов и рекомендациями по драйверу.

Типовые области применения

• Частотные преобразователи (ПЧ) для двигателей малой и средней мощности.
• Сварочные инверторы.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Индукционные нагреватели.
• Системы управления электроприводом.